Test 1.

1. Elektron to:

1. Elementarny nośnik ujemnego ładunku elektrycznego

2. Po grecku – bursztyn

3. Ładunek gromadzący się na pręcie szklanym pocierany jedwabiem

4. Ładunek gromadzący się na pręcie ebonitowym pocieranym wełną

5. Nośnik większościowy w półprzewodniku typu n

1. Półprzewodnik to materiał o charakterze:

1. Związku chemicznego o charakterze A_IIIB_V

2. Pierwiastkowym (atomy jednego pierwiastka z 7. gr. układu Mendelejewa)

3. Pierwiastkowym (atomy jednego pierwiastka z 4. gr. układu Mendelejewa)

4. Dwu lub więcej pierwiastków lub związków chemicznych , których skłąd ilościowy może zmieniać się w szerokich granicach

5. Ciało polikrystalicznego, składającego się z krystalitów o lokalnej periodyczności

1. Kulomb to:

1. Jednostka ładunku w układzie SI

2. Francuski fizyk, twórca prawa fizycznego o oddziaływaniu wzajemnych ładunków

3. Jednostka pojemności w układzie SI

4. Jednostka ładunku gromadzącego się na powierzchni ciała stałego, pozwalająca na określenie tzw. powierzchniowej gęstości ładunku

5. Ładunek, który przepływa w ciągu 1 s przez przekrój poprzeczny przewodnika w którym płynie prąd o natężeniu równym 1 A

1. Rezystancja zastępcza szeregowo połączonych rezystorów R_1, R₂,R₃ o rezystancjach odpowiednio 10k, 20k i 30k wynosi:

1. 30k

2. 6000k

3. 60k

4. 15k

5. 1/60k

1. Nośniki ładunku w materiale półprzewodnikowym ulegają:

1. Bezwładnym ruchom cieplnym

2. Ruchom skierowanym

3. Działaniu pola E, nakładającego się na chaotyczny ruch cieplny

4. Dyfuzji w wyniku działania pola elektrycznego E

5. Dyfuzji pod wpływem gradientu koncentracji nośników ładunku

Test 2.

1. Półprzewodnik to:

1. Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności poniżej 10^-6Ωm

2. Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności powyżej 10⁶Ωm

3. Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności 1_­0^-6 – 10⁶Ωm

4. Rezystywność półprzewodnika zależy od temperatury, oświetlenia, stopnia czystości

5. Materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszego od 5eV

1. Defekt strukturalny to:

1. Nieprawidłowe rozmieszczenie atomów w sieci krystalicznej

2. Atomy obce w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej

3. Wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nieobsadzone przez właściwe atomy

4. Lokalna zmiana składu chemicznego materiału rodzimego

5. To atom lub grupa atomów, powodująca lokalną zmianę sieci krystalicznej materiału półprzewodnikowego, skutkująca poprawą jakości kryształu

1. Ładunek punktowy (+q)

1. Ładunek pozwalający na badanie natężenia pola elektrycznego

2. Ma wartość ładunku elementarnego 1e

3. Ładunek naładowanego ciała o małych wymiarach geometrycznych w porównaniu z odległością punktu w przestrzeni w którym znajduje się ładunek Q od tego ciała

4. Umieszczony w dowolnym pkt w przestrzeni , oddalony od ładunku Q będącego źródłem pola określa się F = E x q

5. Pozwala na określenie wartości napięcia elektrycznego w polu E

1. Pojemność zastępcza połączonych równolegle kondensatorów płaskich o pojemnościach C_1, C₂, C₃ odpowiednio wynoszących 0,1nF, 0,2nF, 0,3nF wynosi:

1. 0,6 nF

2. 10/6 nF

3. 1/(6) nF

4. 600 pF

5. 0,003 nF

1. Półprzewodnik samoistny to:

1. Półprzewodnik występujący w przyrodzie

2. Półprzewodnik domieszkowy pracujący w bardzo wysokich temperaturach

3. Półprzewodnik, w którym nośnikami ładunku są pary elektron-dziura

4. Półprzewodnik w którym koncentracja dziur jest równa koncentracji elektronów

5. Półprzewodnik samoistnie zmieniający poziom domieszkowania

Test 3.

