5

Postęp techniczny trwa od momentu pojawienia się człowie-

ka na Ziemi, służąc zaspokajaniu ludzkich potrzeb. Jedną
z nich jest chęć przekazywania i zdobywania informacji i – zda-
niem autora – ona właśnie spowodowała rozwój elektroniki.
Z uwagi na niezaprzeczalną obecność elektroniki w codzien-
nym życiu, pojęcie to stało się słowem-kluczem, którego sens
jest zazwyczaj trudny do sprecyzowania. Z pewnością możemy
zaryzykować twierdzenie, że wiek XX to wiek elektroniki (specja-
liści z innych dziedzin powiedzą, że nie tylko – również będą
mieli rację). Spróbujmy zatem w sposób najprostszy zdefinio-
wać tę elektronikę. Jest to dziedzina wiedzy i techniki wykorzy-
stująca do realizacji swoich celów elektron, jego zachowanie
w próżni, gazach i ciałach stałych. Elektronika to zatem różno-
rodne przyrządy elektronowe: lampy próżniowe, tranzystory,
układy scalone, fotodetektory, diody świecące, lasery itp. Ale
elektronika to także urządzenia i systemy elektroniczne, które
bez tych przyrządów istnieć by nie mogły (radioodbiornik, tele-
wizor, komputer, Internet, telefonia komórkowa itd.).

W tabelach 1 i 2 podano niektóre (arbitralnie przez autorów

wybrane) ważniejsze wydarzenia z dziejów elektroniki (w tym
wiążące się z elektroniką – nagrody Nobla). Ma to na celu nie
tylko przypomnienie historii. Jednym bowiem z celów tego
opracowania jest pokazanie z okazji 75-lecia miesięcznika Prze-
gląd Telekomunikacyjny tego, co na świecie się działo i dzieje.

Zanim przejdziemy do historii, przyjrzyjmy się jednak bliżej

uproszczonej strukturze przemysłu elektronicznego, przedsta-
wionej na rys. 1.

Na szerokim szczycie tej struktury są, oczywiście, finalne pro-

dukty – systemy elektroniczne, poniżej układy i przyrządy pół-
przewodnikowe, bez których systemy te nie mogłyby być reali-
zowane, wreszcie aparatura technologiczna oraz kontrolno-po-
miarowa. Na samym dole znajdują się materiały, głównie krzem,
ale nie tylko.

Nie podajemy tutaj przykładów liczbowych, ale można zary-

zykować twierdzenie, że udział półprzewodników w globalnej
sprzedaży systemów elektronicznych wynosi ok. 25%. Udział
ten wciąż zresztą rośnie i w niektórych systemach komunikacji
ruchomej (przenośnej) sięga 50% ich wartości finalnej. Wydaje
się, że podział „systemy – układy” będzie się trochę zacierał
w związku z udanymi próbami realizacji systemów na płytce
krzemowej (SOC – System On Chip). Jedną z sił napędowych
tego kierunku rozwoju jest chęć uzyskania dostępu do informa-
cji (w różnej postaci) w dowolnym miejscu i czasie. Wymaga to
dużej szybkości i funkcjonalności układów przy małych ich roz-
miarach i niskim poborze mocy. Sprzeczne wymagania stawia-
ne układom stosowanym do zaspokojenia tej potrzeby pokaza-
no na rys. 2. System na strukturze to jednak nie tylko coraz do-
skonalsze i bardziej funkcjonalne układy, ale także integracja
wiedzy, co schematycznie przedstawiono na rys. 3. Dalszą ewo-
lucję w tym zakresie może spowodować technologia SOI (Sili-

con-On-Insulator) stwarzająca szansę budowy układów (syste-
mów) „wielopiętrowych” (trójwymiarowych). Zademonstrowała
to w ostatnim okresie firma Intel.

Trudno jest określić, kiedy rozpoczęła się era elektroniki: po-

dobno termin elektron wprowadził w 1891 roku irlandzki na-
uczyciel George J.Stoney, a świat naukowy przyjął powszech-
nie istnienie elektronu po ukazaniu się pracy Josepha J.
Thomsona opublikowanej w Philosophical Magazine w 1897 ro-
ku. Nie przypisujmy elektronice Guglielmo Marconiego, bo za-
raz ogarnie nas pokusa włączenia do tej dziedziny także Ale-
xandra G. Bella, Samuela Morse’a i Heinricha Hertza. Warto
przy tym pamiętać, że chociaż są oni uważani obecnie za wiel-
kich wynalazców, ich osiągnięcia nie zawsze były doceniane
przez współczesnych.

Genialny wynalazek A.G.Bella – tele-

fon – został pogardliwie określony przez szefa firmy Western
Union jako elektryczna zabawka. Odbiór naukowych osiągnięć
wśród szerokich warstw społeczeństwa też bywał różny. Znako-
micie i wszechstronnie wykształcony Heinrich Hertz (Platona
i tragedie greckie czytywał w oryginale, chętnie recytował Ho-
mera i Dantego) sporo czasu poświęcał także innym, jakże
praktycznym zajęciom: szkicował, modelował, był biegłym sto-
larzem i tokarzem. Kiedy rzemieślnik, który go tego tokarstwa
kiedyś nauczył, usłyszał o jego profesorskiej nominacji, wy-
krzyknął: „Jaka wielka szkoda – przecież ten chłopak mógł zo-
stać tokarzem z prawdziwego zdarzenia”.

