2tom288

8. ENERGOELEKTRONIKA 578

Tablica 8.1 (cd.)

Lp.	Nazwa zaworu	Skrót angielski	Symbol graficzny	Charakterystyka obwodu głównego	Sygnały przełączające ON. OFF
			Tranzystory

^ŁC‘

10

Bipolarne

dyskretne

BJT

n-p-n

ON SUS OFF

TT

Bipolarne złożone (Darlingtona)

jw.

JW.

12

Unipolarne

bezzłączowe

(wzbogacane)

MOSFET

1GFET

J*

NMOS S

U_es=0

JW.

13

Mieszane bipolarne z bramką izolowaną

IGBT

IGT

BIMOS

jak Ip. 10

14

Elektrostatyczne (Static induction)

SIT

Brak

uniwersalnego

symbolu

jak ip. 10

(HZ)

ON OFF

n

Skrót} angielskie: SCR - Silicon Controlled Rectifier, ASCR - Asymetrical SCR; RCF - Reoerse--Conducting Thyristor, GATT - Gale Assisted Tum-off Thyrisior, LASCR - Light Aciicated SCR\ TRIAC - Triode AC Swilch; GTO - Gale Tum-off Thyrislor, MCT - MOS Controlled Thyristor, SITh - Static Induction Thyristor, FCTh - Field Controlled Thyristor, BJT - Bipolar Junction Transistor, MOSFET - MOS Field-Effect Transistor, IGFET - Insulated-Gate FET; IGBT - Insulated-Gate Bipolar Transistor, SIT - Static Induction Transistor

Rys. 8.1. Rodziny zaworów i ich sterowalność, podział wg rodzaju nośników: B bipolarne, U unipolarne, BiU — oba rodzaje nośników

Tablica 8.2. Ważniejsze indeksy (wskaźniki) dolne U> / diod i tyrystorów

Pierwsza litera	Dalsze litery
Kierunek (stan)	Wartość	Częstość występowania wartości
D blokowania tyrystora T — przewodzenia tyrystora F — przewodzenia diody R — wsteczny	(A V) średnia (RMS) — skuteczna \f — szczytowa, graniczna (TO) — progowa W — praca ciągła Q — wyłączalna (BO) — przełączenia napięciowego (BR) - przebicia wstecznego	R — powtarzalna S jednorazowa (niepowtarzalna) RM — powtarzalna szczytowa SM — jednorazowa szczytowa
Relacje wartości kierunku F, T TO < AV< RMS < M < BO		Relacje wartości kierunku R (bezwzględne) RWM < RRM < RSM < BR

Diody dzieli się na trzy podstawowe grupy:

1)    prostownicze p-n prądu przemiennego / = 50/60 Hz;

2)    szybkie p-n, tzw. FRED (ang. Fast Recovery Diodę);

3)    Schottky’ego (złącze m-s).

Osiągalne parametry diod wg stanu z lat dziewięćdziesiątych: ad 1) U_RVIV = 5 kV (diody WN do 10 kV), I_F(AV) = 7000 A, t„ > 10 ps; ad 2) V _RRM = 4,5 kV, I_P(AV) = 2000 A, t„ < 10 ps, nawet rzędu nanosekund; ad 3) V_RRM = 200 V, I_FiAV) = 500 A, t„ < 10 ps. Diody szybkie dzieli się także wg tendencji do oscylacyjności prądu wstecznego i_R (rys. 8.2) na miękkie (ang. soft) i twarde albo strome (ang. snappy) i charakteryzuje współczynnikiem 5 = tjtf, S « 1 — miękkie, S < 1 — twarde.

Tyrystory i tranzystory — skróty, symbole graficzne i charakterystyki przedstawiono w tabl. 8.1, osiągalne parametry wg stanu z lat dziewięćdziesiątych — w tabl. 8.3. Uwaga: wartości osiągalne (tabl. 8.3) z reguły nie występują w' tym samym typie konkretnego zaworu.

37*