1. Elektron to:

1. Elementarny nośnik ujemnego ładunku elektrycznego

2. Po grecku – bursztyn

3. Ładunek gromadzący się na pręcie szklanym pocierany jedwabiem (gromadzi się dodatni)

4. Ładunek gromadzący się na pręcie ebonitowym pocieranym wełną

5. Nośnik większościowy w półprzewodniku typu n

1. Kulomb to:

1. Jednostka ładunku w układzie SI

2. Francuski fizyk, twórca prawa fizycznego o oddziaływaniu wzajemnych ładunków

3. Jednostka pojemności w układzie SI

4. Jednostka ładunku gromadzącego się na powierzchni ciała stałego, pozwalająca na określenie tzw. powierzchniowej gęstości ładunku

5. Ładunek, który przepływa w ciągu 1 s przez przekrój poprzeczny przewodnika w którym płynie prąd o natężeniu równym 1 A

1. Dla dzielnika napięcia jak na rysunku U_WY będzie wynosiło, gdy U_WE= ????? R₁=???Ω, R₂ = 68 Ω

1. 5,91 V

2. 59,1 V

3. 0,591 V

4. 47 V

5. 68 V

1. Półprzewodnik domieszkowy typu p:

1. Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z III gr. układu okresowego pierwiastków

2. Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z V gr. układu okresowego pierwiastków

3. Półprzewodnik domieszkowany atomami boru (B), glinu (Al) ..?...

4. Półprzewodnik , którym w T=300K wszystkie atomy domieszki akceptorowej są zjonizowane

5. Półprzewodnik , którym w T=300K wszystkie atomy domieszki donorowej są zjonizowane

1. Nośniki ładunku w materiale półprzewodnikowym ulegają:

1. Bezwładnym ruchom cieplnym

2. Ruchom skierowanym

3. Działaniu pola E, nakładającego się na chaotyczny ruch cieplny

4. Dyfuzji w wyniku działania pola elektrycznego E

5. Dyfuzji pod wpływem gradientu koncentracji nośników ładunku

Test 4.

1. Defekt strukturalny to:

1. Nieprawidłowe rozmieszczenie atomów w sieci krystalicznej

2. Atomy obce w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej

3. Wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nieobsadzone przez właściwe atomy

4. Lokalna zmiana składu chemicznego materiału rodzimego

5. To atom lub grupa atomów, powodująca lokalną zmianę sieci krystalicznej materiału półprzewodnikowego, skutkująca poprawą jakości kryształu

1. Obwód elektryczny:

1. Zrównoleglona droga przepływu prądu elektrycznego

2. Przynajmniej jedna zamknięta droga dla przepływu prądu elektrycznego

3. Połączenie elementów liniowych i nieliniowych, przedstawionych za pomocą symboli graficznych, tworzących zamknięta drogę dla przepływu prądu elektrycznego

4. Obwód liniowy zawiera liniowe i nieliniowe elementy

5. Obwód nieliniowy zawiera co najmniej jeden element nieliniowy w strukturze zamkniętej drogi przepływu prądu elektrycznego

1. Pojemność zastępcza połączonych szeregowo kondensatorów płaskich o pojemnościach C_1, C₂, C₃ odpowiednio wynoszących 10nF, 20nF, 30nF wynosi:

1. 5,45 nF

2. 0,545 nF

3. 545 nF

4. 5,45 x 10^-9 F 1/10+1/20+1/30=6/60+3/60+2/60=11/60=1/c c=60/11=5.45nF

5. 1/60 nF

1. Dla dzielnika napięcia U_WY, będzie wynosić, gdy U_WE = 50 V, R₁ = 10 Ω, R₂= 40 Ω:

1. 40 V

2. 400 V

3. 0,4 V

4. 10 V

5. 50 V

1. Półprzewodnik samoistny to:

1. Półprzewodnik występujący w przyrodzie

2. Półprzewodnik domieszkowy pracujący w bardzo wysokich temperaturach

3. Półprzewodnik, w którym nośnikami ładunku są pary elektron-dziura

4. Półprzewodnik w którym koncentracja dziur jest równa koncentracji elektronów

5. Półprzewodnik samoistnie zmieniający poziom domieszkowania

Test 5.

