Zdjęcie0140

I.
3.	f^™^STwS'“Sj^byi ™°“°“ " ^p^'°“
	b/5 fig™** ^w ukiadach grubowarsiw owy ch a) 0.05 pm.
5.	Składnik podstawowy past decyduje 0: a) właściwościach clcktry czny ch, 1 o) pncyczepnoki. c) lepkości pasty |
6.	Rozrzuty wartości rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu (bez korekcji) wynoszą a) ± 1 %, b) ± 20 %. c) ± 100 %.	•
7.	Metoda l odcl polega na: a) obróbce fotolitograficznej wysuszonej warstwy b) obróbce fotolitograficznej wypalonej warstwy, c) nacinaniu laserem
*	Procesy zachodzące w czasie wypalania warstwy rezystywnej: a) usuwanie składnika organicznego, b) zagęszczanie szkła, c) powstawanie porów.
9	Pomiędzy ziarnami przewodzącymi w rezystorach grubowarstwowych występuje przewodnictwo: a) tunelowanie, b) skokowe, c) emisja połowa.
10.	Zalety układów polimerowych: a) niska cena, b) duża stabilność, c) wysokie dopuszczalne moce.
n	Układy MCM-D są wykonywane: a) techniką grubowarstwową, b) techniką cienkowarstwową, c) technikami półprzewodnikowymi.
12.	Struktury do układów LTCC są montowane metodą: a) lutowania, 1 montażu powierzchniowego, c) metodą flip chip.
13. !	rypowe grubości surowej ceramiki LTCC: a) 5 pm, b) 100 pm, c) 1000 pm.
14	olie LTCC są wykonywane techniką: a) sitodruku, b.i wylewania (tapc casting), c) natryskiwania plazmowego.
15 , I	/twory * surowej ceramice LTCC wykonuje się: a) laserem, wykrojnikiem mechanicznym, c) wiązką elektronów