LABORATORIUM ELEKTRONIKI |
||||||
|
AGH |
Wydzia艂: Elektrotechniki Automatyki i Elektroniki.
|
Rok: III |
Grupa: 2 |
||
Tytu艂 膰wiczenia: Badanie tranzystor贸w. |
Zesp贸艂 I:
|
|||||
Data wykonania: 97-10-16 |
Data oddania: 97-10-23 |
Ocena: |
Podpis: |
Badanie tranzystora bipolarnego BC 547 B
Wyznaczanie charakterystyki wej艣ciowej.
UBE |
IB UCE=0V |
IB UCE=2V |
IB UCE=5V |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,2 |
0 |
0 |
0 |
0,4 |
0,3 |
0 |
0 |
0,5 |
7,2 |
0 |
0 |
0,52 |
14 |
0 |
0 |
0,54 |
25,2 |
0 |
0 |
0,55 |
34 |
0,4 |
0,4 |
0,56 |
45 |
0,6 |
0,6 |
0,57 |
60 |
1 |
1 |
0,58 |
78 |
1,4 |
1,5 |
0,59 |
100 |
1,9 |
2 |
0,6 |
- |
2,5 |
2,8 |
0,62 |
- |
4,8 |
5,5 |
0,64 |
- |
10 |
11,8 |
0,65 |
- |
14,5 |
17,8 |
0,66 |
- |
20 |
28 |
0,67 |
- |
28 |
40 |
0,68 |
- |
39 |
59 |
0,69 |
- |
54 |
80 |
0,7 |
- |
72,5 |
- |
Wyznaczanie charakterystyki wstecznej.
UCE [V] |
UBE [V] IB = 20 渭A |
UBE [V] IB = 40 渭A |
0 |
0 |
0 |
1 |
0,661 |
0,682 |
2 |
0,659 |
0,68 |
3 |
0,658 |
0,676 |
4 |
0,653 |
0,667 |
5 |
0,65 |
0,66 |
6 |
0,65 |
0,65 |
7 |
0,64 |
0,64 |
8 |
0,64 |
0,63 |
9 |
0,63 |
0,62 |
10 |
0,63 |
0,61 |
Wyznaczanie charakterystyki przej艣ciowej.
IB [渭A] |
IC [mA] UCE= 2 V |
IC [mA] UCE= 5 V |
0 |
0 |
0 |
10 |
4 |
4,3 |
20 |
8 |
8,6 |
30 |
11,8 |
13,1 |
40 |
15,8 |
17,6 |
50 |
19,6 |
22,1 |
60 |
23,5 |
27 |
70 |
27,2 |
31,8 |
80 |
31 |
36,6 |
90 |
34,6 |
41,5 |
100 |
38,2 |
46,4 |
Wyznaczanie charakterystyki wyj艣ciowej.
UCE [V] |
IC [mA] IB = 10 渭A |
IC [mA] IB = 40 渭A |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
3,7 |
15 |
1 |
3,8 |
15,2 |
2 |
3,9 |
15,7 |
3 |
4 |
16,4 |
4 |
4,1 |
17,1 |
5 |
4,2 |
17,8 |
6 |
4,3 |
18,5 |
7 |
4,4 |
19,2 |
8 |
4,5 |
20,2 |
9 |
4,6 |
21 |
10 |
4,7 |
22 |
5. Wyznaczanie na podstawie zdj臋tych charakterystyk parametr贸w charakterystycznych dla tranzystora
wyznaczanie statycznego wsp贸艂czynnika wzmocnienia pr膮dowego
II. Badanie tranzystora unipolarnego BF 245
1. Wyznaczanie charakterystyki wyj艣ciowej.
UDS. [V] |
ID [ mA ] UGS = 0 V |
ID [ mA ] UGS = 1,5 V |
0 |
0 |
0 |
1 |
3,8 |
1,65 |
2 |
6,3 |
2,2 |
3 |
7,4 |
2,35 |
4 |
7,7 |
2,44 |
5 |
7,9 |
2,5 |
6 |
7,99 |
2,56 |
7 |
8,04 |
2,61 |
8 |
8,08 |
2,65 |
9 |
8,1 |
2,7 |
10 |
8,12 |
2,74 |
2. Wyznaczanie charakterystyki przej艣ciowej.
UGS [V]
|
ID [ V ] UDS. = 5 V |
ID [ V ] UDS. = 10 V |
0 |
7,88 |
8,2 |
0,25 |
6,87 |
7,09 |
0,5 |
5,82 |
6,06 |
0,75 |
4,93 |
5,12 |
1 |
4,03 |
4,24 |
1,25 |
3,28 |
3,45 |
1,5 |
2,48 |
2,72 |
1,75 |
1,84 |
2,06 |
2 |
1,24 |
1,45 |
2,25 |
0,8 |
0,99 |
2,5 |
0,42 |
0,58 |
2,75 |
0,2 |
0,36 |
3 |
0,15 |
0,31 |
3,25 |
0,15 |
0,31 |
3,5 |
0,15 |
0,31 |
3,75 |
0,15 |
0,31 |
4 |
0,15 |
0,31 |
Wyznaczanie na podstawie zdj臋tych charakterystyk parametr贸w charakterystycznych dla tranzystora unipolarnego.
konduktancja przej艣ciowa
konduktancja wyj艣ciowa
wsp贸艂czynnik
Wnioski:
Badaj膮c tranzystor bipolarny i unipolarny mogli艣my do艣wiadczalnie wyznaczy膰 ich charakterystyki statyczne i niekt贸re parametry takie jak wsp贸艂czynnik statycznego wzmocnienia pr膮dowego h21E dla tranzystora bipolarnego. Wsp贸艂czynnik ten okaza艂 si臋 stosunkowo du偶y bo oko艂o 400 jak dla tranzystora nale偶膮cego do grupy B (o 艣rednim wzmocnieniu). Mogli艣my przekona膰 si臋 o du偶ym wp艂ywie temperatury na punkt pracy tranzystora i tak ze wzrostem temperatury r贸s艂 pr膮d kolektora co utrudnia艂o poprawne wyznaczenie charakterystyk (zmusza艂o do pomiar贸w przy mniejszych warto艣ciach IB i UCE).
Analizuj膮c otrzymane charakterystyki i parametry badanych tranzystor贸w mo偶emy powiedzie膰 i偶 tranzystor bipolarny idealnie nadaje si臋 do wzmacniaczy pr膮dowych o du偶ym wzmocnieniu mocy a tranzystor unipolarny do wzmacniaczy napi臋ciowych i uk艂ad贸w separacyjnych o du偶ej impedancji wej艣ciowej.
1
9
V
V
A
IB
[渭A]
UBE
[V]
UBE
[V]
UCE
[V]
V
V
A
V
A
A
IC
[mA]
IB
[渭A]
V
A
A
IC
[mA]
UBE
[V]
V
V
A
A
UDS.
[V]
ID
[ mA]
V
V
A
A
ID
[mA]
UGS [V]