Informatyka I
|
Szewczak Marcin |
Ocena: |
17.11.2008
|
Badanie charakterystyk statycznych tranzystora. |
Ćwiczenie nr. 21 |
Opis ćwiczenia:
Celem ćwiczenia jest pomiar statycznych charakterystyk tranzystora i wyznaczenie kilku jego podstawowych parametrów.
Triada półprzewodnikowa inaczej mówiąc tranzystor jest to kombinacja dwóch położonych blisko siebie złącz p-n w jednym krysztale półprzewodnika.
Urządzenie to składa się z emitera, kolektora i bazy. Tranzystor podczas pracy na złącze emiter - baza podaje się niewielkie napięcie w kierunku przewodzenia, a na złącze kolektor - baza stałe napięcie w kierunku zaporowym. Zmieniając napięcie emitera uzyskuje się zmiany prądu w obwodzie kolektora.
Stosunek zmian prądu kolektora
do zmian prądu emitera
nosi nazwę współczynnika wzmocnienia prądowego i oznaczony jest przez
przy UC=constans.
Współczynnik
określa jaka część prądu emitera w postaci nośników mniejszościowych w obszarze bazy dociera do kolektora. Opór elektryczny na złączu emiter - baza Reb jest mały w porównaniu z oporem na złączu kolektor - baza Rkb ponieważ pierwsze złącze spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia a drugie w kierunku zaporowym. Niech pod wpływem źródła sygnałów napięcie na złączu emiterowym zmieni się o wielkość
. Napięcie to spowoduje zmianę prądu emitera o
, gdzie
Zmieni się wówczas również prąd kolektora o
a zatem zmieniać się będzie napięcie na złączu kolektorowym:
Wzmocnienie napięciowe wyniesie:
Podobnie można wykazać, że wzmocnienie mocy Kp dla układu ze wspólną bazą wynosi w przybliżeniu
jest więc równe w przybliżeniu iloczynowi współczynników wzmocnienia prądowego
i napięciowego
. W praktyce najczęściej stosuje się trzy sposoby połączenia tranzystora:
układ o wspólnej bazie -WB
układ o wspólnym emiterze -WE
układ o wspólnym kolektorze -WK
Charakterystyki tranzystorów podawane są zazwyczaj dla układu WE. W układzie WE można otrzymać prócz wzmocnienia napięcia i mocy także wzmocnienie prądu. Charakterystyki wejściowe tranzystora dla układu WE podają zależność prądu kolektora IC od napięcia między kolektorem i emiterem UKE dla różnych wartości prądu bazy Ib. Współczynnik wzmocnienia prądu
jest w tym przypadku określony następująco:
przy UC=const.
Gdzie
jest zmianą prądu kolektora spowodowaną zmianą prądu bazy
.
Współczynnik
dla układu o wspólnej bazie WB związany jest z współczynnikiem
dla układu WE następującą zależnością:
Po podłączeniu całego układu przeprowadziliśmy trzy serie pomiarów :
Pierwsza seria dla zależności IC = f (UCE) dla dwóch ustalonych wartości prądu bazy (IB = 100, 400 μA), przy czym wartość napięcia UCE zmienialiśmy w zakresie od 0 do 20 V.
Druga seria dla zależności IC = f (IB) dla dwóch ustalonych wartości napięcia UCE (5, 15 V), natężenie prądu bazy zmienialiśmy w zakresie od 0 do 800 μA co 100 μA.
Trzecia seria dla zależności IB = f (UBE) dla dwóch ustalonych wartości UKE (5, 15 V) przy zmianach napięcia między bazą a emiterem UBE.
