Ilość atomów domieszki przypadającą na jednostkę objętości
półprzewodnika nazywa się koncentracją domieszki. Przez ND oznacza się
koncentrację donorów, a przez NA koncentrację akceptorów.
Praktycznie w półprzewodnikach występują jednocześnie domieszki
donorowe i akceptorowe.
Je\
eli ND > NA, to taki półprzewodnik ma więcej elektronów ni\
dziur.
Półprzewodnik, w którym przewa\
a koncentracja elektronów lub występują
tylko elektrony nazywa się półprzewodnikiem typu  n .
Je\
eli NA > ND, to w takim półprzewodniku jest więcej dziur ni\

elektronów. Półprzewodnik, w którym przewa\
a koncentracja dziur lub
występują tyko dziury nazywa się półprzewodnikiem typu  p .
Je\
eli NA=ND, to koncentracja dziur równa jest koncentracji elektronów.
Tego rodzaju materiał nazywa się półprzewodnikiem  skompensowanym .
W określonych warunkach ma on podobne właściwości do półprzewodnika
samoistnego.
Centra generacyjno  rekombinacyjne
Oprócz wy\
ej wymienionych mo\
na spotkać domieszki, których atomy
lokalizują się w okolicy środka pasma zabronionego.
W [eV]
atomy centrów
generacyjno -
Pasmo przewodnictwa
rekombinacyjnych
Wc
Pasmo zabronione
Wv
Pasmo podstawowe (walencyjne)
x
Lokalizacja atomów centrów generacyjno  rekombinacyjnych na modelu pasmowym.