1. Sieć krystalograficzna A3 jest oparta na układzie krystalograficznym:

heksagonalnym

regularnym

trójskośnym

2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:

kowalencyjnego

jonowego

wodorowego

3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:

czterościenne

sześciościenne

ośmiościenne

4.Stopy metaliczne mogą być roztworami stałymi:

różnowęzłowymi międzywęzłowymi

bezwęzłowymi

5.Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z:

antyferromagnetyków diamagnetyków

paramagnetyków

6.Materiał magnetyczny twardy powinien mieć dużą wartość:

stratności

indukcji remanencji należenia koercji

7.Stal krzemowa zimnowalcowana jest:

diamagnetykiem

ferromagnetykiem

ferrytem

8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:

dodatni

ujemny

zerowy

9.Napylanie katodowe stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:

hybrydowych cienkowarstwowych

monolitycznych

hybrydowych

grubowarstwowych

1O. Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość:

rezystywności

TWR siły termoelektrycznej

11.Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:

donorowo

akceptorowo

niedomieszkowanym

l2. Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowych zalicza się:

implantację

topienie

strefowe

transmutacje

13.Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie:

MBE

VPE

LPE

14.Złącze p-n jest podstawowym elementem:

warystora

fotodiody

termistora

15.Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:

elektronowy

jonowy

dipolowy

16.Rezonansowa i bezstratna jest polaryzacja:

dipolowa

elektronowa

atomowa

1.Sieci krystalograficzne Al i A2 są oparte na układzie krystalograficznym:

heksagonalnym

regularnym

trójskośnym

2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:

kowalencyjnego

jonowego

wodorowego

3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:

czterościenne

sześciościenne

ośmiościenne

4.Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:

punktowym

liniowym

powierzchniowym

5.0bwody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje się z:

antyferromagnetyków diamagnetyków paramagnetyków

6.Material na magnesy trwale metaliczne to:

czyste żelazo stal

hartowana

stal

krzemowa zimnowalcowana

7.Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:

FeO

Fe203

NiO

8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:

dodatni

ujemny

zerowy

9.Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:

hybrydowych cienkowarstwowych

monolitycznych

hybrydowych grubowarstwowych

1O. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:

techniczne precyzyjne

grzejne

11. Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:

donorowo

akceptorowo

niedomieszkowanym

12. Podstawową metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest:

implantancja

topienie strefowe

transmutacja

13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:

MBE CVD

MOCVD

14. Złącze p-n jest podstawowym elementem:

warystora

fotodiody

termistora

15. Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:

elektronowy

jonowy

dipolowy

16. Na straty w dielektrykach przy napięciu przemiennym ma wpływ ich:

przewodność

indukcyjność

polaryzacja

2. Wiązania międzyatomowe metaliczne polegają na:

polaryzacji cząsteczek uwspólnieniu

elektronów

wymianie elektronów

3. W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:

dwuścienne

czterościenne

ośmiościenne

4. Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:

punktowym

liniowym

powierzchniowym

5. Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z materiałów:

f

erromagnetycznych

ferrimagnetycznych

paramagnetycznych

6. Materiał magnetycznie miękki powinien mieć małą wartość:

stratności

indukcji

nasycenia

natężenia koercji

7. Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:

FeO

Fe203

NiO

8. Przewodność elektryczna metali ma charakter:

pozytonowy

elektronowy

jonowy

9. Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się:

aluminium

miedź

karborund

10. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:

techniczne precyzyjne

grzejne

11. Dziury są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:

donorowo

akceptorowo

niedomieszkowanym

12. Topnienie strefowe materiałów półprzewodnikowych wiąże się z ich:

odparowaniem

oczyszczaniem

domieszkowaniem

13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:

MBE CVD

MOCVD

14. Temperaturowy współczynnik rezystancji materiałów półprzewodnikowych jest:

dodatni

ujemny

zerowy

15. W dielektrykach mogą występować następujące rodzaje polaryzacji:

dipolowa

atomowa