Dodatek B
Systemy oznaczeń
scalonych układów
pamięciowych
Układy pamięci wytwarzane są obecnie przez stosunkowo szerokie grono producentów.
Prognozy rozwoju rynku komputerowego nie przewidujÄ… nasycenia w tej dziedzinie,
gdyż zapotrzebowanie na pamięć wydaje się nie mieć granic. Nowe i coraz to potężniejsze
procesory powodują wzrost popytu, a rozmiary programów dawno już przestały być
optymalizowane pod względem zajmowanej przestrzeni. Zbyt optymistyczne szacowa-
nia niektórych potentatów wywołały jednak powracający co pewien czas problem nad-
produkcji, huśtawek cenowych i konieczność zamykania (choćby jedynie czasowego)
części linii produkcyjnych.
W chwili obecnej rynek podzielony jest pomiędzy następujących wytwórców: Fujitsu,
Goldstar (LGS), Hitachi, Hyundai, IBM, Micron, Mitsubishi, Mosel Vitelic, NEC, OKI,
Samsung, Siemens (Infineon) i Toshiba. Texas Instruments odstąpił swoje udziały w zakre-
sie produkcji układów pamięciowych firmie Micron. Z branży wycofała się Motorola,
ale wyprodukowane przez nią układy są nadal używane. Zdecydowana większość produ-
centów trzyma się w miarę jednolitego systemu oznaczeń, składającego się z przedrostka
identyfikującego wytwórcę oraz kilku następujących po nim cyfr (tabela B.1). Wyjątek
stanowiÄ… produkty firm Samsung i Micron.
Układy DRAM
Znaki xxx lub xxxx (grupa trzy- lub czterocyfrowa) reprezentują kod danego układu pa-
mięci. Najczęściej spotykane kombinacje (w systemie jednolitym) zebrano w tabeli B.2.
WyjÄ…tki
Od prezentowanego poniżej standardu odbiegają systemy oznaczeń stosowane przez
firmy Samsung i Micron.
. 1241
1242 Anatomia PC
Tabela B.1. Wykaz prefiksów oznaczeń układów pamięci DRAM
Oznaczenie
Prod cent
Pamięć FPM Pamięć EDO
Goldstar 5 V GM71C(S) xxxx 0 GM71C(S) xxxx 3
Goldstar 3,3 V GM71V(S) xxxx 0 GM71V(S) xxxx 3
Goldstar 2,35 V GM71VL xxxx 0 GM71VL xxxx 3
Hitachi HM51 xxxx 0 HM51 xxxx 5
Hyundai HY51 xxxx 0 HY51 xxxx 4
HY53 1000(A)
IBM IBM01xxxx 0 IBM01xxxx5
Mitsubishi M5M4 xxxx M5M4 xxxx5
Mosel Vitelic 5 V V53C3 xxxx V53C3 xxxx
Mosel Vitelic 3,3 V V53C5 xxxx V53C5 xxxx
N•C mPD42(S) xxxx 0 mPD42(S) xxxx
Oki 5 V MSM51 xxxx 0 MSM51 xxxx 5
Oki 3,3 V MSM51 V xxxx 0 MSM51 V xxxx 5
Siemens 3,3 V HYB31 xxx 0,1 HYB31 xxx 5
Siemens 5 V HYB51 xxx 0,1 HYB51 xxx 5
Texas Instrument 3,3 V TMS42 xxxx 0 TMS42 xxxx 9
Texas Instrument 5 V TMS41 xxxx 0 TMS41 xxxx 9
Toshiba TC51 xxxx 0 TC51 xxxx 5
(A)
Kostki 1 Mb w organizacji 1M×1.
System oznaczeń firmy Samsung
Na stary1 system oznaczeń układów firmy Samsung składają się cztery podsystemy
dla poszczególnych typów układów pamięciowych: SDRAM, DRAM, DDRSDRAM
i RDRAM. W tym miejscu przedstawimy jedynie drugi (patrz tabela B.3) z nich:
KM 4 AA B CC D EE F G H  I JJ
System oznaczeń firmy Micron
Oznaczenie układów pamięci DRAM firmy Micron składa się z przedrostka (MT4LC
dla układów zasilanych napięciem 3,3 V lub MT4C dla układów zasilanych napięciem 5 V)
i symbolu określającego pojemność i organizację pamięci (tabela B.4).
