Układy połączeń tranzystora n-p-n. - Umowny kierunek przepływu prądu

W dowolnym układzie połą czeń tranzystora prą d emitera jest sumą prą dów

bazy i kolektora:

IE = IB + IC

E

B

C

IE

IC

-

+

n

p

n

wejście wyjście UEB

I

UCB

B

+

-

wspólna baza

OB

IC

+

IE

-

n

C

n

E

I

I

B

+

B

-

p

B

wyjście p

B

wyjście UCE

UEC

wejście n

wejście E

n

C

UBE

UBC

IE

IC

-

-

+

+

wspólny emiter

wspólny kolektor OE

OC

Modele warstwowe tranzystora n - p - n w róż nych układach połą czeń .

W tranzystorze n-p-n elektrony jako noś niki wię kszoś ciowe są wstrzykiwane z emitera, przez złącze E-B, do bazy - tworząc prąd IE.

W bazie, jako noś niki mniejszoś ciowe, dyfundują przez jej obszar do warstwy zaporowej C-B.

W warstwie zaporowej C-B są unoszone przez pole elektryczne do obszaru kolektora gdzie jako noś niki wię kszoś ciowe tworzą prąd IC.

Prąd bazy IB powstaje w wyniku rekombinacji części elektronów w obszarze bazy.

Prą d elektronowy płynie od emitera do kolektora.