Układy połączeń tranzystora n-p-n. - Umowny kierunek przepływu prądu W dowolnym układzie połączeń tranzystora prąd emitera jest sumą prądów bazy i kolektora: IE = IB + IC E B C IE IC + - n p n wejście wyjście UEB UCB IB - + wspólna baza OB IC + IE - E n n C IB IB + - wyjście wyjście p p B B UCE UEC wejście wejście n n C E UBE UBC IE IC - - + + wspólny emiter wspólny kolektor OE OC Modele warstwowe tranzystora n - p - n w ró\nych układach połączeń. W tranzystorze n-p-n elektrony jako nośniki większościowe są wstrzykiwane z emitera, przez złącze E-B, do bazy - tworząc prąd IE. W bazie, jako nośniki mniejszościowe, dyfundują przez jej obszar do warstwy zaporowej C-B. W warstwie zaporowej C-B są unoszone przez pole elektryczne do obszaru kolektora gdzie jako nośniki większościowe tworzą prąd IC. Prąd bazy IB powstaje w wyniku rekombinacji części elektronów w obszarze bazy. Prąd elektronowy płynie od emitera do kolektora.