8

Domieszkowanie polega na wprowadzeniu do struktury kryształu dodatkowych atomów pierwiastka, który nie wchodzi w skład półprzewodnika samoistnego. Na przykład domieszka krzemu (Si) w arsenku galu (GaAs). Ponieważ w wiązaniach kowalencyjnych bierze udział ustalona liczba elektronów podmiana któregoś z jonów atomem domieszki może spowodować wystąpienie nadmiaru lub niedoboru elektronów.

Wprowadzenie domieszki produkującej nadmiar elektronów (w stosunku do ilości niezbędnej do stworzenia wiązań) powoduje powstanie półprzewodnika typu n, zaś domieszka taka nazywana jest domieszką donorową. W takim półprzewodniku powstaje dodatkowy poziom energetyczny (poziom donorowy) położony w obszarze energii wzbronionej bardzo blisko dna pasma przewodnictwa, lub w samym paśmie przewodnictwa. Nadmiar elektronów jest uwalniany do pasma przewodnictwa (prawie pustego w przypadku półprzewodników samoistnych) w postaci elektronów swobodnych zdolnych do przewodzenia prądu. Mówimy wtedy o przewodnictwie elektronowym, lub przewodnictwie typu n(z ang. negative- ujemny).

Zad.16

Moment pędu elektronu jest równy n razy h kreś/ne (h kreślne - stała Plancka h podzielona przez 2tt). Tylko na orbicie zgodnej z tym postulatem, elektron nie promieniuje.

Zad. 17

Napięcie prądu.

Zad. 18

Z rozpadem jądra.

Zad.19

Przyspieszenie ziemskie w środku Ziemi maleje liniowi i zmierza do zera. Dzieje się tak, ponieważ jak ciało znajduje się już na jakiejś głębokości h, to ta część planety która znajduje się po drugiej stronie równoważy dodatkowe siły.