1. Ciało stałe w zależności od stopnia uporządkowania struktury wewnętrznej, to:

1. Ciało amorficzne o uporządkowaniu dalekiego zasięgu

2. Ciało amorficzne o uporządkowaniu bliskiego zasięgu, materiał bezpostaciowy

3. Ciało krystaliczne o uporządkowaniu dalekiego zasięgu

4. Ciało monokrystaliczne o uporządkowaniu w całej objętości bryły z dokładnością do defektów struktury

5. Ciało monokrystaliczne hodowane sztucznie w określonych warunkach krystalizacji o dużej czystości

1. Prąd elektryczny to:

1. Ukierunkowany przepływ strumienia ładunków elektrycznych w materiale przewodzącym

2. Ruch nośników ładunków unoszonych w polu elektrycznym

3. Ruch nośników ładunków – elektronów lub jonów

4. Prąd przesunięcia związany z przemieszczeniem ładunków wewnątrz atomu bez naruszenia jego struktury

5. Prąd dyfuzji związany z gradientem koncentracji nośników ładunku

1. Rezystancja zastępcza równolegle połączonych rezystorów R_1, R₂,R₃ o rezystancjach równych 100 Ω wynosi:

1. 33,(3) Ω

2. 300 Ω

3. 100³ Ω

4. 3/100 Ω

5. 1/100 Ω

1. Półprzewodnik domieszkowy typu n:

1. Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z III gr. układu okresowego pierwiastków

2. Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z V gr. układu okresowego pierwiastków

3. Półprzewodnik domieszkowany atomami fosforu (P), antymonu (Sb), arsenu (As)

4. Półprzewodnik , którym w T=300K wszystkie atomy domieszki akceptorowej są zjonizowane

5. Półprzewodnik , którym w T=300K wszystkie atomy domieszki donorowej są zjonizowane

1. Defekt strukturalny to:

1. Nieprawidłowe rozmieszczenie atomów w sieci krystalicznej

2. Atomy obce w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej

3. Wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nieobsadzone przez właściwe atomy

4. Lokalna zmiana składu chemicznego materiału rodzimego

5. To atom lub grupa atomów, powodująca lokalną zmianę sieci krystalicznej materiału półprzewodnikowego, skutkująca poprawą jakości kryształu

Test 6.

1. Ładunek punktowy (+q)

1. Ładunek pozwalający na badanie natężenia pola elektrycznego

2. Ma wartość ładunku elementarnego 1e

3. Ładunek naładowanego ciała o małych wymiarach geometrycznych w porównaniu z odległością punktu w przestrzeni w którym znajduje się ładunek Q od tego ciała

4. Umieszczony w dowolnym pkt w przestrzeni , oddalony od ładunku Q będącego źródłem pola określa się F = E x q

5. Pozwala na określenie wartości napięcia elektrycznego w polu E

1. Rezystancja zastępcza równolegle połączonych rezystorów R_1, R₂,R₃ o rezystancjach równych 100 Ω wynosi:

1. 33,(3) Ω

2. 300 Ω

3. 100³ Ω

4. 3/100 Ω

5. 1/100 Ω

1. Półprzewodnik typu p to :

1. Półprzewodnik w którym nośnikami mniejszościowymi są dziury

2. Półprzewodnik w którym nośnikami mniejszościowymi są elektrony

3. Półprzewodnik w którym nośnikami większościowymi są dziury

4. Półprzewodnik w którym nośnikami większościowymi są elektrony

5. Półprzewodnik w którym przy niewielkim pobudzeniu termicznym (W ≥ W_A) dojść do jonizacji atomu domieszki akceptorowej, znajdującej się na poziomie W_A , w wyniku której w paśmie walencyjnym pojawia dziura jako nośnik większościowy

1. Ciało stałe w zależności od stopnia uporządkowania struktury wewnętrznej, to:

1. Ciało amorficzne o uporządkowaniu dalekiego zasięgu

2. Ciało amorficzne o uporządkowaniu bliskiego zasięgu, materiał bezpostaciowy

3. Ciało krystaliczne o uporządkowaniu dalekiego zasięgu

4. Ciało monokrystaliczne o uporządkowaniu w całej objętości bryły z dokładnością do defektów struktury

5. Ciało monokrystaliczne hodowane sztucznie w określonych warunkach krystalizacji o dużej czystości

1. Pojemność zastępcza połączonych równolegle kondensatorów płaskich o pojemnościach C_1, C₂, C₃ odpowiednio wynoszących 0,1nF, 0,2nF, 0,3nF wynosi:

1. 0,6 nF

2. 10/6 nF

3. 1/(6) nF

4. 600 pF

5. 0,003 nF