Tabela pomiarów
Charakterystyka wyjściowa |
Charakterystyka wyjściowa |
Charakterystyka wejściowa |
||||||
IB |
UCE |
IC |
UCE |
IB |
IC |
UCE |
UBE |
IB |
[μA] |
[V] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
[V] |
[mV] |
[mA] |
100 |
0,3 |
3,7 |
5 |
0 |
0 |
5 |
0,4 |
0,001 |
|
0,6 |
3,6 |
|
0,1 |
3,7 |
|
0,45 |
0,006 |
|
0,9 |
3,5 |
|
0,2 |
8,1 |
|
0,5 |
0,028 |
|
1,2 |
3,6 |
|
0,3 |
12,8 |
|
0,55 |
0,155 |
|
1,5 |
3,6 |
|
0,4 |
17,9 |
|
0,56 |
0,217 |
|
1,8 |
3,6 |
|
0,5 |
22,9 |
|
0,57 |
0,3 |
|
2,1 |
3,6 |
|
0,6 |
29,6 |
|
0,58 |
0,415 |
400 |
0,1 |
10 |
|
0,7 |
34,6 |
|
0,59 |
0,567 |
|
0,2 |
17,4 |
|
0,8 |
40,4 |
|
0,6 |
0,6 |
|
0,3 |
17,5 |
15 |
0 |
0 |
15 |
0,4 |
0,001 |
|
0,4 |
17,4 |
|
0,1 |
3,4 |
|
0,45 |
0,003 |
|
0,5 |
17,4 |
|
0,2 |
0,7 |
|
0,5 |
0,03 |
|
0,6 |
17,4 |
|
0,3 |
13,1 |
|
0,55 |
0,168 |
|
0,7 |
17,4 |
|
0,4 |
18,1 |
|
0,56 |
0,197 |
|
0,8 |
17,4 |
|
0,5 |
25,4 |
|
0,57 |
0,287 |
|
0,9 |
17,4 |
|
0,6 |
30,6 |
|
0,58 |
0,407 |
|
1 |
17,4 |
|
0,7 |
36,3 |
|
0,59 |
0,65 |
|
1,1 |
17,4 |
|
0,8 |
44,4 |
|
0,6 |
0,979 |
|
1,2 |
17,5 |
|
|
|
|
|
|
Wzory i obliczenia:
Współczynnik wzmocnienia prądu dla wartości UCE=1,2 [V]
=17,5 - 3,6=13,9 mA
=300 μA
= 46,33
Współczynnik wzmocnienia prądowego
jest powiązany ze współczynnikiem
zależnością:
dlatego
dla naszego układu wynosi 0,9789
Na podstawie tabeli pomiarowej wyznaczamy rezystancje wejściową tranzystora korzystając ze wzoru:
Przy pomiarze
od wskazań woltomierza należy odjąć spadek napięcia na mikroamperomierzu μA:
gdzie :
- to wskazanie woltomierza
- wskazanie mikroamperomierza
-opór mikroamperomierza = 78
Przykładowo :
4235,512 Ω
Rezystancja wyjściowa:
przykładowo:
Wykresy:
Charakterystyka wyjściowa dla 100uA
Charakterystyka wyjściowa dla 400uA
Charakterystyka przejściowa dla 5V
Charakterystyka przejściowa dla 15V
Charakterystyka wejściowa dla 5V
Charakterystyka wejściowa dla 5V
Rachunek i dyskusja niepewności:
Błąd względny woltomierza ΔUCE = 0.5 %
Błąd względny amperomierza ΔIC = 1 %
Błąd bezwzględny woltomierza ΔUBE :
Błąd bezwzględny mikroamperomierza ΔIB :
gdzie :
K - klasa
Z - zakres
1dz - jedna działka
Błędy dla charakterystyki wyjścia tranzystora dla układu o wspólnym emiterze:
Dla
=100
1.
=3,7*0,01=0,037
=0,3*0,01=0,003
2.
=3,6*0,01=0,036
=0,6*0,01=0,006
3.
=3,5*0,01=0,035
=0,9*0,01=0,009
4.
=3,6*0,01=0,036
=1,2*0,01=0,012
5.
=3,6*0,01=0,036
=1,5*0,01=0,015
6.
=3,6*0,01=0,036
=1,8*0,01=0,018
7.
=3,6*0,01=0,036
=2,1*0,01=0,021
analogicznie dla
=400
Wnioski
Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk tranzystora. Pierwsza cześć ćwiczenia polegała na badaniu zależności natężenia prądu kolektora w funkcji zmian napięcia kolektor-emiter dla czterech ustalonych wartości prądu bazy.
Prąd kolektora stanowi bowiem sumę prądu emitorowego i prądu bazy . Druga cześć ćwiczenia polegała na badaniu zależności natężenia prądu kolektorowego w funkcji zmian natężenia prądu bazy dla dwóch ustalonych wartości napięć kolektor-emiter . Trzecia cześć ćwiczenia polegała na badaniu zależności ustawienia prądu bazy w funkcji zmian napięcia baza-emiter Wzrost napięcia baza-emiter pociąga za sobą wzrost prądu bazy . Z danych pomiarowych uwzględniając spadek napięcia na mikroamperomierzu wyznaczyliśmy opór wejściowy i wyjściowy tranzystora.