1
Aktualnie obowiązujący nowy system jednolity rozpoczyna się od sygnatury K4 i zbudowany jest według
schematu {8 znaków}-{7znaków}. Szczegółowy opis znajduje się pod adresem: http://samsungelectronics.com/
semiconductors/dram/part_number_decoder/dram_component_new.htm.
1242 .
Dodatek B Systemy oznaczeń scalonych kładów pamięciowych 1243
Tabela B.2. Kody układów pamięci DRAM w systemie jednolitym
Pojemność Organizacja Odświeżanie RAS/CAS xxx(x)
4 Mb 4M×1 1k 11(10)/11 410(0)
4 Mb 1M×4 1k 10/11 440(0)
4 Mb 1M×4 1k 10/10 4×CAS 446(0)
4 Mb 512k×8 1k 10/9 480(0)
4 Mb 256k×16 512, 2CAS, 1W• 9/9 426(0)
4 Mb 256k×16 1k, 1CAS, 2W• 10/8 417(0)
4 Mb 256k×16 1k, 2CAS 416(0)
4 Mb 256k×16 512, 2W• 427(0)
16 Mb 16M×1 4k (1)610
16 Mb 16M×1 2k 12(11)/12 (1)710
16 Mb 4M×4 4k 12/10 (1)640
16 Mb 4M×4 4k 12/10, 4CAS (1)641
16 Mb 4M×4 2k 11/11 (1)740
16 Mb 2M×8 4k 12/9 (1)680
16 Mb 2M×8 2k 11/10 (1)780
16 Mb 1M×16 4k 12/8 (1)616
16 Mb 1M×16 1k 10/10 (1)816
64 Mb 16M×4 8k 13/11 6440
64 Mb 16M×4 4k 12/12 6540
64 Mb 8M×8 8k 13/11 6480
64 Mb 8M×8 4k 12/11 6580
64 Mb 4M×16 8k, 2CAS, 1W• 13/9 6416
64 Mb 4M×16 8k, 1CAS, 2W• 13/11 6417
64 Mb 4M×16 4k, 2CAS, 1W• 12/10 6516
64 Mb 4M×16 4k, 1CAS, 2W• 12/10 6517
64 Mb 4M×16 2k 6616
64 Mb 2M×32 4k, 2CAS 6532
64 Mb 2M×32 4k, 2W• 6533
64 Mb 2M×32 4k, 4CAS 6534
128 Mb 16M×8 8k 1280
128 Mb 16M×8 4k 1380
. 1243
1244 Anatomia PC
Tabela B.3. Znaczenie niektórych pól w opisie układów pamięci DRAM firmy Samsung
Pole Opis
KM Sygnatura firmy Samsung
4 Sygnatura DRAM
AA Organizacja:
1 = ×1 bit 16 = ×16 bitów
4 = ×4 bity 32 = ×32 bity
8 = ×8 bitów
B Napięcie zasilania:
C = 5,0 V U = 3,0 V
V = 3,3 V Q = 2,5 V
CC Głębokość:
25 = 256k×16 4 = 4M
51 = 512k×32 8 = 8M
1 = 1M 16 = 16M
D Odświeżanie:
0 = 1k (4M), 4k (16M), 8k (64M)
1 = 512 (4M), 2k (16M), 4k (64M)
2 = 1k (16M)
•• Typ:
0 = FPM 4 = •DO
3 = FPM, 4CAS 5 = •DO, 4CAS
F G H  I JJ Szczegóły nieistotne dla określenia organizacji
Tabela B.4. System oznaczeń układów pamięci DRAM firmy Micron
Oznaczenie
Pojemność Organizacja Odświeżanie RAS/CAS
Pamięć FPM Pamięć EDO
16 Mb 4M×4 4k 12/10 4M4A1 4M4•9
16 Mb 4M×4 2k 11/11 4M4B1 4M4•8
16 Mb 2M×8 2k 11/10 2M8B1 2M8•7
16 Mb 1M×16 1k 10/10 1M16C3 1M16•5
64 Mb 16M×4 8k 13/11 16M4A7 16M4G3
64 Mb 16M×4 4k 12/12 16M4T8 16M4H9
64 Mb 8M×8 8k 13/11 8M8•1 8M8P4
64 Mb 8M×8 4k 12/11 8M8B6 8M8C2
64 Mb 4M×16 4k, 2CAS, 1W• 12/10 4M16F5 4M16R6
1244 .
