Sporządzanie charakterystyk tranzystora


Tranzystor to trój końcówkowy element półprzewodnikowy służący do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego, przy czym przez wzmocnienie należy rozumieć proces sterowania przepływem mocy większej mocą mniejszą. Tranzystory dzielą się na bipolarne i unipolarne.

Tranzystor bipolarny jest złożony z trzech warstw półprzewodnika (dwóch złącz p-n), przy czym rozróżniamy tranzystory typu p-n-p i n-p-n. Warstwy nazywamy odpowiednio emiterem E, bazą B i kolektorem K (C). Złącze emiter-baza polaryzujemy w kierunku przewodzenia, a złącze baza-kolektor w kierunku zaporowym.

Ćwiczenie polega na wyznaczeniu charakterystyk tranzystora p-n-p w układzie wspólnego emitera (OE). Układ podłączamy według następującego schematu:

0x01 graphic

Rozróżniamy cztery typy charakterystyk tranzystora:

0x01 graphic
IB=f(UBE) UKE=const

IK=f(UKE) IB=const

IK=f(IB) UKE=const

UBE=f(UKE) IB=const

0x01 graphic

Wnioski:

Charakterystyka wejściowa tranzystora jest charakterystyką złącza baza-emiter, czyli jest identyczna z charakterystyką diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Z charakterystyki przejściowej możemy odczytać liniową zależność między prądem bazy a prądem kolektora. Im większe jest natężenie prądu wejściowego, tym większe natężenie prądu wyjściowego, przy czym prąd wejściowy jest o ponad rząd wielkości mniejszy od prądu wyjściowego. Charakterystyka wyjściowa pokazuje nam, że znacznie zmieniając napięcie wyjściowe, wywołujemy niewielkie zmiany prądu wyjściowego. Dzięki temu możemy zmieniać obciążenie (rezystancję) na wyjściu układu nie zmieniając wartości prądu wyjściowego. Z charakterystyki zwrotnej widać natomiast, że napięcie wejściowe tranzystora praktycznie nie zależy od napięcia wyjściowego.

Z charakterystyk wynika, że tranzystor jest źródłem prądowym sterowanym prądem - zmieniając prąd wejściowy o niewielkie wartości (rzędu μA) możemy sterować prądem wyjściowym (o wartościach rzędu mA).

0x08 graphic

0x08 graphic

UKE=0

175

25

10

60

5

10

300

200

220

240

250

270

280

IB [μA]

UBE [mV]

UKE [V]

IK [mA]

IB=175 μA

IB=150 μA

IB=125 μA

IB=100 μA

IB=75 μA

IB=50 μA

IB=50 μA

IB=75 μA

IB=100 μA

IB=125 μA

IB=150 μA

IB=175 μA

UKE=const

UKE=5 V

UKE=60 V

UKE=35 V



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
cw1 Sporządzenie charakterystyki tranzystora
Sporządzanie charakterystyki tranzystora
cw1 Sporządzenie charakterystyki tranzystora
wyznaczanie charakterystyki tranzystora , Sprawozdanie z fizyki nr 2
tranzystor wyznaczanie charakterystyk, Wyznaczanie charakterystyk tranzystora
209-02, Wyznaczanie sta˙ej Boltzmanna z charakterystyki tranzystora.
Charakterystyka tranzystora
TRANZY~1, Wyznaczanie charakterystyk tranzystora
F-2 Charakterystyki tranzystora IGBT
Charakterystyki Tranzystora
Sprawozdanie 49, Studia, Pracownie, I pracownia, 49 Charakterystyka tranzystora, Waldek
Badanie charakterystyk tranzystora bipolaranego, Nr dziennika
charakterystki tranzystory
Sporządzanie Charakterystyk Agregatu Pompowego 1
Tytułowa 49, Studia, Pracownie, I pracownia, 49 Charakterystyka tranzystora, Waldek

więcej podobnych podstron