Podstawy Elektroniki

Nr Ćwiczenia: 2

Temat: Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Kurs prowadzi: Mgr inż. Maciej Grabowski

Wykonawcy:	Wojciech Koczwara(181469), Adam Kleszyk(181498) oraz Joanna Płomińska(181421)
Kierunek	Energetyka
Wydział	W-9 Mechaniczno-Energetyczny
Termin zajęć	28.10.2010 godz. 13:15-14:45
Data oddania sprawozdania
Ocena Końcowa

Zatwierdzam wyniki pomiarów.

Data i podpis prowadzącego zajęcia:

Adnotacje dotyczące wymaganych poprawek oraz daty otrzymania poprawionego sprawozdania.

1. Przebieg Ćwiczenia

1. Badanie charakterystyk diody zwykłej oraz diody Zenera za pomocą mierników cyfrowych.

2. Badanie charakterystyk Tranzystora

1. Schematy Układów

Rys. 2.1 Dioda półprzewodnikowa dla kierunku przewodzenia

Rys. 2.2 Dioda półprzewodnikowa dla kierunku zaporowego

Rys. 2.3 Tranzystor

Tabele pomiarowe

Tab. 3.1 Dioda półprzewodnikowa w kierunku przewodzenia

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.
If	mA	0	4,9	10	15	20	25,2	30,1	35	40,1	45,3	50
Uf	V	0,39	0,73	0,83	0,89	0,94	0,97	1	1,04	1,03	1,1	1,14

Tab.3.2 Dioda półprzewodnikowa w kierunku zaporowym

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.
Ir	µA	0,12	0,16	0,22	0,28	0,34	0,4	0,46	0,52	0,58	0,64	0,72
Ur	V	1,25	1,59	2,24	2,85	3,43	4,05	4,65	5,23	5,58	6,46	7,19

Tab 3.3 Dioda Zenera w kierunku przewodzenia

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.
Ip	mA	0	5	9,9	15,2	20	25	30,2	35,4	40,4	45,1	50,2
Up	V	0,46	0,8	0,83	0,87	0,88	0,88	0,89	0,9	0,91	0,92	0,93

Tab 3.4 Dioda Zenera w kierunku zaporowym

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.
Ir	mA	0	2,3	5,05	8	10	12	15,5	18,6	20,2	22,3	25,4
Ur	V	6,05	6,92	6,93	6,96	6,99	7	7,02	7,04	7,06	7,08	7,11

Tab 3.5 Charakterystyka wejściowa tranzystora, I_b(U_be)

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.	12.
Ib	mA	0	0,57	0,95	1,5	2,03	2,55	3	3,55	4,03	4,5	5	5,12
UBE	V	0,37	0,63	0,65	0,67	0,68	0,7	0,7	0,71	0,71	0,71	0,72	0,72

Tab. 3.6 Charakterystyka wyjściowa tranzystora, I_c(U_ce)

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.	12.	13.	14.
IC	mA	0	8	18,9	27,5	34,7	42,6	49,5	55,4	63,1	69,6	73,2	75,6	83,1	88,3
UCE	V	0	0,05	0,09	0,12	0,15	0,22	0,36	0,64	1,15	1,6	1,96	2,21	3,38	4,49

Tab 3.7 Charakterystyka przejścia tranzystora, I_c(I_b)

Lp.		1.	2.	3.	4.	5.	6.	7.	8.	9.	10.	11.	12.
Ib	mA	0,00	18,7	36,1	48,5	58,7	66	71,2	75,6	79,5	82,8	85,8	86,4
Ic	mA	0,00	0,052	0,104	0,151	0,204	0,255	0,302	0,35	0,4	0,449	0,501	0,511

Wykresy

Wykres 4.1 Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej

Wykres 4.2 Charakterystyka statyczna diody Zenera

Wykres. 4.3 Charakterystyka wejściowa tranzystora

Wykres 4.4 Charakterystyka wyjściowa tranzystora

Wykres 4.5 Charakterystyka przejściowa tranzystora

Wnioski

• Napięcie w pobliżu zera nie było możliwe do odczytania dla diody półprzewodnikowej oraz dla diody zenera, stąd brak fragmentów wykresów, spowodowane jest to niedoskonałością potencjometru,

• Charakterystyka statyczna przy najmniejszych ujemnych wartościach powinny się uginać pod dużym kątem i nadal przebiegać prawie liniowo, nie zaznaczono tego na wykresie charakterystyki liniowej dla diody półprzewodnikowej ponieważ nie było możliwości wykonania pomiarów dla jeszcze niższych wartości.

• Charakterystyka statyczna dla diody Zenera przy najmniejszych ujemnych wartościach uginają się i przebiegają prawie liniowo. Udało się to odczytać i zostało to pokazane na wykresie 4.2

• Dzięki dosyć dokładnym pomiarom wykonanym dla tranzystora(oprócz charakterystyki wyjściowej) można odczytać napięcie nasycenia kolektor-emiter równe około Ucesat=0,36 V.