1. Co to jest tranzystor rzeczywisty?

W tranzystorze rzeczywistym uwzględnia się wpływ zjawisk drugorzędnych, nieuwzględnionych w analizie tranzystora idealnego.

Rezystancje szeregowe.

Rezystywność obszarów neutralnych powoduje powstanie rezystancji szeregowych (rozproszonych), które występują między końcówkami tranzystora idealnego a rzeczywistego.

Największe znaczenie ma rezystancja szeregowa bazy r_b , która zależy od szerokości bazy. Im mniejsza szerokość bazy tym większa rezystancja. Nie jest liniowa. Wartości zawierają się w rzędzie od kilkunastu - kilkuset Ω.

Rezystancja szeregowa kolektora (r_c) jest określona przez rezystywność obu warstw typu n, tworzących kolektor. Użycie warstwy n⁺ silnie domieszkowanej zamiast warstwy n w pobliżu kontaktu kolektora zmniejsza tę rezystancję. Wartości są rzędu kilku Ω.

Rezystancja szeregowa emitera przyjmuje najmniejsze wartości gdyż jest to obszar silnie domieszkowany o niewielkiej grubości. Istotny wpływ ma rezystancja kontaktu i doprowadzeń. Wartość jest rzędu ułamka Ω.

Małe gęstości prądu.

Występuje zjawisko rekombinacji w złaczu przewodzącym ( złącze E-B - jak takie piwko).

Duże gęstości prądu.

Przy wzroście prądu kolektora w zakresie dużych prądów maleje współczynnik β oraz częstotliwość f_T - właściwości użytkowe stają się gorsze. Występuje :

- modulacja konduktywności bazy

• rozszerzanie bazy (efekt Kirke'a)

• quasi nasycenie

• samo-nagrzewanie

• zagęszczanie prądu emitera (przepływ znacznego prądu bazy powoduje niejednakową polaryzację poszczególnych części złącza emiterowego; części najbardziej oddalone od kontaktu bazy są polaryzowane najmniejszym napięciem wskutek spadku napięcia na rezystancji szeregowej bazy)

Prądy zerowe.

Są to prądy płynące przez tranzystor włączony w układzie dwójnika, tzn. przy polaryzacji 2 końcówek, bez oddzielnej polaryzacji końcówki 3-ej.

Zjawiska przebić (patrz następne pytanie)

Efekt napięciowej modulacji napięciowej bazy patrz pytanie 23.

---