1tom200

402

7. ELEKTRONIKA

Rys. 7.91. Montaż na płytkach drukowanych: a) przewlekany: / — element, 2 — płytka, 3 ścieżka przewodząca, 4 lutowie; b) powierzchniowy SMT: 1 — element, 2 — lutowie, 3 klej, 4 — ścieżka przewodząca, 5 — płytka; c) SMD — obudowa prostopadłościenna: d) SMD — obudowa SOT23; c) SMD — obudowa SO-14; f) SMD — nośnik struktury (ang. chip carrier) 24-końcówkowy

SMD (ang. Surface Mounted Deuices), o końcówkach bezdrutowych (metalizacje) — rys. 7.91. Dzięki SMT osiąga się zwiększenie gęstości upakowania, skrócenie przewodów łączących elementy, a więc zmniejszenie wartości pojemności i indukcyjności pasożytniczych (bardzo ważne w układach impulsowych przy dużych częstotliwościach). Szczególną uwagę trzeba zwrócić na problem odprowadzania ciepła — dobór materiałów, konstrukcji elementów i ich wzajemnego rozmieszczenia. Zaczęto stosować SMT do układów mocy (do 20 W strat).

WYKAZ WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ

Wielkości, współczynniki, stałe A — amplituda, wzmocnienie B — szerokość pasma F widmo mocy II — poziom wysoki

h — hybrydów'}- współczynnik proporcjonalności, współczynnik zaw-artości harmonicznych i — półprzewodnik samoistny J gęstość prądu K — moduł wzmocnienia

fc    stała Boltzmanna, współczynnik wzmocnienia

L    poziom niski

m    —    metal

n    —    elektron

p    —    dziura

q    —    ładunek elektronu

S    czułość, wrażliwość

s    —    półprzewodnik, sygnał

T    -    temperatura bezwzględna, K

WYKĄZ

W

ażniejszych oznaczeń

403

Skróty (akronimy)

Części konstrukcyjne A — anoda R baza, podłoże C — kolektor D — dren E - emiter G — bramka K — katoda S — źródło T tyrystor

Przymioty

AV{average) — średnia arytmetyczna BR (break) — przebicie E (forward) kierunek przewodzenia H (hołd) — podtrzymanie L (load) — obciążenie Af (maximal) maksymalny R (rever$e) — kierunek zaworowy S (surge) — szczytowy TO (threshold) — próg Z - Zener

_ temperatura, "C

szerokość pasma, poziom energetyczny, energia __ admitancyjny współczynnik proporcjonalności ^ _ współczynnik wzmocnienia prądu emitera, bazy

współczynnik wypełnienia impulsu __ ruchliwość nośników

Wskaźniki dolne (sens przymiotnikowy) nie mające

odpowiednika w oznaczeniach wielkości

_a -- akceptor

amb, a - otoczenie

crit - krytyczny, graniczny

d - donor, dolny

y - sprzężenie zwrotne

g _ górny, bramka

7, i — wejście

j - złącze

O.o — wyjście

rr - przejściowy

ref — odniesienia, referencyjny

th termiczny, cieplny

LITERATURA

7.1.

7.1

7.3.

7.4.

7.5.

7.6.

7.7.

7.8.

7.9.

7.10.

7.11. 7.11 7.13.

Ćwirko R., Rusek M., Marciniak W.: Układy scalone w pytaniach i odpowiedziach. Wyd. 2 rozszerzone i uaktualnione. Warszawa, WNT 1987.

Chabłowski J., Skuliinowski W.: Elektronika w pytaniach i odpowiedziach. Wyd. 2 uaktualnione. Warszawa, WNT 1982.

1'crenczi Ó.: Zasilanie układów elektronicznych. Zasilacze ze stabilizatorami do pracy ciągłej. Przetwornice DC-DC. Warszawa, WNT 1988.

1EC Publication 134.

Jaczewski J., Opolski A., Stolz J.: Podstawy elektroniki i energoelektroniki. Warszawa, WNT 1981.

Jeleń K.: Montaż powierzchniowy. Elektronizacja. 1987. Nr 1.

Kaslik Z., Pavlu J., Sopko 13.: Kremik souhm fyzikalnich vlastnosti (krzem — zestawienie właściwości fizycznych). El. Ćasopis. 1988. ć. 7., s. 542-559.

Klasche G., Ilofer R.: Układy elektroniki profesjonalnej. Warszawa, WKiŁ 1985.

Książkiewicz A.: Elementy i podzespoły elektroniczne. Poradnik warsztatowy. Warszawa, WNT 1987.

Kulka Z., Libura A.. Nadachowski M.: Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe. Warszawa, WKiŁ

1987.

Kulka Z., Nadachowski M.: Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych. Warszawa, WNT 1986.

7.14

7-15

7.16

7.17

7.18

7-19.

Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Wyd. 2 uzupełnione. Warszawa, WNT 1984. NPCP. Katalog wyrobów CEM1 1983/1984. Warszawa 1983. Cz. 1. Elementy dyskretne. Cz. 2. Bipolarne układy scalone. Cz. 3. Układy CMOS serii MCY74/64. Cz. 4. Unipolarne układy scalone i układy systemu mikrokomputerowego.

•    Picńko.ś J., Turczyński J.: Układy scalone TTL w systemach cyfrowych. Wyd. 3 zmienione. Warszawa, WKiŁ 1986.

•    Poradnik konstruktora sprzętu elektronicznego. Praca zbiorowa pod kierunkiem S. Stępnia. Warszawa, WKiŁ 1981. R^k M., Ćwirko R., Marciniak W.: Przewodnik po elektronice. Warszawa, WNT 1986.

Szabatin J.: Podstawy teorii sygnałów. Warszawa, WKiŁ 1982.

Szuba S.: Optymalizacja projektowania impulsowych przekształtników mocy prądu stałego z tranzystorami ^Polarnymi. Lublin, Wyd. Politechniki Lubelskiej 1984. Prace IPiUEE, Seria A, nr 5.

Tictze U., Schenk Ch.: Układy półprzewodnikowe. Wyd. 2 całkowicie zmienione i poprawione. Warszawa, WNT 1987.