Uznajmy zatem z pokorą, że telegraf i telefon poprzedziły

elektronikę i określmy jej początek na rok 1907, kiedy to Lee
De Forest wynalazł triodę. Chwała nowej ery na tym nie ucier-
pi, możliwości powstałe bowiem w tej dziedzinie przez wprowa-
dzenie lamp elektronowych były i są zbyt oczywiste, aby je
przeoczyć czy też zapomnieć nawet w wieku nanoelektroniki.
Do tej pory mówiliśmy o tym, jak odbierali osiągnięcia naukowe
ludzie nie zajmujący się nauką. Dla porównania warto przypom-
nieć spojrzenie wielkich uczonych na możliwości rozwoju nauki
i techniki. De Forest powiedział kiedyś, że bez względu na
wszystkie przyszłe osiągnięcia nauki człowiek nigdy nie wylądu-
je na Księżycu. Kontrowersje, które pojawiły się ostatnio
w związku z lądowaniem na Księżycu, świadczą być może nie

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

Andrzej JAKUBOWSKI*, Lidia ŁUKASIAK*

O telekomunikacyjnych pożytkach

z elektroniki wynikających

* Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki

Warszawskiej, e-mail: [e-mail]

O

O

Rys. 1. Struktura przemysłu elektronicznego

6

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

1906

1909

1921

1923

1928

1932

1956

1964

1966

Joseph J. Thomson

Gugliemo Marconi,
Carl F. Braun

Albert Einstein

Robert A. Millikan

Owen W. Richardson

Irving Langmuir
(chemia)

Wiliam Shockley,
John Bardeen,
Walter H. Brattain

Charles H. Townes,
Nikołaj G. Basow
Alexander
M. Prochorov

Alfred Kastler

Za teoretyczne i doświadczalne
prace nad przewodnictwem
elektrycznym gazów

Za osiągnięcia w dziedzinie roz-
woju telegrafii bezprzewodowej

Za osiągnięcia w dziedzinie fizy-
ki teoretycznej oraz odkrycie
praw opisujących efekty foto-
elektryczne (stworzył teoretycz-
ne podstawy maserów i laserów)

Za pionierskie prace związane
z określaniem ładunku elektronu
oraz zaobserwowanie i wyjaśnie-
nie efektu fotoelektrycznego

Za eksperymentalne i teoretycz-
ne prace w dziedzinie termoemi-
sji, a w szczególności zapropo-
nowanie formuły opisującej ten
efekt (prawo Richardsona wyko-
rzystywane także aktualnie do
opisu niektórych przyrządów
półprzewodnikowych)

Za wybitne osiągnięcia w dzie-
dzinie chemii powierzchni (a dla
elektroniki: lampy elektronowe,
wysoka próżnia, efekty po-
wierzchniowe w ciałach stałych)

Za prace badawcze w dziedzinie
półprzewodników, a w szczegól-
ności odkrycie efektu tranzysto-
rowego (tranzystor ostrzowy, 16
grudnia 1947 r.), a także realiza-
cję i teorię złącza P-N i tranzysto-
ra złączowego (BJT)

Za fundamentalne prace w dzie-
dzinie elektroniki kwantowej
w szczególności zaś odkrycie
masera i lasera

M.in. za odkrycie możliwości
optycznego pompowania pozio-
mów energetycznych, a w kon-
sekwencji stworzenie podstaw
do uzyskiwania inwersji obsa-
dzeń w ośrodkach wzmacniają-
cych promieniowanie elektro-
magnetyczne (masery, lasery)

O

O

Tabela 1. Nagrody Nobla w dziedzinie fizyki (elektronika)

1972

1973

1981

1985

1986

1987

1997

2000

John Bardeen,
Leon N. Cooper,
Robert J. Shrieffer

Leo Esaki,
Ivar Glaever,
Brian D. Josephson

Nicolas Bloembergen,
Artur L. Schawlow,
Kai M. Siegbahn

Klaus Von Klitzing

Ernst Ruska,
Gred Binnig,
Heinrich Rohrer

Georg Bednarz,
Alexander Müller

Steven Chu,
Claude
Cohen-Tannoudji,
William D. Philips

Zhores I. Alferov,
Herbert Kroemer,
Jack S. Kilby

Za opracowanie teorii nadprze-
wodnictwa

Za teoretyczne i doświadczalne
prace w dziedzinie efektów tune-
lowych w

półprzewodnikach

i nadprzewodnikach (dioda tu-
nelowa – dioda Esaki; złącze
Josephsona

Za osiągnięcia w dziedzinie
spektroskopii laserowej oraz
spektroskopii elektronowej o wy-
sokiej rozdzielczości

Za odkrycie kwantowego efektu
Halla (precyzyjny wzorzec rezy-
stancji, być może zastosowanie
w nowych generacjach przyrzą-
dów półprzewodnikowych)

Za fundamentalne prace w dzie-
dzinie optyki elektronowej oraz
realizację pierwszego mikrosko-
pu elektronowego (E. Ruska),
także za opracowanie pierwsze-
go mikroskopu tunelowego

Za odkrycie wyskotemperaturo-
wego nadprzewodnictwa w ma-
teriałach ceramicznych

Za stwierdzenie możliwości
schładzania i pułapkowania ato-
mów promieniowaniem lasero-
wym (uzyskiwanie ultraniskich
temperatur, wzorzec częstotli-
wości)

Za pionierskie prace w dziedzi-
nie heterostruktur półprzewodni-
kowych wykorzystywanych w ul-
traszybkich przyrządach mikro-
elektronicznych oraz nowych
generacjach przyrządów opto-
elektronicznych (Z. I. Alferov, H.
Kroemer)

Za koncepcję i wytworzenie
pierwszego układu scalonego
(dzieliłby tę nagrodę z Robertem
N. Noycem, gdyby ten nie zmarł
w 1990 r.) (J. S. Kilby)

O

O

Rys. 2. Schematyczna ilustracja wymagań stawianych systemom przenośnym w dobie komunikacji

multimedialnej

tyle o braku wyobraźni, co o wiel-
kiej przenikliwości uczonego...

