Robert Miszczak LTK

W poniższej tabeli przedstawione są wyniki dla rodziny charakterystyk wyjściowych tranzyztora 2N 3055 IC=f(UCE) przy IB=const.

Dla I_B=2000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
UCE [V]	0,04	0,09	0,21	0,29	0,39	0,48	0,63	0,71	1,04
IC [mA]	27	70	200	268	310	319	321	322	324

2	3	5	10	12	15
2,14	3,04	5,07	10,15	12,16	15,03
330	335	344	363	375	390

Dla I_B=3000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
UCE [V]	0,057	0,11	0,19	0,29	0,43	0,5	0,62	0,67	1,05
IC [mA]	40	90	190	275	410	429	435	436	439

2	3	5	10	12	15
2,06	3,1	5,1	10,12	12,06	15,16
445	452	463	493	504	521

Dla I_B=4000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
UCE [V]	0,05	0,11	0,20	0,33	0,39	0,50	0,59	0,69	1,03
IC [mA]	45	88	186	326	345	401	490	495	564

2	3	5	10	12	15
2,06	3,05	5,05	10,28	12,04	15,07
573	580	594	625	640	658

W tabelach zawarte są uzyskane wyniki dla rodziny charakterystyk wejściowych tranzystora 2N 3055 IB=f(UBE) przy UCE=const oraz dla rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora 2N 3055 IC=f(IB) przy UCE=const.

Dla U_CE= 5 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,59	1,02	2,03	3,04	4,06	5,05	6,05	8,00	9,02	10,08
UBE [V]	0,598	0,638	0,700	0,748	0,788	0,813	0,836	0,860	0,873	0,889
Ic [mA]	141	225	382	513	625	721	809	961	1029	1107

Dla U_CE= 10 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,66	1,08	2,02	3,05	4,01	5,04	6,09	8,06	9,08	10,01
UBE [V]	0,555	0,586	0,629	0,657	0,678	0,695	0,708	0,734	0,745	0,749
Ic [mA]	176	261	416	554	661	767	861	1012	1083	1145

Dla U_CE= 15 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,63	1,07	2,08	3,09	4,00	5,07	6,04	8,05	9,04	10,07
UBE [V]	0,494	0,526	0,573	0,604	0,617	0,630	0,640	0,663	0,687	0,693
Ic [mA]	195	286	458	594	695	798	880	1028	1090	1153

Wyznaczenie współczynnika wzmocnienia prądowego β dla różnych wartości napięcia UCE.

Korzystając z narysowanych charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego ,odczytałem wartości prądu kolektora I_C dla wartości napięcia U_CE podanych przez prowadzącego. Następnie obliczyłem współczynnik wzmocnienia prądowego tego tranzystora korzystając ze wzoru:

IB=2000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	322	328	330	336	342	346	350	352	355	358	360	365	369	372
β	-	161	164	315	168	171	173	175	176	177,5	179	180	182,5	184,5	186

IB=3000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	435	444	449	457	460	463	469	474	479	481	486	491	495	501
β	-	145	148	149,6	152,3	153,3	154,3	156,3	158	159,6	160,3	162	163,6	165	167

IB=4000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	557	569	576	581	589	592	598	604	608	615	619	625	631	632
β	-	139,2	142,2	144	145,2	147,2	148	149,5	151	152	153,7	154,7	156,2	157,7	158

Uważam ,że ćwiczenie wykonaliśmy poprawnie, ponieważ uzyskane charakterystyki badanego przez nas tranzystora są zgodne z wykresami teoretycznymi

Po wyznaczeniu wartości współczynnika wzmocnienia prądowego β ,stwierdzam ,że uzyskane wyniki są poprawne .Opierając się na wiadomościach teoretycznych ,że współczynnik wzmocnienia β jest zawsze znacznie większy od jedności.

Charakterystyka wejściowa. Kształt przebiegu jest zbliżony do charakterystyki diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Spowodowane jest to polaryzacją złącza B-E tranzystora w kierunku przewodzenia. Różnice przebiegu dla różnych U_CE spowodowane są występowaniem zjawiska Early'ego. Przy większym U_CE maleje efektywna grubość bazy i mniej nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy rekombinuje w jej objętości przez co maleje prąd bazy I_B.

Charakterystyka wyjściowa. W zakresie początkowym charakterystyka prądu IC szybko wzrasta. Tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia i przy U_CE>U_BE pracuje w obszarze aktywnym. W tym zakresie pracy zauważamy niemal stałą wartość prądu kolektora, która jest proporcjonalna do wartości prądu bazy (I_c=β₀I_B). Pewne nachylenie charakterystyki jest spowodowane występowaniem wspomnianego już zjawiska Early'ego. Wzrost wartości napięcia U_CE zmieniając efektywną grubość bazy zwiększa gradient koncentracji nośników w bazie, zwiększając tym samym składową dyfuzyjną prądu bazy, a następnie zwiększając wartość prądu kolektora.

Charakterystyka przejściowa. W przybliżeniu jest ona liniowa, zgodnie z równaniem I_C= β₀I_B. W moim przypadku jest ona delikatnie zaokrąglona, myślę że jest to spowodowane błędem pomiaru. Napięcie U_CE wpływa na tę zależność przez zmianę efektywnej grubości bazy. Podobnie było w przypadku omawianej już charakterystyki wejściowej.

---