1

.U\V]WDã

•

&LDáRVWDáHRXSRU]GNRZDQHMEXGRZLH

ZHZQWU]QHMLSRVWDFLZLHORFLHQQHM

•

6WUXNWXUDZHZQWU]QD- XSRU]GNRZDQD
we wszystkich kierunkach przestrzeni

.

.U\V]WDã

• Motyw struktury

–

SRZWDU]DQLHVLSHZQHJR]HVSRáXDWRPyZMRQyZ

OXEF]VWHF]HNZWU]HFKZ\PLDUDFKIL]\F]QHM
przestrzeni.

•

6WUXNWXUNU\V]WDáXPR*QDRGWZRU]\üSU]H]
przesuwanie jej motywu w trzech

QLH]DOH*Q\FKNLHUXQNDFKEH]GRNRQ\ZDQLD

REURWyZOXELQQ\FKSU]HNV]WDáFH

Skala Mohsa

diament

10

korund

9

topaz

8

kwarc

7

ortoklaz

6

apatyt

5

fluoryt

4

kalcyt

3

gips

2

talk

1

&LDãREH]SRVWDFLRZH

•

FLDáRVWDáH

•

EH]XSRU]GNRZDQHMVWUXNWXU\ZHZQWU]QHM

•

-HGQRURGQDPLHV]DQLQDVXEVWDQFMLWZRU]F\FK

MHGQID]

• gazowy – mieszaniny gazów

•

FLHNá\

– gaz

– ciecz

–

FLDáRVWDáH

Roztwór

ZãD$FLZ\

w cieczy

•

VWDá\

– gazy w metalach

–

FLDáRVWDáHZFLHOHVWDá\P

ZLHONRüF]VWHNnm

Rozpuszczalnik

• ogólnie

–

VNáDGQLNPLHV]DQLQ\MHGQRURGQHMEGF\
w nadmiarze w stosunku do innych

VNáDGQLNyZ

• potocznie

–

FLHF]HUR]SXV]F]DMFHLQQHVXEVWDQFMH

WZRU]FMHGQRURGQHMHGQRID]RZHPLHV]DQLQ\

FLHNáH

2

Roztwory koloidowe

Rozproszone uk

áady niejednorodne

–

RURGHNFLJá\ID]DUR]SUDV]DMFD

– faza rozproszona

→

→

drobne cz

stki lub czsteczki

zwi

zków wielkoczsteczkowych

•

F]VWNL÷ 200 nm

Roztwory koloidowe

• zol - faza rozproszona ciek

áa

•

*el - faza rozproszona staáa, wykazuje sztywnoü
postaci

Dyspersja

•

XNáDGZLHORID]RZ\

–

ID]DUR]SUDV]DMFD – FLJá\RURGHNSá\QQ\

(ciecz)

– faza rozproszona

–

GUREQHF]VWNL

]Z\NOHFLDáVWDá\FK

Dyspersja

• mikroskopowa

–

F]VWNL÷ 10 m

•

UR]WZyUZáDFLZ\

–

F]VWNL nm czyli < 0,001m

• roztwór koloidowy

–

F]VWNL÷ 200 nm czyli 0,001 ÷ 0,2 m

=$&+2:$1,(6,

#:,$7â$1$5Ð/1<&+

0$7(5,$â$&+

Przezroczysty

Przezroczysty

Przezroczysty

Przezroczysty

zabarwiony

zabarwiony

3yáSU]H]URF]\VW\

3yáSU]H]URF]\VW\

Nieprzezroczysty

Nieprzezroczysty

zabarwiony

zabarwiony

3

Czarny

Czarny

SHáQDDEVRUSFMD

SHáQDDEVRUSFMD

3U]HQLNDOQRü]DOH*\RGJUXERFL

3U]HQLNDOQRü]DOH*\RGJUXERFL

obiektu

obiektu

5RG]DMHRGELFLD$ZLDWãD

5RG]DMHRGELFLD$ZLDWãD

Odbicie lustrzane

Odbicie lustrzane

Odbicie dyfuzyjne (rozproszone)

Odbicie dyfuzyjne (rozproszone)

:VSyãF]\QQLN]DãDPDQLD

$ZLDWãD

6WRVXQHNSUGNRFLZLDWáDZSUy*QL

GRSUGNRFLZLDWáDZGDQ\P

RURGNX

n=v

1

/ v

2

:VSyãF]\QQLN]DãDPDQLD

$ZLDWãD

n=v

1

/v

2

v

1

v

2

P

Z

v

2

v

1

n=v

1

/v

2

= sin

P

/sin

Z

:VSyãF]\QQLNL]DãDPDQLD

$ZLDWãD

•

SUy*QLD

1

• powietrze

(warunki normalne)

1,0003

• woda

1,33

• lód

1,31

• diament

2,417

• kaolin

1,57

• ditlenek tytanu

(rutyl)

2,7

• celuloza

1,55

• lignina

1,61

• skrobia

1,57

/XVWU]DQHRGELFLH$ZLDWãD

K

t odbicia jest równy ktowi padania.

2EDNW\ le* w jednej páaszczy(nie.

4

2GELFLHZLDWáD

=DáDPDQLHZLDWáD

8JLFLHZLDWáD

3RFKáDQLDQLHZLDWáD

Adhezja

przyleganie

•

àF]HQLHVLZDUVWZSRZLHU]FKQLRZ\FK
dwóch obiektów lub faz doprowadzonych
do zetkni

cia.

•

:\QLNG]LDáDQLDUy*QHJRURG]DMXVLá
w warstwach powierzchniowych.

