Zdjęcie003 (2)

Technikę RBS stospjc się racie} do wykrywania cięższych pierwiastków można wówcias osiągnąć czułość 0,1 % at. Zmieniając energię wiązki pierwotnej i masę Jonów można wprawdzie a>' 'izować pierwiastki lżejsze, ale tylko wtedy gdy są one głównymi składnikami oadanego materiału.

Mimo malej zdolności rozdzielczej ( około I mm), metodę RBS stosuje się powi/cchnlo w badaniach powierzchni, ponieważ pozwala ona na określenie głębokościowych rozkładów pierwiastków nie niszcząc przy tym powierzchni analizowanych próbek. Ponadto wykorzystując zjawisko tzw. chąnnellingu można wyitnacayó poło śmie atomów w komórce.

Metoda spektrometrii jonów wtórnych SIMS (Secondary łon Mass Spectroaetry) «*_f

Wiązka Jonów gazów szlachetnych o energii rzędu kilku keV wywołuje na powierzchni materiałów procesy , które można podzielić na dwie grapy:

•    zmiany strukturalne w obszarze oddziaływania wiązki

•    procesy omląji

Pierwsze z nich obąjimdą wbudowywanie jonów w sieć bombardowanego materiału oraz przekazywanie energii do sieci, co prowadzić może do reakcji chemicznych i zmiany uporządkowania strukt iralnego w sieci.

Procesy emląji obcjnndą:

•    emląję wtórnych elektronów

•    emląję atomów lub i oh klasterów ■ emisję fotonó*’

•    emląję Jonów wtórnych lub ich klasterów

Analiza masy Jonów wtórnych oraz ich klasterów pozwała określić skład powierzchni badanych materiałów i w tym celu wykorzystuje się urządzenia:

-    mikroskop jonowy, charaktciyzujący się dużą zdolnością rozdzfAzą wynoszącą ok. 1 pm

•    mikro,sonda jonowa będąca odmianą klasycznego spektrometru masowego, w której wiązka jonów o energii £ - 15 keV jest ogniskowana na powierzchni o środnicy ok,l pm

-    kwadropulowogo spektrometru masowego z filtrem energii, gdzie jony o energii 100 - 3000 kcV padają na powierzchnię ok. 1 pm

Stosowane w pierwszym i drugim typie urządzcĄ duże gęstości prądów jonowych powodąją szybkie usuwanie warstw powierzchniowych zkzcz tzw. trawienie rozpyląiące (ang. sputter efching) co utrudnia badanie zewnętrznych warstw powierzchni Pozwala to jednak na określenie profili głębokościowych koncentrat i poszczególnych składników. Mniejsze gęstości prądów obniżają szybkość trawienia rozpylającego co umożliwia badanie składu zewnętrznych' warstw powierzchniowych.