Pytania i odpowiedzi Światłowody, Różne Spr(1)(4)


- włókna jednomodowe SMF

- włókna jednomodowe z przesuniętą dyspersją DS-SMF

- włókna jednomodowe z niezerową przesuniętą dyspersją NZDS-SMF

- włókna NZDS-SMF z niezerową i przesuniętą dyspersją TrueWave (+/-) firmy Lucent Tech.

- włókna NZDS-SMF z niezerową i przesuniętą dyspersją AllWave firmy Lucent Technologies

- włókna NZDS-SMF z niezerową i przesuniętą dyspersją LEAF

- włókna NZDS-SMF z niezerową i przesuniętą dyspersją TeraLight firmy Alcatel

Dioda p-i-n stanowi modyfikację podstawowej struktury p-n. Charakterystyczną cechą konstrukcyjną fotodiody p-i-n jest szeroka samoistna warstwa półprzewodnikowa rozdzielająca obszary p oraz n. Warstwa ta nie zawiera swobodnych nośników ładunku. Znaczna szerokość warstwy samoistnej zwiększa prawdopodobieństwo absorpcji fotonów właśnie w jej wnętrzu. Poprawia to zdecydowanie czułość takiej diody oraz szybkość jej działania w porównaniu z fotodiodą p-n.

Przy polaryzacji wstecznej diody obszar ładunku przestrzennego znajduje się głównie w warstwie i. Z chwilą, gdy napięcie na fotodiodzie p-i-n osiągnie taką wartość, że obszar i zostanie całkowicie zajęty przez ładunek przestrzenny, wtedy fotodioda taka reprezentuje pojemność. Wartość tej pojemności zmienia się przy dalszym wzroście napięcia tym mniej, im większą rezystywność ma obszar typu i.

Zaabsorbowany przez krzem foton generuje pary elektron-dziura. Jeżeli absorpcja fotonu ma miejsce w warstwie i, wówczas dziura i elektron są rozdzielane przez pole elektrostatyczne w tej warstwie. W celu uzyskania możliwie największej sprawności kwantowej zjawiska wewnętrznego wskazane jest, aby warstwa p była jak najcieńsza, a warstwa i najgrubsza. Zbyt gruba warstwa typu p powoduje znaczne zmniejszenie częstotliwości granicznej, zatem jej wielkość jest pewnym kompromisem.