Politechnika Radomska Wydział Transportu		LABORATORIUM ELEKTRONIKI			Data: r.
Imię i Nazwisko:			Grupa:	Zespół:	Rok akademicki
Nr ćwiczenia: 1	Temat: Diody				Ocena i podpis:

I. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości różnych diod półprzewodnikowych. Główną uwagę zwrócono na diody najczęściej stosowane : prostownicze i stabilizujące.

II.Wykaz przyrządów:

pulpit z diodami , zasilacz , woltomierz elektroniczny , amperomierz.

III.Program ćwiczenia.

1.Przed przystąpieniem do ćwiczenia należało wynotować z katalogu wartości parametrów granicznych diod półprzewodnikowych badanych w dalszej części ćwiczenia.

2.W układzie pomiarowym pokazanym na rysunku dokonać pomiaru charakterystyk statycznych I(U) diod , pamiętając o tym , aby nie przekroczyć wartości określonych w punkcie 1.

Układ pomiarowy do badania charakterystyk statycznych diod półprzewodniko-wych. A ; B - punkty dołączenia woltomierza do różnych kierunków polaryzacji.

a).Dioda DZG - 4 (germanowa):

Kierunek przewodzenia:

U (mV)	434	432,2	415,7	407,3	395,5	383,4	370,7	350,4	328	292	250
I (mA)	100	90	80	70	60	50	40	30	20	10	5

Charakterystyka diody DZG - 4 kierunek przewodzenia

Kierunek zaporowy:

U (V)	100	90	80	70	60	50	40	30	20	10
I (mA)	20	17	15	13	12	11	10	9	8	5

Charakterystyka diody DZG - 4 kierunek zaporowy

b).Dioda DK - 60 (krzemowa):

Kierunek przewodzenia: Charakterystyka U f (I).

U (mV)	I (mA)
799,8	100
790,6	90
783,7	80
775	70
766,8	60
757,8	50
746,9	40
734,5	30
710,7	20
679,3	10
628,1	5

Kierunek zaporowy: Charakterystyka U f (I).

U (V)	I (nA)
100	42
90	32
80	25
70	22
60	18
50	15
40	14
30	12
20	8
10	5

c).Dioda BYP - 680 (Zenera):

Kierunek przewodzenia: Charakterystyka U f (I)

(mV)	I (mA)
776,8	100
771,9	90
767,5	80
763,5	70
757,9	60
752	50
743,3	40
733,1	30
712,3	20
696,6	10
651,1	5

Kierunek zaporowy: Charakterystyka U f (I).

U [V]	I [mA]
9	88,9
8,89	85
8,79	76
8,69	52
8,6	34
8,5	20
8,4	3,9
8,3	0,78
8,2	0,4
8,1	0,07

3.Zależność rezystancji statycznej R_ST od napięcia polaryzującego U_R (kierunek zaporowy).

U [V]	RST [kΩ] (Ge)	RST [kΩ] (Si)
10	2	2000000
20	2,5	2500000
30	3,33(3)	2500000
40	4	2857143
50	4,545	3333333
60	5	3333333
70	5,385	3183183
80	5,33(3)	3200000
90	5,294	2812500
100	5	2380952

Charakterystyka R_ST f(U_R).

Si

Ge

4.Zależność rezystancji statycznej R_ST od prądu przewodzenia I_F (kierunek przewodzenia).

I [A]	RST [Ω] (Ge)	RST [Ω] (Si)
0,005	50,12	125,62
0,01	29,2	67,93
0,02	16,4	35,535
0,03	11,68	24,483
0,04	9,2675	18,6725
0,05	7,668	15,156
0,06	6,5917	12,78
0,07	5,8186	11,0714
0,08	5,1963	9,79625
0,09	4,7022	8,78444
0,1	4,34	7,998

Charakterystyka R_ST f(I_R).

Si

Ge

5.Zależność rezystancji dynamicznej R_d od napięcia polaryzującego U_R (kierunek zaporowy).

UR [V]	Rd [kΩ] (Ge)	Rd [kΩ] (Si)
0	0	0
10	2	2000000
20	3,333333	3333333,333
30	10	2000000
40	10	5000000
50	10	10000000
60	10	3333333,333
70	10	2500000
80	5	3333333,333
90	5	1428571,429
100	3,333333	1000000

Charakterystyka R_d f(U_R).

Si

Ge

6.Zależność rezystancji dynamicznej R_d od prądu przewodzenia I_F (kierunek przewodzenia).

If [V]	Rd [Ω] (Ge)	Rd [Ω] (Si)
0	0	0
0,005	50	125,62
0,01	8,4	10,3
0,02	3,6	3,14
0,03	2,24	2,38
0,04	2,03	1,24
0,05	1,27	1,09
0,06	1,21	0,9
0,07	1,18	0,82
0,08	0,84	1,37
0,09	1,65	0,69
0,1	0,18	0,92

Si

Ge

Charakterystyka R_d f(I_f).

Przykładowe obliczenia.

Ad.3.

Obliczenie rezystancji statycznej R_ST :

Dla diody germanowej DZG - 4:

Dla diody krzemowej DK - 60 :

Ad.5.

Obliczenie rezystancji dynamicznej R_d :

Dla diody germanowej DZG - 4 :

Dla diody krzemowej DK - 60 :

WNIOSKI I SPOSTRZEŻENIA :

1. Z charakterystyk statycznych wynika, że spadek napięcia na diodzie germanowej wynosi 0,2 - 0,3 V, a na diodzie krzemowej 0,6 - 0,7 V.

2. Prąd płynący przez diodę germanową w kierunku zaporowym jest rzędu mA , a w przypadku diody krzemowej rzędu nA.

3. Dioda Zenera w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda krzemowa , zaś w kierunku zaporowym jak wynika z charakterystyki przy U_z≈const. następuje przyrost prądu (stabilizacja napięcia).

4. Rezystancja statyczna R_ST diody krzemowej w kierunku zaporowym jak i przewodzenia jest większa od rezystancji statycznej R_ST diody germanowej.

5. Rezystancja dynamiczna R_d diody krzemowej w kierunku zaporowym jak i przewodzenia jest większa od rezystancji dynamicznej R_d diody germanowej.

6. Ewentualne różnice pomiędzy wartościami rzeczywistymi a wynikami pomiarów mogą być spowodowane błędem paralaksy, klasą dokładności mierników, błędami pośrednimi (indukcyjność i rezystancja przewodów i łączy).

---