Układy połączeń tranzystora n-p-n
IE
IC +
-
E C
WE UEB UCB WY
IB
B
-
+
OB
IC +
IE -
C
IB
E
IB
+
-
B
UCE WY
B
UEC WY
E
C
WE UBE
WE UBC
IE
IC
- -
+
+
OE OC
IE = IB + IC
W tranzystorze n-p-n elektrony jako nośniki większościowe są wstrzykiwane
z emitera, przez złącze E-B, do bazy - tworząc prąd IE.
W bazie, jako nośniki mniejszościowe, dyfundują przez jej obszar do
warstwy zaporowej C-B.
W warstwie zaporowej C-B są unoszone przez pole elektryczne do obszaru
kolektora gdzie jako nośniki większościowe tworzą prąd IC.
Prąd bazy IB powstaje w wyniku rekombinacji części elektronów w obszarze
bazy.
Prąd elektronowy płynie od emitera do kolektora.