POLITECHNIKA RADOMSKA im. Kazimierza Pułaskiego WYDZIAŁ TRANSPORTU		LABORATORIUM ELEKTRONIKI		Data:
Wykonali:		Grupa:	Zespół:	Rok akademicki:
Temat:	Badanie tranzystora bipolarnego i unipolarnego.		Nr ćwiczenia: 2	Ocena:

Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystorów.

Układ do badania tranzystora bipolarnego:

Układ do badania tranzystora unipolarnego:

Tabele pomiarowe dla tranzystora bipolarnego typu BD-135.

IB	UBE	IC	UCE	IB	UBE	IC	UCE
[μA]	[V]	[mA]	[V]	[μA]	[V]	[mA]	[V]
10	0,503	0	0,041	300	0,65	0,5	0,003
10	0,55	0,1	0,008	300	0,66	3	0,02
10	0,6	0,43	0,099	300	0,67	12	0,06
10	0,6	0,56	2,010	300	0,69	15	0,07
10	0,6	0,58	3	300	0,7	24,5	1
10	0,6	0,58	4,010	300	0,71	36,8	5,5
10	0,6	0,58	5	300	0,72	38	10,2
10	0,6	0,6	10	400	0,65	1,22	0,007
50	0,59	0	0	400	0,66	2,62	0,01
50	0,61	0,35	0,02	400	0,67	11,2	0,04
50	0,63	0,8	0,04	400	0,69	20,1	0,07
50	0,64	1,4	0,05	400	0,7	25,5	0,09
50	0,65	1,9	0,06	400	0,71	30,2	0,1
50	0,65	2,9	0,08	400	0,71	44,5	0,2
50	0,65	4,7	0,18	400	0,72	50	6,1
50	0,67	4,8	0,52	400	0,73	51	10
50	0,67	4,8	2,21	500	0,64	2,5	0,03
50	0,67	4,9	10	500	0,68	7,5	0,04
100	0,62	1	0,01	500	0,68	11	0,05
100	0,64	1,5	0,03	500	0,69	14,5	0,07
100	0,65	3	0,05	500	0,7	23	0,1
100	0,66	4	0,064	500	0,71	36	0,2
100	0,67	7,5	0,1	500	0,73	58	0,5
100	0,68	10	0,14	500	0,73	63	1
100	0,68	11	0,2	500	0,73	63	5
100	0,68	11	1	500	0,73	65	10
100	0,68	11,3	5
100	0,68	11,3	10
200	0,64	0,5	0,008
200	0,657	2,5	0,03
200	0,667	5	0,044
200	0,67	7	0,056
200	0,68	10	0,074
200	0,69	12	0,084
200	0,7	16	0,1
200	0,7	22,5	0,2
200	0,7	23	1
200	0,7	23,5	5

[V]	[mA]	[μA]	[V]	[V]	[mA]	[μA]	[V]
5	0	0	0,004	10	0	0	0,004
5	0,6	10	0,6	10	0,6	10	0,6
5	2,2	25	0,64	10	2,3	26	0,64
5	5	50	0,66	10	4,05	41	0,65
5	8	75	0,67	10	7	65	0,67
5	11,2	100	0,68	10	8	75	0,67
5	17,3	150	0,69	10	11,2	100	0,68
5	23,7	200	0,7	10	17	150	0,69
5	30	250	0,71	10	25,2	200	0,7
5	38	300	0,72	10	31,5	250	0,7
5	51	400	0,73	10	38,5	300	0,71
5	64	500	0,73	10	52	400	0,72

Tabela pomiarowa dla tranzystora unipolarnego typu BF-245.

[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0,037	0	0,02	0,5	0	0,02	1	0,4	0,47	1,5	0,4	0,6	2	0,1	0,27
0,037	0,2	0,02	0,5	0,5	0,71	1	1,9	1,6	1,5	0,9	2,3	2	0,15	0,51
0,037	0,5	0,63	0,5	1,2	1,54	1	2,2	3,05	1,5	1	5,47	2	0,2	3,4
0,037	0,8	1,02	0,5	2	2,7	1	2,3	6,47	1,5	1,1	10,5	2	0,23	5,1
0,037	1,4	1,08	0,5	2,7	3,85	1	2,3	10,31	1,5	1,1	15,8	2	0,25	10,4
0,037	2	2,57	0,5	3,4	5,23	1	2,35	15,2	1,5	1,1	18,8	2	0,25	15,1
0,037	2,8	3,64	0,5	3,8	9,4				1,5	1,1	18,9	2	0,25	19			19
0,037	3,5	4,56	0,5	3,9	14,36
0,037	4,3	5,75	0,5	3,9	18,46
0,037	5,1	7,31
0,037	5,6	11,4
0,037	5,63	15,6

. --> [Author:RK]

Wnioski:

1. Charakterystyka wejściowa jest typowa jak dla diody (złącza p-n).

2. Prąd kolektora po przekroczeniu pewnego napięcia U_CE w zależności od I
   jest zależny tylko od prądu bazy.

3. Charakterystyka przejściowa stanowi niemal dokładnie linię prostą. Na jej podstawie możemy określić wzmocnienie prądowe .

4. Prąd drenu tranzystora unipolarnego zależy od wartości ujemnego napięcia U_GS, przy czym dla U_GS=0 jest on największy.

5. Ze względu na to, że złącze tranzystora unipolarnego pracuje w kierunku zaporowym ma on bardzo dużą rezystancję wejściową (rzędu GΩ), dzięki czemu prąd wejściowy praktycznie nie płynie.

6. Powyżej pewnej wartości napięcia U_DS prąd drenu zależy wyłącznie od napięcia U_GS

3

---