Jak już wspomnieliśmy wcze-

śniej, De Forest wynalazł triodę
próżniową. Nazwał on (a ściślej
zrobił to jego asystent Carl D.
Babcock) swoje cudowne dziec-
ko audionem (z łac. audio, audire
– słyszeć; w owych czasach „sły-
szeć poruszanie się elektryczno-
ści”). Umawiamy się zatem, że
audion (trioda próżniowa) to po-
czątek elektroniki. Warto jednak
pamiętać, że nie byłoby elektroni-
ki bez dokonań sprzed 1907 r.
Mamy zatem wiele szacunku dla
Karla F.Browna i G.

Marconiego,

dlatego otrzymane przez nich na-
grody Nobla (1909) wymieniliśmy
wśród tych, które przyczyniły się

7

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

Rezystor

Fotorezystor

Lampa Brauna

Radio I (radiotelegrafia, radiotelefonia)

Lampy elektronowe

(Lee De Forest)

Metoda Czochralskiego (monokrystalizacja)

Radio II (Superheterodyna)

Pierwsza publiczna rozgłośnia radiowa

Ikonoskop

Emisja światła z SiC (węglika krzemu)

Kineskop

Powstaje IBM

Utworzone zostają Laboratoria Bella

Magnetron

Cienkowarstwowy MESFET (idea)

(J. E. Lilienfeld)

Pentoda

Cienkowarstwowy MOSFET (idea)

TV

Orthicon

Magnetron wielownękowy

Klistron

Lampa z falą bieżącą

Komputer ENIAC

Tranzystor bipolarny

(J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley)

Monokryształy Ge

Vidicon

Monokryształy Si

Diody świecące (LED)

Tranzystor polowy złączowy (JFET)

Radio III (tranzystorowe)

TV kolorowa

Krzemowe ogniwo słoneczne

MASER (Ch. H. Townes, N. G. Basow,

A. M. Prochorow)

Monokryształy GaAs, InAs

Złącze P-N (GaAs)

Tyrystor

Tranzystor heterozłączowy (HBT)

Układ scalony (J. Kilby, R. N. Noyce)

Dioda tunelowa

MOSFET

Pierwszy komercyjny bipolarny układ

scalony (Fairchild)

Tranzystor cienkowarstwowy (TFT)

LASER

(T. Maiman) (A. Javan)

LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY

(R. N. Hall, M. Nathan, N. Holonyak,

R. H Rediker)

Komercyjne układy scalone

1826

1876

1897

1887÷1901

Dioda (1904)

Trioda (1907)

1917

1918

1920

1923

1923

1924

1924

1925

1926

1926

1928

1928

1934÷1937

1939

1939

1939

1945

1946

Ostrzowy (1947)

Warstwowy (1948)

(BJT)

1949

1950

1951

1951

1952

1953

1953

1953

1954

1954

1955

1956

1957

1958÷1959

1958

1960

1961

1961

rubin 1960

He-Ne 1961

GaAs

1962

GaAs P

bipolarne 1961

MOS 1964







Złącze Josephsona

C MOS

Koncepcja laserów heterozłączowych

(Z. A. Alfierow, H. Kroemer)

Pierwszy komercyjny układ scalony MOS

(RCA)

SOS (krzem na szafirze)

MESFET

Laser gazodynamiczny

1T DRAM (jednotranzystorowa komórka

pamięci DRAM)

Powstanie firmy INTEL

Laser heterozłączowy

Laser praca ciągła T = 300 K

CCD (Charge Coupled Devices)

Epitaksja z wiązki molekularnej (MBE)

ISFET (Ion Sensitive FET)

Lasery z nałożonym sprzężeniem

zwrotnym

Mikroprocesor

Dioda z rezonansem tunelowym (RTD)

Laser ekscimerowy

PC

Ogniwo słoneczne (krzem amorficzny)

Gyrotron

Laser ze studnią kwantową

Laser na swobodnych elektronach

SOI (krzem na izolatorze)

Laser emitujący powierzchniowo

(VCSEL)

HEMT (High Electron Mobility Transistor)

Optoelektroniczne układy scalone (OEIC)

CD wchodzi na rynek – laser

λ = 780 nm

BJT (Diament)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

MESFET (SiC)

Tranzystor 1-elektronowy (SET)

Laser – Promieniowanie X

Mikrosystemy (MEMS)

HBT (SiGe)

(hererozłączowy tranzystor bipolarny)

HEMT (Diament)

MOSFET (Diament)

BiCMOS (HBT – SiGe)

Laser plazmowy

DVD wchodzi na rynek – laser

λ = 635 nm

Niebieski laser (GaN)

Elektronika molekularna

SON Krzem na „niczym”

Krzem świeci!!!

