PIC30
Uwaga!
W cefal ograniczenia możliwości generacji syealfo zakłócających me wykorzystane wejścia bramek 771 NASD należ) podłączać do zacisku zasilania UB (poprzez rezystor tkni.
3. Układy scalone VLSL Technologia CMOS
Podstawową komórką układów CMOS (komplementarna technologia .MOS) jest inwerter. zbudowany z dwóch tranzystorów MOSFET normalnie wyłączonych (E-MOSFET)o przeciwnych typach kanałów (rys 3.4.)1'
Ryi. 34. InwaioOdOS-schemat elektryczny
Rysunek 3i. przedstawia okład elektryczny oraz syw** dwuwejfciowej bramki CMOS NAND oraz NOR.
° U.TaH*.(fa. Setek, Układy ptyrzcwoJoikowt, WNT 1996
Ry*.3J . Układ elektryczny oraz symbol dwuwejfciowej bramki CMOS: a) N AND. b) NOR.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
spektroskopia015 30 Wśród tych ograniczeń wymienić należy pominięcie efektów, choćby takich jak oddz
Slajd26 (123) Politechnika Wrocławska USPOKOJENIE RUCHU - ograniczenia możliwości przejazdu Politech
Dostęp wewnątrzustny (przez jamę ustną): WADY: ■ Ograniczona możliwość
ka ograniczenia możliwości poznawczych winny być znane nauczycielowi organizującemu proces edukacji
WSP J POLN254140 461 Kategorie gramatyczne wspótczesnei polszczymy Względy semantyczne ograniczają m
Wady Zalety restrykcyjne ustawodawstwo ograniczające możliwość składowania wielu odpadów, m
więcej podobnych podstron