nr |
I ypowa szerokość ścieżki w technologii grubowarstwowe! to a! 0 t 1 b) 30 mm, c) 300 pin. J ’0,3 v“n' | |
2. |
Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych, a) 5 pm, b) 0,05 pm, c) 500 pm. | |
3. |
Metody wykonywania elementów grubowarstwowych: a) rozpylanie magnetronowe, b) sitodruk, c) dyfuzja. | |
4. |
Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoża ' ceramiczne: a) A^Oj, b) BeO, c) A1N. | |
5. |
Hozrzuty wartości rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu (bez korekcji) wynoszą: a) ± 0,2 %, b) ± 2 %, c) ± 20 %. | |
6. |
Nośnik organiczny wchodzący w skład past decyduje o: a) właściwościach elektrycznych, b) przyczepności wypalonej warstwy, c) lepkości pasty | |
1 7. |
Procesy zachodzące w czasie wypalania warstwy rezystywnej: a) usuwanie składnika organicznego, b) tworzenie stopu PdAg , c) powstawanie porów. | |
8. |
Metoda Fodel polega na: a) obróbce fotolitograficznej wypalonej warstwy, b) obróbce fotolitograficznej wysuszonej warstwy, c) nacinaniu laserem. | |
9 |
Zalety układów polimerowych: a; niska cena, bj duża stabilność, c) możliwość stosowania tanich podłoży. | |
10. |
Pomiędzy ziarnami przewodzącymi w rezystorach grubowarstwowych występuje przewodnictwo: a) emisja połowa, bj skokowe, c) tunelowe. | |
■>- |
. Struktury do układów MCM są montowane metodą: a) lutowania, b) montażu powierzchniowego, cj metodą flip chip | |
12 Układy MCM-', są wykon)-**?* a, technika grubowarstwową, bi techniką I Cienkowarstwową c> technikami półprzrwodnikowymi. | ||
13 |
; Folie LTCC są wykonywane techniką: a) wylewania (tape casting), ; b) natryskiwania plazmowego, cj sitodruku. | |
: Typowe grubości surowej ceramiki LTCC: a) 100 pm, b) 1000 pm. | ||