Nowy tranzystor? – nanorurki węglowe

Krzemogerman – nowy SiGe HBT

f

max

≈ 400 GHz (laboratorium)

Terahercowy tranzystor MOS SOI

(laboratorium)

1962

1963

1963

1964

1964

1966

1966

1967

1968

1969

1970

1970

1971

1971

1971

1971

1974

1974

1975

1976

1977

1977

1977

1978

1979

1980

1980

1982

1982

1982

1984

1985

1985

1985

1988

1991

1992

1993

1993

1995

1995

1996

1999

2001

2001

2002

2002

O

O

Tabela 2. Historia odkryć w dziedzinie elektroniki

do rozwoju elektroniki, choć ją, zgodnie z naszą definicją, po-
przedzały.

K.F.Braun skonstruował w 1897 roku lampę kato-

dową (zwaną także lampą Brauna). Każda lampa kineskopowa
(także oscyloskopowa) zawiera w sobie ślad działalności tego
wybitnego fizyka. Zasługi G. Marconiego jako twórcy radiofonii
i radiotelegrafii są ogólnie znane. Można wszakże zaryzykować
stwierdzenie, że jego genialny wynalazek – radio – rodził się
dwa razy. Drugi raz – dzięki triodzie De Foresta, heterodynie
Reginalda A.Fessendena, sprzężeniu zwrotnemu i superhete-
rodynie Edwina H.Armstronga oraz nadajnikom Ernesta F.

W.

Alexandersona (przepraszamy tych, których pominęliśmy).
Zresztą i sporów o pierwszeństwo było niemało (m.in.: G. Mar-
coni, Leo Solari, Paolo Castelli, Olivier Lodge, Edouard Branly,
Jagadis Ch. Bose – detektor; De Forest, Armstrong – układ
sprzężenia zwrotnego).

I tak się to zaczęło. A kiedy „w szranki” wstąpił krzem (jego

nie zabraknie, Ziemia jest wszakże planetą krzemową), rozpo-
czął się szybki rozwój elektroniki półprzewodnikowej i mikro-
elektroniki. Jego rezultaty obserwujemy dziś i z nim wiążemy
nadzieje na przyszłość: 256 Gbit DRAM na powierzchni kilku (?)
– kilkunastu (?) cm

2

w 2018 roku? To byłoby dwa razy tyle, ile

„ciał niebieskich” zidentyfikowano w naszej galaktyce... No, ale
nie wybiegajmy jeszcze w przyszłość. Nie od razu tak się stało.
W lipcu 1958 roku John Kilby z firmy Texas Instruments,
a w styczniu 1959 roku Rober Noyce z firmy Fairchild, prezen-
tują niezależnie różne koncepcje realizacji układu scalonego
(spór prawny pomiędzy Texas Instruments i Fairchild zakończył
się w połowie lat 60. przyznaniem obu wynalazcom praw twór-
ców układu scalonego). Rok 1960 przynosi wreszcie praktycz-
ną, krzemową realizację tranzystora polowego typu MOS (zno-

8

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

O

O

Rys. 3. System na strukturze – integracja układów i wiedzy

Tyle o zamierzchłej historii. Faktem jest, że bez lampy De Fo-

resta nie byłoby współczesnej (na owe czasy) radiotechniki i te-
lewizji. Wróćmy jednakże do głównego wątku tej wstępnej czę-
ści historycznej i postawmy, być może kontrowersyjną, tezę: by-
ły trzy kamienie milowe (na coś trzeba się zdecydować)
w rozwoju elektroniki wyznaczone przez lampę Lee De Foresta,
tranzystor Williama Shockleya, Johna Bardeena i Waltera H.
Brattaina oraz maser (laser) Charlesa Townesa, Nikołaja G. Ba-
sowa i Aleksandra M. Prochorowa (rys. 4).

Zatrzymajmy się na chwilę przy tranzystorze. J. Bardeen i W.

Brattain zrobili sobie piękny prezent na Święta Bożego Naro-
dzenia 1947 roku, tranzystor ostrzowy urodził się bowiem 16
grudnia tegoż roku [2]. Już w następnym roku W. Shockley (23
stycznia 1948 r.; zgłoszenia patentowe 26 czerwca 1948 r.) za-
proponował rewolucyjną koncepcję tranzystora złączowego
(BJT – Bipolar Junction Transistor). W 1949 roku ukazała się je-
go fundamentalna, podstawowa do dziś dla elektroniki półprze-
wodnikowej, praca: The theory of p-n junctions in semiconduc-
tors and p-n junction transistors [3]. Ale nie tylko złącze p-n i bi-
polarny tranzystor złączowy zawdzięczamy Shockleyowi. To był
wielki przełom, ale pojawiły się potem dalsze idee. Powstały no-
we przyrządy (m. in.: złącze p-i-n, struktura p-n-p-n, tranzystor
polowy, złączowy JFET, koncepcja heterostruktur...), nowe tech-
nologie, nowe rozwiązania układowe – w sumie 90 patentów.
Wielu badaczy wspominało potem ze smutkiem, że kiedy wyda-
wało im się, iż dokonali właśnie poważnego odkrycia, okazywa-
ło się, że Shockley, niestety, był pierwszy.

W tej samej instytucji badawczej (Laboratoria Bella), w rok po

tranzystorze, czyli w 1948 r., pojawiła się teoria informacji Clau-
de’a Shannona. Shannon, jako jeden z pierwszych, pojął donio-
słość kodu binarnego i proroczo twierdził, że ciągami zer i jedy-
nek da się opisać tekst, obraz i dźwięk. Twierdzenie o próbko-
waniu to fundament technik cyfrowych. Osiągnięcia Shannona
w niezwykle ciekawy i kompetentny sposób opisał niedawno
w PTiWT Jerzy Szabatin [4]. Wróćmy zatem do elektroniki.

