04.13)
„e~n.cxp
przerwy energetycznej. n. - g^tołć elektronów walencyjny gdzie- E. 5*T° ^ P, w tnittnowniku jest rezultatem tego. >e w p«przew,Hl,llkl.
« krys/idlc- Czyn Fcnnicgo jest w połowic przerwy energetyczni. a nic na samoistnym po/jo encyjnego.
wierw^hołłeu pasma nie/nac/.nie z temperaturą. a rośmc wykładnie/*
można op,sać równan,cm
a = <r,exp 2JcT
■—(,4,4) 0,r,ymuje się £fi
Itiff * ,n<T* “ 2X T
04.14)
04.15)
/c w półprzewodnikach liczba nośników ładunków Z rozwal*' vfc^",bko wraz z temperaturą i spowodowany lym wzrósł elektrycznych rojnic większy nil jej obniżenie, spowodowane zmntcjs/cnicm
przewodności ’ ruChliwości. dlatego przewodność elektryczna półpr/cwod-
/ncj od rośnic szybko ze wzrostem temperatury W metalach liczba
n'^kin>nadprzewodnictwa jest natomiast niezależna od temperatury. a ich ruch-e'C ^"Uy’c Wzg|ędu na ich rozpraszanie przez drgające atomy, maleje /. temperaturą temperatury na przewodność metali jest zatem rezultatem wpływu tern-r|lUrv na ruchliwość elektronów. Wpływ temperatury na przewodność elektryczną Aluminium (metal) i germanu (półprzewodnik) przedstawiono na rys 14.13.
Wartości przerwy energetycznej dla niektórych półprzewodników samoistnych oraz ruchliwości w nich elektronów i dziur elektronowych podano w tabl. 14.3
PRZYKŁAD 14.4. Oblicz ułamek atomów germanu doMarc/.ajigiych elektronów przewodnictwa w temperaturze 300 K (przy założeniu, ze z atomu może bvć me więcej niż jeden elektron w paśmie przewodnictwa)
Rozwiązanie. Korzystając z tabl. 2. liczbę atomów Ge w 1 m> można obliczyć następująco
gęstość Ge - 5.324 Mg m~3 masa atomowa Ge - 72.59 g mol ~1
liczba atomów w 1 m3 = (5.324 l()6g m'3)
6.023 102 3 mol'1 ^ V 72.59 g mor1 J
= 4,4 1028 nr3
23- 10ism~3 4,4-1028 m"3
5.2- lO"10
PRZYKŁAD 14.5. Oblicz przewodność właściwą germanu w 100°C.
Rozwiązanie. Z równania (14.12)
oraz z tabl. 14.3 otrzymujemy
Z równania (14.14)
i _
a
er#cxp -
^JL
2 kT
475