Image159

Na rysunku 4.115 przedstawiono organizację pamięci o pojemności 16 słów czterobitowych. Jeśli linia słowa nie jest wybrana, to występuje na niej potencjał około 0,3 V i jeden z tranzystorów 77 lub T2 przewodzi, a drugi jest zatkany. W celu odczytania informacji z przerzutnika, na linię słowa jest podawane napięcie o wartości +3 V. Wzmacniacz różnicowy dołączony do linii bitowych D, D odczytuje stan przerzutnika. Jeśli tranzystor T2 przewodzi, to potencjał linii D jest niższy niż potencjał linii D, co wzmacniacz różnicowy odczytuje jako stan 0.

Operacja zapisu jest podobna do operacji odczytu. Na linię słowa jest podawane napięcie +3 V. Jeśli chcemy zapisać stan 0 w przerzutniku, to potencjał linii D jest obniżany do około 2 V. Powoduje to przewodzenie tranzystora T2. Aby zapisać stan 1, należy obniżyć potencjał linii D._t

Pojedyncza komórka pamięci pobiera około 800 pW mocy.

Bipolarne pamięci RAM są wykonywane głównie w technologii TTL-S, TTL-LS i ECL. Te ostatnie zapewniają największą szybkość działania i są stosowane głównie w komputerach wymagających elementów o największej szyb-

169