Zdjęcie002 (2)

Technikę RUS stosuje |i| raczej do    c.ę. ^(pierwiastków i

można wówczas osiągnąć czulośc ¹u.! ■ ai /nucnuu energię wiązki pierwotnej i masę jonów można wpnv : x 'izow.ic pierwiastki lżejsze, ale tylko wtedy gdy są one^ównymi składnik .iiiii i\m.-:icgo uaicitulu.

Mimo maiqj zdolności rozdzielczej okol o 1 uunj, mdBą RBS stosuje się powszechnie w badaniach powicraefeni., ponieważ pozwala ona na określenie głębokościowych rozkładów pierwiastków nie niszcząc przy tym powierzchni analizowanych próbek, fonadto wyi.orz> siując zjawisko tzw. cbpnnelUngu można wyznaczyć położenie atomów w komórce.

Metoda spektrometrii jonów wtórnych SI MS ( Sccootisiy łon Mass Spectrometry) 1 _/

W&k.n jonów gazów szlachetnych o energii rzędu kilku keV wywołuje ąa powierzchni matari&łów procesy, które można podzielić na dwie grupy .

•    zmiany strukturalne w obszarze oddziaływania wiązki

•    procesy emisji

Pierwsze z nich obejmują wbudowywanie jonów w sieć bombardowanego materiału oraz przekazywanie energii do sieci, co prowadzić może do reakcji chemicznych i zmiany uporządkowania struła rałne&n w sieci.

Procesy emisji obejmują:

•    emisję wtórnych elektronów

-    emisję atomów lub ich klasterów

-    emisję fotonó v

-    emisję jonów wtórnych lub ich klasterów

Analiza masy jonów wtórnych oraz ich klasterów pozwala oKreśiić skład powierzchni badanych materiałów i w tym celu wykorzystuje się urządzenia:

•    mikroskop jonowy, charakteryzujący się dużą zdolnością rozdzfAzą wynoszącą ok. 1 pm

-    mikro sonda jonowa będąca odmianą klasycznego spektrometru masowego, w której wiązka jonów o energii ? — 15 keV jest ogniskowana na powierzchni o średnicy ok. 1 pm

-    kwadropulowego spektrometru masowego z filtrem energii, gdzie jeny o energii 100 - 5000 keV padają na powierzchnię ok. 1 pm

Stosowane w pierwszym i drugin. typie urządzeń duże gęstości prądów jonowych powodują szybkie usuwanie warstw powierzchniowych jeczez tzw. trawienie rozpylające (ang. sputter efching) co utrudnia badanie zewnętrznych warstw powierzchni. Pozwala to jednak na określenie profili głębokościowych koncentracji poszczególnych składaków. Mniejsze gęstości prądów obniżają szybkość trawiona rozpylającego co umożliwia badanie składu zewnętrznych' warstw powierzchniowych.