Elektr/MOS-ws pr, 3s,175kB Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET Tranzystory unipolarne, w których bramka jest oddzielona od kanału cienką warstwą izolacyjną, najczęściej utworzoną z dwutlenku krzemu SiO2, noszą nazwę tranzystorów MOS i MOSFET. Rys.1. Budowa tranzystora MOSFET z kanałem typu p: a)wbudowanym (zubożanym normalnie załączony); b)indukowanym (wzbogaconym - normalne wyłączony) Tabela 1. TRANZYSTORY MOSFET 1 Tabela 2. 2 TRANZYSTORY POLOWE. Parametry graniczne. Parametry graniczne , których nie należy przekraczać: IDmax maksymalny prąd drenu (od kilku do kilkudziesięciu mA); IGmax maksymalny prąd bramki; UDS max maksymalne napięcie dren-zródło (od kilku do kilkudziesięciu V) lub UGS max - maksymalne napięcie bramka-zródło; Ptot max maksymalne straty mocy (od kilkudziesięciu do kilkuset mW). 3