Gliwice, 19.03.2009r.
Laboratorium z elektroniki
i miernictwa
Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne.
Sekcja 2.
Baszczok Krzysztof
Drzewiecki Michał
Momot Łukasz
1. Cel ćwiczenia.
Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z: teorią wyjaśniającą działanie oraz z podstawowymi
modelami, budową i parametrami technicznymi przydządów optoelektronicznych takich jak
fotorezystor oraz fotodioda. Program ćwiczenia obejmuje zdejmowanie charakterystyk statycznych
oraz wykorzystanie tych pomiarów do wyznaczania parametrów technicznych badanych
przydządów.
2. Pomiary, schematy, charakterystyki.
a)Fotorezystor
b
)Fotodioda
E[lux]
20
20,3
2,61
53
<10
0,86M
25
25,6
3,85
98,56
10
0,1M
30
30,7
5,25
161,1
24
24,5m
35
35,8
6,8
243.44
60
8,16k
40
40,9
8,53
348.9
110
3,46k
I
nast
[mA]
I
ż
[mA]
U
ż
[V]
P
ż
[mW]
R [
Ω
]
3. Wnioski.
Pomiary które otrzymaliśmy są zbliżone do charakterystyk podręcznikowych.
Charakterystyki te nie odbiegają kształtem od oczekiwanych, więc uważamy, że nie
popełniliśmy żadnego znaczącego błędu.
E = 40
E = 85
E =140
0,1
-1,35
-1,36
0,1
-2,36
-2,37
0,1
-3,4
-3,41
0,2
-1,19
-1,21
0,2
-2,18
-2,22
0,2
-3,26
-3,28
0,3
2,39
2,36
0,3
1,58
1,55
0,3
1,24
1,21
0,4
62
61,6
0,4
154,5
154,46
0,4
15,95
15,91
-2
-1,6
-1,4
-2
-2,64
-2,62
-2
-3,7
-3,5
-4
-1,8
-1,4
-4
-2,8
-2,4
-4
-3,94
-3,54
-6
-2,02
-1,42
-6
-3
-2,4
-6
-4,16
-3,56
-8
-2,22
-1,42
-8
-3,29
-2,49
-8
-4,38
-3,58
-10
-2,43
-1,43
-10
-3,5
-2,5
-10
-4,56
-3,56
I
nast
= 35mA
I
nast
= 40mA
I
nast
= 45mA
I
Ż
= 35,1 mA
I
Ż
= 39,6 mA
I
Ż
= 43,9 mA
U
Ż
= 6,11 V
U
Ż
= 7,49 V
U
Ż
= 8,72 V
P
Ż
= 214,46
P
Ż
= 296.6
P
Ż
= 382,8
U
D
[V]
I
A
[
µ
A]
I
D
U
D
[V]
I
A
[
µ
A]
I
D
U
D
[V]
I
A
[
µ
A]
I
D