O

O

Rys. 4. Kamienie milowe w rozwoju elektroniki XX wieku. Twórcy

rewolucji elektronicznej

9

wu Laboratoria Bella). Pojawiają się pierwsze komercyjne ukła-
dy scalone i bipolarne (1961) i MOS (1964).

W 1965 roku Gordon Moore [5] (jeden z założycieli firm Fair-

child – 1957 i Intel – 1968) formułuje pierwszą wersję swojego
„prawa” opisującego tempo wzrostu liczby elementów w ukła-
dach scalonych (podwojenie co 12 miesięcy) rewiduje je dzie-
sięć lat później [6]. W tej ostatecznej formie brzmi ono: liczba
elementów w układach scalonych podwaja się co 18 miesięcy.
Ilustrację tego prawa przedstawiamy na rys. 5.

zaś w roku 1933 Oskar Heil zgłosił patent na przyrząd będący
także pierwowzorem tranzystora MOSFET (ściślej biorąc tranzy-
stora TFT). Pomysły te, delikatnie mówiąc, nie wzbudziły entu-
zjazmu. O ile rozwiązania proponowane przez J. Lilienfelda by-
ły raczej nierealizowalne w owym czasie, o tyle pomysł O. He-
ila, jego propozycje materiałowe – chyba tak. Jakże inaczej
mogłaby się potoczyć historia elektroniki. Shockley dopiero po-
bierał wówczas nauki bądź w szkole średniej (pierwsze zgłosze-
nie patentowe Lilienfelda), bądź też w Massachusetts Institute
of Technology (zgłoszenie patentowe Heila).

Powróćmy jednakże do dnia dzisiejszego i popatrzmy nieco

w przyszłość. Dzień dzisiejszy mikroelektroniki to zdecydowana
dominacja krzemu i technologii CMOS. Przepowiednie rychłe-
go zmierzchu mikroelektroniki krzemowej wydają się mocno
przesadzone. Zdumiewające, że pomimo wszystkich sygnalizo-
wanych zagrożeń dla jej rozwoju, postęp odbywa się od wielu
lat w podobnym tempie [7, 8]:
M

co 3 lata pojawia się nowa generacja układów (technologii),

M

każda nowa generacja umożliwia 4-krotny wzrost pojemności

pamięci i 2–3-krotny wzrost liczby elementów w układach lo-
gicznych,
M

co dwie generacje technologii (6 lat) wymiar charakterystycz-

ny maleje dwukrotnie,
M

co dwie generacje technologii podwaja się między innymi

szybkość bramek logicznych, powierzchnia struktur, liczba wy-
prowadzeń sygnałowych.

Technologia ta „uruchomiła” swoje rezerwy: heterostruktury

z krzemogermanem (może także SiC i SiGeC) i supersieci,
krzem na izolatorze (SOI), a ostatnio także krzem na „czymkol-
wiek” (SOA – Silicon-On-Anything) czy też krzem na „niczym”
(SON – Silicon-On-Nothing). Rezerwy „klasycznej” technologii
krzemowej, jeśli nie wydarzy się nieszczęście, sięgają 2016 ro-
ku [9]. Jeżeli w dodatku krzem porządnie zaświeci (lasery krze-
mowe), powstanie realna szansa na wymarzoną od lat rzeczy-
wistą integrację mikroelektroniki i optoelektroniki. Już dzisiaj
pojedyncze krzemowe tranzystory MOS osiągają w laborato-
riach częstotliwości graniczne ponad 1 THz (tranzystory oparte
na związkach A

III

-B

V

, w szczególności struktury HEMT w obni-

żonych temperaturach to, być może, jeszcze większe częstotli-
wości, ale i znacznie większe koszty). W układach o większej
złożoności częstotliwości te są znacznie niższe (efekty pasożyt-
nicze, sieć połączeń). Optyczna sieć połączeń wewnątrz układu
byłaby nową rewolucją. Szybsze, złożone układy (systemy) to
perspektywa realizacji nowych funkcji. Może wreszcie da się
z tym komputerem po ludzku pogadać... Co mogą nam przy-
nieść układy trójwymiarowe lub układy krzemowe z logiką wie-
lowartościową? Nieunikniony jest także marsz w stronę nano-
elektroniki [10]. Nie chodzi tu tylko o rozmiary struktur, one już
dzisiaj są niekiedy nanometrowe – chodzi o nową generację
przyrządów, a wśród nich m. in. wykorzystanie elektroniki jed-
nego elektronu (tranzystor 1-elektronowy) i jego spinu (tranzy-
stor spinowy), tunelowania (diody i tranzystory z rezonansem
tunelowym, supersieci, złącza Josephsona, magnetorezystan-
cja tunelowa...), a także wykorzystanie molekuł chemicznych
(elektronika molekularna). Dzisiaj pracuje się nad tym w labora-
toriach, ale jutro...? Ostatnio koncern IBM doniósł o opracowa-
niu technologii nanorurek węglowych, stwarzających szansę na
realizację struktur tranzystorowych o rozmiarach atomowych,
kilkaset razy mniejszych od współczesnych tranzystorów krze-
mowych (Science, 27 kwietnia 2001).

Wspomnijmy jeszcze o drugim potężnym narzędziu elektro-

niki – optoelektronice. Maser (protoplasta lasera) urodził się
6 lat po tranzystorze, a jego „dziecko” – laser to druga po tran-
zystorze rewolucja w ostatnim 50-leciu.