Dodatek B Systemy oznaczeń scalonych kładów pamięciowych 1245
Układy SDRAM
System oznaczeń układów pamięci SDRAM nie jest tak jasny i przejrzysty, jak ma to
miejsce w przypadku układów DRAM. Nawet firmy, które trzymają się z grubsza jed-
nolitego systemu, pozwalają sobie na odstępstwa od schematu. Mechanizm oznaczeń
składa się z przedrostka (prefiksu) identyfikującego producenta oraz następującego po
nim zestawu cyfr i ewentualnie liter (tabela B.5).
Tabela B.5. Wykaz prefiksów oznaczeń układów pamięci SDRAM
Prod cent Oznaczenie Prod cent Oznaczenie
Fujitsu MB 81 (F) xxxxx N•C mPD45 xxxxx
Goldstar GM72V xxxxx Oki MD56V xxxxx 0
Hitachi HM52 xxxxx Siemens HYB39S xxxxx
IBM IBM03(6) xxxxx (9,4) Texas Instrument TMS6 xxxxx
Mosel Vitelic V54C3 xxxxx Toshiba TC59S(M) xxxxx
Organizację układu pamięciowego SDRAM oznacza się zwykle za pomocą następują-
cego wyrażenia symbolicznego:
X×Y×Z
Czynnik X nazywany jest gęstością (Density) układu, Y stanowi głębokość, a Z informuje
o liczbie banków. Wartość iloczynu równa jest oczywiście całkowitej pojemności układu:
8M×4×2  ukÅ‚ad 64 Mb w podwójnym ukÅ‚adzie 4 matryc po 8 Mb każda.
512k×32(×1)  ukÅ‚ad 16 Mb, jeden bank, 32 matryce po 512 kb.
System jednorodny zbudowany jest wokół schematu:
AA BB C
gdzie:
AA  pojemność układu:
16 = 16 Mb (wyjÄ…tki: TI  26 zamiast 16 i Fujitsu  17 zamiast 16),
64 = 64 Mb,
28 = 128 Mb,
25 = 256 Mb.
BB  głębokość:
41 = ×4,
81 = ×8,
16 = ×16.
C  liczba banków.
. 1245
1246 Anatomia PC
Tabela B.6. Kody układów pamięci SDRAM w systemie jednolitym
Pojemność Organizacja xxxx Pojemność Organizacja xxxx
16 Mb 4M×4 164a$ 128 Mb 32M×4 284a$
16 Mb 2M×8 168a$ 128 Mb 16M×8 288a$
16 Mb 1M×16 1616a$ 128 Mb 8M×16 2816a$
16 Mb 512k×32 1632a$ 256 Mb 64M×4 25640
64 Mb 16M×4 644a$ 256 Mb 32M×8 25680
64 Mb 8M×8 648a$ 256 Mb 16M×16 25616
64 Mb 4M×16 6416a$ 256 Mb 8M×32 25632
64 Mb 2M×32 6432a$
$
a oznacza 1, 2, 4 lub 8
WyjÄ…tki
Wspomniane przy okazji omawiania systemu oznaczeń pamięci DRAM wyjątki dotyczą
również układów SDRAM (niestety, w dużo większym stopniu). Jak zwykle od reguły
odbiegają Samsung, Mitsubishi i Micron. W przypadku pozostałych producentów moż-
na napotkać różne anomalie, dlatego trudno jest podać jednolity i logicznie spójny sys-
tem. Sytuację pogarsza fakt, iż układy pamięci SDRAM występują w różnorodnych
konfiguracjach i odmianach. Liczba banków waha się w przedziale 1  4, odświeżanie
może pracować w trybie 2k, 4k, 8k lub 16k, a na to jeszcze nakładają się różne odmiany
sposobu Å‚amania adresu wiersza i kolumny (Mapping).
