Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.
Schemat polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n
Budowa struktury
Skrót MOSFET pochodzi od angielskiego określenia Metal-Oxide-Semiconductor FET, co oznacza tranzystor polowy (FET - ang. Field Effect Transistor) o strukturze: metal, tlenek, półprzewodnik. Istnieje również alternatywny, ale rzadko spotykany skrót MISFET, pochodzący od Metal-Insulator-Semiconductor FET (insulator - dielektryk).
W podłożu – płytce słabo domieszkowanego półprzewodnika typu P albo N tworzone są dwa małe obszary o przeciwnym typie przewodnictwa – odpowiednio N+ lub P+ (N+/P+ oznacza silne domieszkowanie tych obszarów). Te silnie domieszkowane obszary tworzą dren oraz źródło do których doprowadzane są kontakty. Powierzchnia półprzewodnika pomiędzy drenem i źródłem jest pokryta cienką warstwą dielektryka (izolatora), grubość tej warstwy jest rzędu kilkunastu nanometrów. Na dielektryk napylana jest warstwa materiału przewodzącego (metalu) tworząca bramkę.
Polaryzacja drenu i bramki jest zerowa. W takiej sytuacji brak jest połączenia
pomiędzy drenem a źródłem
Bramka spolaryzowana dostatecznie dużym napięciem UGS>0. W takiej sytuacji
dzięki utworzeniu warstwy inwersyjnej typu „n” zostanie dokonane połączenie
elektryczne
Gdy zostanie podwyższony potencjał drenu UDS>0 to popłynie prąd drenu ID tym
większy im większe będzie napięcie IDS
Przy dalszym wzroście potencjału na drenie punkt zamknięcia kanału będzie przesuwał
się w kierunku źródła. Wzrost napięcia drenu UDS powyżej wartości napięcia bramki
będzie powodował tylko nieznaczny wzrost napięcia drenu ID.
Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.
Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.