Napięcie elektryczne (UAB) Na każdy ładunek umieszczony w polu działa siła elektryczna F powodując przemieszczenie ładunku, oznacza to, że siła wykonuje pracę. WAB = F * l

Stosunek pracy wykonanej przez siłę elektryczną przy przesunięciu ładunku z jednego punktu pola do drugiego do wartości tego ładunku nazywamy napięciem elektrycznym. Jednostką napięcia jest 1V (volt)
Napięcie między dwoma punktami przewodnika jest równa 1V gdy prąd o natężeniu 1A (ampera) wywołuje na tym odcinku stratę mocy 1W (watt) Natężeniem prądu - nazywamy stosunek ładunku przepływającego przez poprzeczny przekrój przewodnika do czasu w którym ten przepływ nastąpił. Jednostką jest 1A (amper). Amper jest to stały prąd, który płynąc w dwóch równoległych prostoliniowych nieskończenie długich przewodach o przekroju okrągłym znikomo małym umieszczonych w próżni w odległości 1m od siebie wywołałby między tymi przewodnikami siłę 2*10^-7*N na każdy metr długości.
Ze względu na wartość natężenia prąd dzielimy na:
a) prąd stały - natężenie ma stałą wartość w czasie. Prąd ten w równych odstępach czasu przenosi ten sam ładunek.
b) prąd zmienny - wartość natężenia zmienia się w czasie w równych odstępach czasu (okresowo), prąd przenosi różny ładunek.
c) prąd przemienny - zmienia wartość natężenia i kierunku.
Ponieważ ładunek w prądach zmiennych i przemiennych jest inny w każdej chwili to natężenie definiujemy jako stosunek zmiany ładunku do czasu w którym ta zmiana nastąpiła.

Rezystywność to opór właściwy materiału, opisuje jego własności rezystywne (oporowe), każdy materiał ma inny opór właściwy podawany w tablicach. Im większa rezystywność tym gorszy przewodnik a lepszy materiał na rezystor. Jednostką jest 1W * m.

Prawo Ohma (wyznaczone doświadczalnie) - napięcie (U) na końcach przewodnika przez który płynie prąd o natężeniu (I) jest iloczynem natężenia prądu i rezystancji (R) tego przewodnika. U = R * I

I Prawo Kirchhoffa mówi o bilansie prądów w węźle obwodu. Suma prądów dopływających do węzła jest równa sumie prądów odpływających z węzła. II Prawo Kirchhoffa (napięciowe) W dowolnym oczku obwodu prądu stałego suma algebraiczna (uwzględniając znaki) siłę SEM i napięć na elementach rezystancyjnych jest równa 0.

Przewodniki Izolatory (dielektryki

Półprzewodniki samoistne

Diodą półprzewodnikową nazywamy element wykonany z półprzewodnika, zawierającego jedno złącze - najczęściej p-n z dwiema końcówkami wyprowadzeń.

Charakterystyka diody oraz jej parametry są podobne, a nawet niekiedy takie same jak złącza p-n . Ze względu na swą budowę, dioda przepuszcza prąd w jednym kierunku, natomiast w kierunku przeciwnym - w minimalnym stopniu.

Diody półprzewodnikowe stosuje się w układach prostowania prądu zmiennego, w układach modulacji i detekcji, przełączania, generacji i wzmacniania sygnałów elektrycznych.

         Każda dioda ma pewną częstotliwość graniczną, po przekroczeniu której nie zachowuje się jak dioda, lecz jak kondensator.

        Dioda półprzewodnikowa – rodzaj diody wykonanej z materiałów półprzewodnikowych i zawierającej złącze prostujące. Zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodnika, odmiennie domieszkowanych – typu n i typu p, tworzących razem złącze p-n, lub z połączenia półprzewodnika z odpowiednim metalem – dioda Schottky'ego. Jest elementem dwukońcówkowym, przy czym końcówka dołączona do obszaru n nazywa się katodą, a do obszaru p – anodą. Element ten charakteryzuje się jednokierunkowym przepływem prądu – od anody do katody,  

Diody te są elementami nieliniowymi. Nieliniowość diod półprzewodnikowych polega na tym, że występujące na nich napięcie wzrasta proporcjonalnie do logarytmu płynącego przez nie prądu: U= A*ln(I) w stałej temperaturze złącza. Wynika z tego, że każdy (np. dziesięciokrotny) wzrost prądu powoduje przyrost napięcia o stałą wartość

Półprzewodniki − najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność(przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10^-8 do 10³S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie bądź inne czynniki. Wartość rezystancji półprzewodnika maleje na ogół ze wzrostem temperatury. 

Półprzewodnik samoistny jest to półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur.

Wprowadzenie domieszki dającej niedobór elektronów (w stosunku do półprzewodnika samoistnego) powoduje powstanie półprzewodnika typu p, domieszka taka zaś nazywana jest domieszką akceptorową ("przyjmuje elektron"). W takim półprzewodniku powstaje dodatkowy poziom energetyczny (poziom akceptorowy) położony w obszarze pasma zabronionego niewiele nad poziomem walencyjnym, lub w samym paśmie walencyjnym. Poziomy takie wiążą elektrony znajdujące się w paśmie walencyjnym (prawie zapełnionym w przypadku półprzewodników samoistnych) powodując powstanie w nim wolnych miejsc. Takie wolne miejsce nazwano dziurą elektronową.

domieszką donorową ("oddaje elektron")Wprowadzenie domieszki dającej nadmiar elektronów (w stosunku do półprzewodnika samoistnego) powoduje powstanie półprzewodnika typu n.  W takim półprzewodniku powstaje dodatkowy poziom energetyczny (poziom donorowy) położony w obszarze pasma zabronionego niewiele poniżej poziomu przewodnictwa, lub w samym paśmie przewodnictwa Nadmiar elektronów jest uwalniany do pasma przewodnictwa (prawie pustego w przypadku półprzewodników samoistnych) w postaci elektronów swobodnych zdolnych do przewodzenia prądu.