UGS > UT
G
SD
 N+  N+
kanał przewodzący
obszar zubożony
(warstwa inwersyjna)
podłoże  P
B
UGS > UT
G
UDS = UGS  UT
D
S
 N+  N+
odcięcie kanału
podłoże  P obszar zubożony
B
UGS > UT
G
UDS > UGS  UT
D
S
 N+  N+
odcięcie kanału
podłoże  P obszar zubożony
B
G
L = 6 µ
S D
SiO2
kontakt metalowy
G
S D
SiO2 SiO2
podłoże  P
W = 50
µ
tranzystor MOS HEXFET
metalizacja
z
ródło  N
SiO2
z
ródła
 P
bramka dren  N
prÄ…d diody
prÄ…d drenu prÄ…d drenu