Dysponowanie niszczącym promieniem światła było jednym

z najstarszych marzeń ludzkości. Mogło ono być podstawą sta-

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

Wzrost ten zawdzięczamy maleniu wymiaru charakterystycz-

nego, wzrostowi powierzchni struktur oraz udoskonaleniom
(efektywności upakowania). Prawo to na trwałe wpisało się w hi-
storię rozwoju elektroniki i często jest przywoływane także w in-
nych sytuacjach (możliwości komputerów i Internetu podwajają
się odpowiednio co 18 i 12 miesięcy, od ponad 20 lat pojem-
ność sieci podwaja się co 18 miesięcy...).

Nie bez powodu krzem można nazwać nośnikiem informacji

obecnej epoki. Zróbmy takie, może ryzykowne, porównanie.
W dziedzinie nośników informacji wydarzyły się w odstępie 500
lat dwie rewolucje: Johan Gutenberg

→ William Shockley, drew-

no

→ piasek; kartka papieru → płytka krzemowa; ryza papieru

→ monokryształ krzemu; drukarnia → fabryka krzemowa;
korekta

→ testowanie; tekst, język → układy logiczne; wydaw-

nictwa artystyczne, niskonakładowe edycje

→ układy spec-

jalizowane; gazety, tanie książki wielkonakładowe

→ układy

standardowe itd.Może to przesada, ale coś w tym jest.

No i na dodatek ten cudowny dar natury, krzem, wspomagany
nauką i techniką, zaświecił (Nature, 8 marca 2001 r.). Nie popa-
dajmy jednak w zachwyt. W innych materiałach proces świece-
nia zachodzi w sposób naturalny, a różnorodność związków
półprzewodnikowych pierwiastków trzeciej i piątej grupy układu
okresowego stwarza (uwzględniając także azotki) możliwość re-
alizacji pełnej gamy kolorów. Tymczasem krzem, w celu uzyska-
nia świecenia, trzeba nieco zdeformować, a, jak wiadomo, po-
prawianie natury rzadko się opłaca.

W historii nauki i techniki często się zdarza, iż nowe wynalazki

powstają akurat wtedy, gdy stają się nieodzowne dla powstają-
cych właśnie nowych dziedzin techniki. Tak było z lampą De Fo-
resta, tak też było z tranzystorem Shockleya. Po nich zwykle na-
stępuje eksplozja nowych pomysłów i udoskonaleń. W przypad-
ku lampy De Foresta były to szybkie postępy w dziedzinie
techniki wysokiej próżni oraz katod lamp, w przypadku tranzysto-
ra Shockleya – nowe przyrządy, monokryształy, nowe procesy...

Bywało też inaczej. W latach 1926–1928 Julius E. Lilienfeld

(urodzony we Lwowie w 1882 roku) zgłosił 5 patentów, wśród
których były pierwowzory tranzystorów MESFET i MOSFET,

O

O

Rys. 5. Prawo Moore’a: liczba elementów w układach scalonych

podwaja się co 18 miesięcy. Oznaczenia: 1 – wzrost powierzchni
struktury, 2 – zmniejszenie szerokości linii, 3 – udoskonalenie obwo-
dów i pojedynczych przyrządów

rożytnej, prawdopodobnie apokryficznej legendy o tym, że Ar-
chimedes był w stanie podpalić okręty nieprzyjacielskie używa-
jąc dużych zwierciadeł do odbijania i ogniskowania światła sło-
necznego (była i szlachetniejsza, znakomita koncepcja Polbiu-
sza, dotycząca wykorzystania sygnałów ogniowych i dymnych
w telegrafii optycznej [11]). Marzenie to zostało spełnione (przy-
najmniej po części) dopiero w dwudziestym wieku. W 1917 ro-
ku Albert Einstein odkrył i opisał zjawisko emisji wymuszonej.
Dzisiaj wiemy, że zjawisko to stało się podstawą działania gene-
ratorów spójnego promieniowania elektromagnetycznego. Jed-
nak na uruchomienie pierwszego masera (generatora promie-
niowania elektromagnetycznego z zakresu mikrofal) musieliśmy
jeszcze zaczekać około 35 lat. W 1954 r. niezależnie w Stanach
Zjednoczonych (Charles H.Townes z Uniwersytetu Columbia
i John Weber z Uniwersytetu Maryland) oraz w Związku Ra-
dzieckim (Nikołaj G. Basow i Aleksander M. Prochorow z Insty-
tutu Fizyki Akademii Nauk im. Lebiediewa w Moskwie) został
uruchomiony maser. Byliśmy świadkami wielkiego przełomu,

o mocach od pojedynczych mikrowatów do mocy przekracza-
jących terawaty, pracujących w sposób ciągły lub impulsowy,
gdy czasy trwania impulsu dochodzą do pojedynczych femto-
sekund (tzw. superkrótkie impulsy). Oczywiście w ramach tego
opracowania trudno byłoby choćby wspomnieć o reprezentan-
tach poszczególnych typów laserów. Zatrzymajmy się może na
chwilę przy półprzewodnikowym laserze złączowym – struktu-
rze bliskiej elektronikom i optoelektronikom. Laser taki powstał
jesienią 1962 roku prawie jednocześnie w trzech laboratoriach:
General Electric Co., International Business Machines Corp.
oraz w Lincoln Laboratory w Massachusetts Institute of Techno-
logy. Pierwsze struktury laserowe, pracujące impulsowo w tem-
peraturze ciekłego azotu – żyjące kilkanaście minut, wymagają-
ce prądów zasilania na poziomie kiloamperów i generujące
wiązkę o słabej jakości – nie wzbudziły zachwytu ekspertów.
Wręcz przeciwnie, sformułowali oni opinię, iż badania nad lase-
rami półprzewodnikowymi prowadzą w ślepy zaułek, nie wróżą-
cy sukcesu. Na szczęście słowa ekspertów nie osłabiły zapału