System oznaczeń firmy Samsung
W starym2 systemie dla pamięci SDRAM (patrz tabela B.7) oznaczenie ma następującą
formÄ™:
KM 4 AA S BB C D E F G H I J
System oznaczeń firmy Mitsubishi
Układy firmy Mitsubishi oznaczane są zgodnie ze schematem M xxxx, gdzie M jest sy-
gnaturą firmy Mitsubishi, a xxxx zależy od pojemności i organizacji układu pamięci
(tabela B.8).
System oznaczeń firmy Micron
Układy firmy Micron oznaczane są zgodnie ze schematem: MT48LC xxxx. MT49LC jest
sygnaturą układów SDRAM firmy Micron, zasilanych napięciem 3,3 V, a xxxx zależy
od pojemności i organizacji układu pamięci (tabela B.9).
2
Nowy system pod adresem: http://samsungelectronics.com/semiconductors/dram/part_number_decoder/
dram_component_new.htm.
1246 .
Dodatek B Systemy oznaczeń scalonych kładów pamięciowych 1247
Tabela B.7. Znaczenie niektórych pól w oznaczeniu układów pamięci SDRAM firmy Samsung
Pole Opis
KM Sygnatura firmy Samsung
4 Pamięć dynamiczna DRAM
AA Głębokość:
4 = ×4 bity 16 = ×16 bitów
8 = ×8 bitów 32 = ×32 bity
S Cecha: SDRAM
BB Gęstość:
1 = 1M 16 = 16M
2 = 2M 32 = 32M
4 = 4M 64 = 64M
8 = 8M 28 = 128M
Odświeżanie:
0 = 4k 2 = 8k
1 = 2k 3 = 16k
D Liczba banków:
2 = 2 banki 3 = 4 banki
• Interfejs:
0 = LVTTL/3.3 V 1 = SSTL_3/3.3 V 2 = SSTL_2/2,5 V
3 = LVTTL/2.5 V 4 = LVTTL/3,0 V 5 = SSTL/2,5 V
7 = ×4 pakiet 8 = ×4 pakiet 9 = ×8 pakiet
F, G, H, I, J Szczegóły nieistotne dla określenia organizacji.
Tabela B.8. System oznaczeń układów pamięci SDRAM firmy Mitsubishi
Pojemność Organizacja xxxx Pojemność Organizacja xxxx
16 Mb 4M×4 5M4V16S20 128 Mb 32M×4 2V28S20
16 Mb 2M×8 5M4V16S30 128 Mb 16M×8 2V28S30
16 Mb 1M×16 5M4V16S40 128 Mb 8M×16 2V28S40
64 Mb 16M×4 5M4V64S20 256 Mb 64M×4 2V25S20
64 Mb 8M×8 5M4V64S30 256 Mb 32M×8 2V25S30
64 Mb 4M×16 5M4V64S40 256 Mb 16M×16 2V25S40
. 1247
1248 Anatomia PC
Tabela B.9. System oznaczeń układów pamięci SDRAM firmy Micron
Pojemność Organizacja Refresh RAS/CAS Oznaczenie
16 Mb 4M×4, 2 banki 4k 11/10 4M4A1
16 Mb 2M×8, 2 banki 4k 11/9 2M8A1
16 Mb 1M×16, 2 banki 4k 11/8 1M16A1(2)
64 Mb 16M×4, 4 banki 4k 12/10 16M4A2
64 Mb 8M×8, 4 banki 4k 12/9 8M8A2
64 Mb 4M×16, 4 banki 4k 12/8 4M16A2
128 Mb 32M×4, 4 banki 4k 12/11 32M4A2
128 Mb 16M×8, 4 banki 4k 12/10 16M8A2
128 Mb 8M×16, 4 banki 4k 12/9 8M16A2
Układy RDRAM
Pamięci tego typu wytwarzane są przez nielicznych producentów. Niektóre z oznaczeń
zebrane zostały w tabeli B.10.
Tabela B.10. Wykaz niektórych prefiksów dla pamięci RDRAM
Prod cent Oznaczenie
Infineon (Siemens) HYB 25 M ... lub HYB 25 R ...
