Definicje wybranych parametrów tranzystorów unipolarnych
Definicje techniczne:
UP  napięcie odcięcia, stosowane dla tranzystorów PNFET, takie napięcie
bramki, przy którym prÄ…d drenu osiÄ…ga wartość 10 µ
µA.
µ
µ
UT  napięcie progowe, stosowane dla tranzystorów MOS normalnie
wyłączonych, takie napięcie bramki, przy którym prąd drenu osiąga
wartość 10 µ
µA.
µ
µ
UGS(OFF)  napięcie odcięcia (wyłączenia), stosowane do tranzystorów MOS
normalnie załączonych, takie napięcie bramki, przy którym prąd drenu
osiÄ…ga wartość 10 µ
µA.
µ
µ
Definicje fizyczne:
UP  napięcie odcięcia, stosowane dla tranzystorów PNFET, takie napięcie
bramki, przy którym nastąpi zamknięcie kanału i przestanie płynąć prąd
drenu.
UT  napięcie progowe, stosowane dla tranzystorów MOS normalnie
wyłączonych, takie napięcie bramki, przy którym zachodzi silna inwersja,
powodująca powstanie kanału łączącego z
ródło z drenem.
UGS(OFF)  napięcie odcięcia, stosowane do tranzystorów MOS normalnie
załączonych, takie napięcie bramki, przy którym następuje wyłączenie
kanału i przestaje płynąć prąd drenu.
Parametry małosygnałowe (dotyczy tranzystorów PNFET oraz MOS):
gds  konduktancja wyjściowa, określana jako stosunek przyrostu prądu
drenu "ID do przyrostu napięcia drenu "UDS przy ustalonym napięciu bramki
UGS.
gm  transkonduktancja, określana jako stosunek przyrostu prądu drenu "ID
do przyrostu napięcia bramki "UGS przy ustalonym napięciu drenu UDS.
"ID
gds = przyUGS = const.
"UDS
"ID
gm = przyUDS = const.
"UGS