Politechnika Śląska w Gliwicach, Wydział AEiI, Instytut Elektroniki,
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Laboratorium Elementów Elektronicznych, semestr III
Ćwiczenie : Własności temperaturowe półprzewodników
1. Pomiar parametrów temperaturowych diod półprzewodnikowych 5 min
w temperaturze pokojowej (OBOWI
ZKOWE)
f& Do zacisków modelu do badania wpływu temperatury na parametry elementów
półprzewodnikowych podł czyć mikroamperomierz, miliamperomierz oraz
woltomierz.
f& W układzie z Rys. 1.1 zmierzyć wartość napięcia stabilizacji UZ dla dwóch wartości
pr du SPM (5mA, 15mA):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- diod D4V7, D5V1, D6V8, D8V2, D10, D13,
DZG7 (sekcja pracuj ca na modelu starym -
br zowym);
- diod C4V7, C5V1, C6V8, C9V1, C10, DZG3
(sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.1
f& W układzie z Rys. 1.2 zmierzyć wartość napięcia przewodzenia UF dla dwóch
wartości pr du SPM (5mA, 15mA):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- diod BYP401, Dk 6, BYP680 (sekcja pracuj ca
na modelu starym - br zowym);
- diod BYT 56, BYP 680 50R, 1N4004, 1N4148
(sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.2
f& W układzie z Rys. 1.3 zmierzyć wartość pr du wstecznego IR dla dwóch wartości
napięcia SEM (5V, 15V):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- diod BYP401, DZG 7, Dk 6, BYP680 (sekcja
pracuj ca na modelu starym - br zowym);
- diod BYT 56, BYP 680 50R, DZG 3, 1N4004,
1N4148 (sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.3
2. Pomiar parametrów temperaturowych tranzystorów bipolarnych 10 min
w temperaturze pokojowej (OBOWI
ZKOWE)
f& W układzie z Rys. 1.4 lub 1.5 dokonać pomiaru napięcia baza-emiter UBE dla dwóch
wartości pr du SPM (5mA, 15mA):
© ® MateriaÅ‚y dydaktyczne Instytutu Elektroniki Politechniki ÅšlÄ…skiej, Gliwice, Paz
dziernik 2004
Politechnika Śląska w Gliwicach, Wydział AEiI, Instytut Elektroniki,
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Laboratorium Elementów Elektronicznych, semestr III
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów BDY 23, BUYP 52, BC 313,
BSXP 60, BC 211 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BC 107, BC 211, BD 135, BC
313, BD 355, BDX 18 (sekcja pracuj ca na
Rys. 1.4
modelu nowym - czarnym);
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów ADP 627, ADP 665, BD 354, BC
177, BC 527 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BD 354, 2N 3055, BC 177, ASZ
13 (sekcja pracuj ca na modelu nowym -
Rys. 1.5
czarnym);
f& W układzie z Rys. 1.6 lub 1.7 dokonać pomiaru pr du ICB0 dla dwóch wartości
napięcia SEM (5V, 15V):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów BDY 23, BUYP 52, BC 313,
BSXP 60, BC 211 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BC 107, BC 211, BD 135, BC
313, BD 355, BDX 18 (sekcja pracuj ca na
modelu nowym - czarnym);
Rys. 1.6
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów ADP 627, ADP 665, BD 354, BC
177, BC 527 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BD 354, 2N 3055, BC 177, ASZ
13 (sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.7
f& W układzie z Rys. 1.8 lub 1.9 dokonać pomiaru pr du ICE0 dla dwóch wartości
napięcia SEM (5V, 15V):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów BDY 23, BUYP 52, BC 313,
BSXP 60, BC 211 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BC 107, BC 211, BD 135, BC
313, BD 355, BDX 18 (sekcja pracuj ca na
modelu nowym - czarnym);
Rys. 1.8
© ® MateriaÅ‚y dydaktyczne Instytutu Elektroniki Politechniki ÅšlÄ…skiej, Gliwice, Paz
dziernik 2004 - 2 -
Politechnika Śląska w Gliwicach, Wydział AEiI, Instytut Elektroniki,
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Laboratorium Elementów Elektronicznych, semestr III
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów ADP 627, ADP 665, BD 354, BC
177, BC 527 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BD 354, 2N 3055, BC 177, ASZ
13 (sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.9
f& W układzie z Rys. 1.10 lub 1.11 dokonać pomiaru pr du ICES dla dwóch wartości
napięcia SEM (5V, 15V):
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów BDY 23, BUYP 52, BC 313,
BSXP 60, BC 211 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BC 107, BC 211, BD 135, BC
313, BD 355, BDX 18 (sekcja pracuj ca na
modelu nowym - czarnym);
Rys. 1.10
Pomiary należy wykonać dla następuj cych
elementów:
- tranzystorów ADP 627, ADP 665, BD 354, BC
177, BC 527 (sekcja pracuj ca na modelu
starym - br zowym);
- tranzystorów BD 354, 2N 3055, BC 177, ASZ
13 (sekcja pracuj ca na modelu nowym -
czarnym);
Rys. 1.11
3. Pomiar parametrów temperaturowych diod półprzewodnikowych 90 min
oraz tranzystorów bipolarnych w wyższych temperaturach
(OBOWI
ZKOWE)
f& Dla badanych diod i tranzystorów pomiary z punktów 1 i 2 powtórzyć dla temperatury
odpowiednio 30°C, 40°C, 50°C, 60°C oraz 70°C
W sprawozdaniu:
f& Narysować na jednym rysunku wykresy "UZi = f(T) dla wszystkich badanych diod
Zenera.
f& obliczyć współczynniki temperaturowe dla wszystkich diod
"Uzi mV
îÅ‚ Å‚Å‚
= i = 1 ... n;
i
ïÅ‚ śł
"T °C
ðÅ‚ ûÅ‚
f& obliczyć względny współczynnik temperaturowy dla wszystkich diod
%
îÅ‚ Å‚Å‚
i
TKUzi = i = 1 ... n;
Uzi ïÅ‚°C śł
ðÅ‚ ûÅ‚
© ® MateriaÅ‚y dydaktyczne Instytutu Elektroniki Politechniki ÅšlÄ…skiej, Gliwice, Paz
dziernik 2004 - 3 -
Politechnika Śląska w Gliwicach, Wydział AEiI, Instytut Elektroniki,
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Laboratorium Elementów Elektronicznych, semestr III
f& sporz dzić na jednym rysunku wykresy TKUzi jako funkcję napięcia Uzi
f& sporz dzić wykresy UF = f(T) badanych diod
f& sporz dzić wykresy IR = f(T) badanych diod
f& sporz dzić wykresy UBE = f(T) badanych tranzystorów
f& sporz dzić wykresy ICE0 = f(T) badanych tranzystorów
Uwaga ! W przypadku następuj cych po sobie zajęć laboratoryjnych niniejsze
ćwiczenie należy zakończyć ok. 20 minut przed regulaminowym końcem zajęć. W tym
czasie należy wł czyć wentylator chłodz cy elementy półprzewodnikowe w modelu. W
przypadku starszego modelu dodatkowo należy unieść do góry pokrywę przesłaniaj c
elementy w celu przyspieszenia ich schładzania.
© ® MateriaÅ‚y dydaktyczne Instytutu Elektroniki Politechniki ÅšlÄ…skiej, Gliwice, Paz
dziernik 2004 - 4 -