Kohezja

spójnoü

• Wzajemne przyci

ganie si czsteczek tej

samej substancji

•

=ZL]DQD z siáami midzy czsteczkami
lub atomami jednego rodzaju

5

•

3RZVWDZDQLHZSá\QDFKFLHF]DFKJD]DFK

QDSU*HVW\F]Q\FK]DOH*Q\FKRGSUGNRFL

RGNV]WDáFHQLDHOHPHQWXSá\QX

•

0LDUDWDUFLDZHZQWU]QHJR

• Jednostka miary [Pa

•

s]

/HSNR$þ

[mPa

•

s]

•

1LHP\OLü]JVWRFL>JFP

3

], [kg/m

3

] !!!

1DSLFLHSRZLHU]FKQLRZH

3UDFDZ-SRWU]HEQDGR]ZLNV]HQLDSRZLHU]FKQL
cieczy o 1 m

2

.

:\NRQ\ZDQDZEUHZVLáRPVSyMQRFLFLHF]\

Praca potrzebna do utworzenia jednostkowego pola
SRZLHU]FKQLUR]G]LDáXID]

Jednostka miary:

mN/m

1DSLFLHSRZLHU]FKQLRZH

Jednostka miary:

N •m

m

2

N

m

mN/m

J

m

2

Jednostka miary: mN/m

.W]ZLO0DQLD

1

c

-

QDSLFLHSRZLHU]FKQLRZHFLHF]\

ciecz

1

c

1

sc

FLDáRVWDáH

1

s

NW]ZLO*DQLD

,

1

s

-

QDSLFLHSRZLHU]FKQLRZHFLDáDVWDáHJR

1

sc

-

QDSLFLHSRZLHU]FKQLRZHQDJUDQLF\ID]

.W\]ZLO0DQLD

140

o

UWü– V]NáR

107

o

woda - parafina

90

o

woda - srebro

0

o

etanol -

V]NáR

0

o

woda -

V]NáR

.W]ZLO*DQLD,

Powierzchnia graniczna

Ciecz

]ZLO0D FLDãRVWDãH

FLDáRVWDáH

, = 0

o

, = 60

o

ciecz

FLDáRVWDáH

,

6

Ciecz trudno

]ZLO0DFLDãRVWDãH

, = 90

o

,

, = 120

o

FLDáRVWDáH

ciecz

,

ciecz

FLDáRVWDáH

Ciecz

QLH]ZLO0D FLDãD

VWDãHJR

, = 180

o

FLDáRVWDáH

ciecz

,

1DSLFLHSRZLHU]FKQLRZH

• woda

72,58 mN/m

• etanol

22,03 mN/m

•

UWü

471,6 mN/m

Uszlachetnianie
powierzchniowe

• Nanoszenie substancji chemicznych

QDSRZLHU]FKQLJRWRZHJRZ\WZRUX
papierniczego.

Cel uszlachetniania

powierzchniowego

• Poprawa:

–

Z\JOGXSDSLHUXOXEWHNWXU\

–

ZáDFLZRFLGUXNRZ\FK

–

ZáDFLZRFLZ\WU]\PDáRFLRZ\FK

–

QLHSU]HSXV]F]DOQRFL

•

1DGDZDQLHZáDFLZRFLVSHFMDOQ\FK

Powlekanie

•

1DQRV]HQLHQDSRZLHU]FKQLVXEVWDQFML

FLHNá\FK

– roztworów
– zawiesin
– past
– mas w stanie stopionym

Po wysuszeniu lub och

áodzeniu

–

SRZáRNDZQLNDZSRGáR*HZPDá\PVWRSQLX

7

Impregnowanie

• Traktowanie wytworu papierniczego

VXEVWDQFMDPLFLHNá\PL

•

=QDF]QDF]üW\FKVXEVWDQFMLZQLND

ZJáEZ\WZRUX

Laminowanie

(kaszerowanie)

•

àF]HQLH]HVRESRZLHU]FKQLco najmniej

GZyFKWZRU]\ZSáDVNLFK

–

]DSRPRFVXEVWDQFMLNOHMF\FK

–

ZZ\QLNXG]LDáDQLDFLHSáD

0HWDOL]RZDQLHSUy0QLRZH

• Napylanie warstewki metalu

QDSRZLHU]FKQLZ\WZRUXSDSLHUQLF]HJR

•

3URFHVRGE\ZDVLZZDUXQNDFKZ\VRNLHM

SUy*QL

PRZETWÓRSTWO

MECHANICZNE

=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX

wytworu papierniczego

• Wykrawanie –

Z\NRQ\ZDQLH]DSRPRF

QR*Di SRGNáDGNL

– otworów
– wykrojów

• Perforowanie – przekrawanie arkusza:

– na krótkich odcinkach
–

ZSHZQ\FKRGVWSDFKRGVLHELH

• Nacinanie –

SU]HFLQDQLHDUNXV]DQDF]FL

MHJRJUXERFL

=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX

wytworu papierniczego

• Nagniatanie (rowkowanie,

bigowanie)

–

Z\NRQ\ZDQLHURZNyZXáDWZLDMF\FK
zginanie bez uszkodzenia powierzchni
wytworu papierniczego

•

=DáDP\ZDQLH

– zginanie cienkich stosów papieru

8

=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX

wytworu papierniczego

•

&LFLHZ\FLQDQLH

–

SRPLG]\GZRPDQR*DPL

–

PLG]\QR*HPLSDSLHUHPEH]SRGNáDGNL

•

Z\UyZQ\ZDQLHEU]HJyZLREFLFLHDUNXV]\
na wymiar

•

FLFLH]ZRMyZQDbobiny

•

FLFLH]ZRMyZQDDUNXV]H

8WUZDODQLHNV]WDãWX

i formy przestrzennej wytworu

papierniczego

• szycie

• spinanie

• nitowanie

•

áF]HQLHVSU*\Q

• zgrzewanie

• sklejanie