Samsung KM4 xx RD
Hyundai HY 5R
Tabela B.11. Znaczenie niektórych pól w systemie3 oznaczeń układów pamięci RDRAM firmy Samsung
Pole KM 4 AA RD CC ***
KM Sygnatura firmy Samsung
4 Sygnatura DRAM
AA Głębokość:
16 = ×16 bitów 18 = ×18 bitów
RD Sygnatura Direct-RDRAM
CC Gęstość:
2 = 2M 4 = 4M
8 = 8M 16 = 16M
*** Dalsze elementy oznaczenia nieistotne dla określenia organizacji
3
Jest to tzw. stary system. Nowy, jednolity dla wszelkich typów pamięci znajduje się pod adresem:
http://samsungelectronics.com/semiconductors/dram/part_number_decoder/dram_component_new.htm.
1248 .
Dodatek B Systemy oznaczeń scalonych kładów pamięciowych 1249
Tabela B.12. Znaczenie niektórych pól w oznaczeniu układów pamięci RDRAM firmy Hyundai
Pole HY 5R A BBB ***
HYSygnatura firmy Hyundai
5R Sygnatura RDRAM
A Zasilanie:
(brak) = 2,5 V W = 1,8 V
BBB Gęstość i odświeżanie:
64/72 = 64/72 Mb, 8k
128/144 = 128/144 Mb, 8k
256/288 = 256/288 Mb, 8k
*** Dalsze elementy oznaczenia nieistotne dla określenia organizacji
Układy DDR SDRAM
Pamięci tego typu wytwarzane są przez nielicznych producentów. Oznaczenia niektó-
rych producentów zebrane zostały w tabeli B.13.
Tabela B.13. Wykaz niektórych prefiksów dla pamięci DDR SDRAM
Prod cent Oznaczenie
Infineon (Siemens) HYB .. D
Samsung KM 4
Hyundai HY 5D
Tabela B.14. Znaczenie niektórych pól w oznaczeniu układów pamięci DDR SDRAM firmy Infineon
Schemat HYB AA D BBB CC ***
HYB Sygnatura firmy Infineon
AA Napięcie zasilania:
39 = 3,3 V 25 = 2,5 V
D Sygnatura DDR SDRAM
BBB Gęstość:
128 = 128 Mb 256 = 256 Mb 512 = 512 Mb
CC Głębokość:
40 = ×4 80 = ×8 16 = ×16
*** Dalsze elementy oznaczenia nieistotne dla określenia organizacji
. 1249
1250 Anatomia PC
Tabela B.15. Znaczenie niektórych pól w oznaczeniu układów pamięci DDR SDRAM firmy Samsung
Schemat KM 4 AA H BB C D ***
KM Sygnatura firmy Samsung
4 Sygnatura DRAM
AA Głębokość:
4 = ×4 bity 8 = ×8 bitów
16 = ×16 bitów 32 = ×32 bity
H Napięcie zasilania:
H = 3,3 V L = 2,5 V
BB Gęstość:
4 = 4M 8 = 8M 16 = 16M
32 = 32M 64 = 64M 12 = 128M
25 = 256M 51 = 512M 1G = 1G
2G = 2G 4G = 4G
C Odświeżanie:
0 = 64m/4k 15,6 µs 1 = 8M/2k 15,6 µs 2 = 128m/8k 15,6 µs
3 = 64m/8k 7,8 µs 4 = 128M/16k 7,6 µs
D Liczba banków:
3 = 4 banki 4 = 8 banków
*** Dalsze elementy oznaczenia nieistotne dla określenia organizacji
Tabela B.16. Znaczenie niektórych pól w oznaczeniu układów pamięci DDR SDRAM firmy Hyundai
Schemat HY 5D A BB CC D ***
HYSygnatura firmy Hyundai
5D Sygnatura DDR SDRAM
A Napięcie zasilania:
V = 3,3 V U = 2,5 V
BB Gęstość i odświeżanie:
64 = 64M/4k 66 = 64M/2k 28 = 128M/4k
56 = 256M/8k 12 = 512M/8k
CC Głębokość:
4 = ×4 bity 8 = ×8 bitów
16 = ×16 bitów 32 = ×32 bity
D Liczba banków:
1 = 2 banki 2 = 4 banki
*** Dalsze elementy oznaczenia nieistotne dla określenia organizacji
1250 .