10

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

O

O

Rys. 6. Malenie wymiaru charakterystycznego technologii mikroelektronicznych (nanoelektronicznych). Historia i przewidywania

który w gruncie rzeczy uzmysłowił nam, jak łatwo generować
silne, koherentne wiązki promieniowania elektromagnetyczne-
go (na razie w zakresie mikrofal).

Twórcy techniki maserowej, nie do końca usatysfakcjonowa-

ni swoim bezspornym sukcesem, postawili sobie następne za-
sadnicze pytanie – czy możliwe jest osiągnięcie na tej drodze
podobnego efektu w optycznym zakresie fal, a więc czy możli-
wa jest budowa „optycznego masera” – lasera. Uruchomienie
akcji laserowej w zakresie optycznym przypadło w udziale Tho-
masowi H.Maimanowi.

W 1960 roku w laboratorium Hughes

Aircraft Company uzyskał on efekt laserowy w krysztale synte-
tycznego rubinu. W ten sposób po raz pierwszy wykorzystano
zjawisko emisji wymuszonej do generacji fali świetlnej o niespo-
tykanej do tej pory spektralnej gęstości mocy oraz dużym stop-
niu spójności czasowej i przestrzennej.

Okres, który upłynął od uruchomienia pierwszego lasera po

dzień dzisiejszy, był okresem niezwykle burzliwego rozwoju
technik laserowych. Zbudowano setki typów laserów, w których
generację promieniowania uzyskano w ośrodkach o wszystkich
stanach skupienia (gazach, parach, cieczach, ciele stałym, ze-
stalonych gazach). Generują one promieniowanie w zakresie
długości fal rozciągających się od dalekiej podczerwieni (tj. kil-
kuset mikrometrów) do fal rentgenowskich (tj. nanometrów),

badaczy pracujących nad udoskonalaniem laserów złączo-
wych. Prace te rozwijały się równolegle i niemal w równym tem-
pie w laboratoriach amerykańskich i laboratoriach dawnego
Związku Radzieckiego (w szczególności Instytucie Ioffego
w Sankt Petersburgu i Instytucie Lebedeva w Moskwie). Wspo-
mnina o tym jeden z twórców lasera półprzewodnikowego
N.Holonyak w swojej obszernej pracy poświęconej 35-leciu na-
rodzin tego typu laserów [12]. Prace Alferova i Kroemera zosta-
ły w 2000 roku uhonorowane nagrodą Nobla. Rozwój technolo-
gii materiałów półprzewodnikowych oraz dynamiczny rozwój
technologii planarnych zaowocował pojawieniem się bihetero-
struktur i nieco później struktur ze studniami kwantowymi, cha-
rakteryzujących się bardzo dużą sprawnością działania i możli-
wością pracy ciągłej w temperaturze pokojowej. To triumf tech-
nologii związków półprzewodnikowych (jednak nie tylko krzem)
i inżynierii przerwy energetycznej. Dzisiaj lasery półprzewodni-
kowe stanowią największą rodzinę laserów (ok. 70% wartości
produkcji wszystkich laserów), generujących promieniowanie
o mocach od mikrowatów do kilku watów w zakresie długości
fal obejmującym przedział od głębokiej podczerwieni do pro-
mieniowania niebieskiego, bez których bardzo trudno się
obejść zarówno w różnorodnych zastosowaniach specjalistycz-
nych, jak i komercyjnych. Trudno sobie wyobrazić współczesną

11

telekomunikację bez laserów półprzewodnikowych i światłowo-
dów. Nie czujemy się jednakże dostatecznie kompetentni, by
opisywać tę dziedzinę bardziej szczegółowo. Usprawiedliwia
nas również fakt, że niedawno w PTiWT ukazała się seria zna-
komitych artykułów przeglądowych Bogdana Mroziewicza, po-
święcona półprzewodnikowym laserom telekomunikacyjnym
[13,14].

Uzyskanie wiązki laserowej, tj. strumienia światła o niespoty-

kanych do tej pory cechach, dało początek nowym dziedzinom
nauki, takim jak elektronika kwantowa, optyka nieliniowa, spek-
troskopia laserowa, chemia laserowa itd. Dało także początek
wielu gałęziom wiedzy mającym duże znaczenie dla techniki,
w tym holografii, optyce fourierowskiej, optycznemu przetwa-
rzaniu informacji (między innymi przy użyciu komputerów
kwantowych), optoelektronice zintegrowanej, fotonice, nowym
metodom tworzenia i obróbki materiałów, a także nowym tech-
nikom pomiarowym (zarówno na poziomie mikro-, jak i makro-
świata). Lasery zrewolucjonizowały systemy łączności, oferu-
jąc możliwości tworzenia kanałów przesyłu informacji o nie-
osiągalnych do tej pory pojemnościach (przekraczających
terabity) zabezpieczonych kryptografią kwantową. Technika
laserowa otworzyła nową epokę w biologii i medycynie, dając
diagnostyce i terapii niezwykle wygodne narzędzie. Stała się
też obecna w zastosowaniach o charakterze czysto komercyj-
nym (np. w tzw. show-biznesie). Nie sposób również pominąć
zastosowań specjalnych, w których techniki laserowe – zarów-
no na poziomie taktycznym, jak i strategicznym – stały się nie-
zastąpione w tworzeniu różnych systemów militarnych.

Dalszy rozwój technik laserowych jest związany z pokonywa-

niem barier mocy, tworzeniem systemów laserowych o wielkich
mocach (między innymi na potrzeby syntezy jądrowej), jak
i wiarygodnych źródeł jednofotonowych (kryptografia kwanto-
wa, komputery kwantowe) oraz z pokonaniem bariery czasu –
wygenerowaniem impulsów attosekundowych, uzyskaniem
spójnych wiązek twardego promieniowania rentgenowskiego
(i o krótszej długości fali), miniaturyzacją mikro- i nanostruktur
laserowych pracujących bezprogowo. Może w niedalekiej przy-
szłości będziemy świadkami powstania spójnych źródeł innego
rodzaju promieniowania, np. fal akustycznych czy fal grawita-
cyjnych, powodujących podobne przełomy, do dokonanych
przez laser w dwudziestym stuleciu.

Miniaturyzacja to wspólny mianownik tendencji rozwojo-

wych mikroelektroniki i optoelektroniki. Małe jest nie tylko
piękne. Małe jest inne. Dochodzimy do prób wykorzystania
praw podstawowych rządzących cząstkami elementarnymi,
czyli fotonem i elektronem. Chcemy wykorzystać zjawiska
kwantowe do realizacji nowych generacji nanoprzyrządów
elektronicznych i fotonowych. Wróćmy znowu do mikroelek-
troniki. Jeśli wymiar charakterystyczny (szerokość linii) będzie
malał w dotychczasowym tempie (rys. 6), to ok. 2016 roku
wyczerpią się klasyczne rozwiązania przyrządowe mikroelek-
troniki. Należy mieć nadzieję, że nowe przyrządy nanoelektro-
niki będą już w „produkcyjnej formie”, a dalej... przyrządy
kwantowe, przyrządy o rozmiarach atomowych. Mamy nadzie-
ję, że nowe generacje przyrządów będą zwiększać możliwości
przetwarzania i przesyłania informacji. Były lampy, były tranzy-
story, jest mikroelektronika i laser, zaczyna się era nanoelek-
troniki i fotoniki. Co dalej? Nie umiemy na to pytanie odpowie-
dzieć.

Tym ogólnym, z pewnością niepełnym i ułomnym, tekstem

autorzy chcieli przypomnieć to, co wydarzyło się w wieku XX
w elektronice. Przegląd Telekomunikacyjny wiernie tym wyda-
rzeniom towarzyszył.

Przedstawione wydarzenia to arbitralny wybór autorów arty-

kułu, daty także mogą być dyskusyjne. Mam nadzieję, że
Czytelnik wybaczy nam błędy i usterki.

LITERATURA

[1] Jakubowski A.: Elektronika w R.Z.Morawski (red.

) „Wczoraj, dziś

i jutro Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki War-
szawskiej”, Warszawa 2001

[2] Bardeen J., Brattain W. H.: The transistor – a semiconductor triode,

Phys. Rev., vol. 74, 1948

[3] Shockley W.: The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n

junction transistors, Bell Syst. Tech. J., vol. 28, 1949

[4] Szabatin J.: Era informacyjna a teoria Shannona, Przegląd Telekomu-

nikacyjny i Wiadomości Telekomunikacyjne, t. 73, nr 4, 2000

[5] Moore G.E.

: Cramming more components onto integrated circuits,

Electronics, vol. 38, no. 8, 1965

[6] Moore G.E.

: Progress in digital integrated electronics, IEDM Proc.,

1975

[7] Jakubowski A.: Mikroelektronika krzemowa – dokąd zmierzamy?,

Elektronika, t.36, nr 2, 1995

[8] Peercy P.S.

: The drive to miniaturization, Nature, vol.406, 2000

[9] Semiconductor Industry Association International Technology Road-

map for Semiconductors, San Jose, CA, SIA, 2001

[10] Majkusiak B.: Nanoelektronika, Elektronika, t.42, nr 1, 2001
[11] Lubacz J.: Telekomunikacja w R.Z.Morawski (red.

) „Wczoraj, dziś

i jutro Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki War-
szawskiej”, Warszawa, 2001

[12] Holonyak N.: The semiconductor laser: a thirty-five-year perspective,

Proc.

IEEE, vol.85, no.11, 1997

[13] Mroziewicz B.: Półprzewodnikowe lasery telekomunikacyjne, cz. I:

Lasery o stałej długości fali, Przegląd Telekomunikacyjny i Wiadomo-
ści Telekomunikacyjne, t.75, nr 4, 2002, cz. II: Lasery przestrajalne,
Przegląd Telekomunikacyjny i Wiadomości Telekomunikacyjne,
t.75, nr 5, 2002

[14] Mroziewicz B.: Lasery półprzewodnikowe o przestrajalnej długości

fali: perspektywy aplikacji w sieciach optycznych, Przegląd Teleko-
munikacyjny i Wiadomości Telekomunikacyjne, t.75, nr 3, 2002

(Artykuł nadesłano do red. – listopad 2002)

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY

ROCZNIK LXXVI

nr 1/2003

W zeszycie

Przegl¹du Teletechnicznego

nr 4 z 1928 roku czytamy:

...