ej
© 0 © © © |
©©©©© | |
o o o o o |
• • • • • | |
©©©©© |
©©©©© | |
o o o o o |
• • • • • | |
0000© |
©©©©© | |
O O 0 o o |
• • • • • |
• elektrony © zjonizowane © zjonizowane o dziury akceptory donory
Styk metaliczny (elektroda)
Promieniowanie słoneczne
Cienkościenna przezroczysta warstwa typu n
Podłoże przewodzące (elektroda)
P
(fragment)
Moc ogniwa
Rys. 15.39. Schematy działania ogniwa fotoelektrycznego: a) i b) rozkłady nośników przed i po zetknięciu elementów złącza p-n; c) rozkład gęstości ładunku przestrzennego p; d) powstawanie bariery potencjału na granicy warstw złączą p-n; e) i f) schemat ideowy i przykładowe charakterystyki prądowo-napięciowe oraz mocy ogniwa fotoelektrycznego; As - strefa złącza; E - pole elektryczne
Punkt maksymalnej mocy Charakterystyki dla różnych natężeń promieniowania słonecznego
Siła fotoelektryczna obwodu otwartego UmM
m 200 300 rn^sod
Charakterystyka \ w ciemności (dioda) '
Te niezneutralizowane jony (donorowe i akceptorowe) w pobliżu złącza p-n tworzą dipolową warstwę zaporową ładunku przestrzennego - rysunek 15.39c. Powstającej nierównowadze ładunku towarzyszy różnica potencjałów Uh, która jest nieco mniejsza od bariery energetycznej Eg.
Różnica potencjałów Uh wytwarza silne (wewnętrzne) pole elektryczne skierowane od warstwy n do p przeciwdziałające przepływowi elektronów z warstwy n do p i przemieszczeniem się dziur z warstwy p do n. To wewnętrzne pole elektryczne powstało dzięki odpowiedniej strukturze złącza p-n (bez udziału zjawiska fotoelektrycznego). Nośniki mniejszościowe - elektrony w materiale typu p i dziury w materiale typu n, które dyfundują w obszar ładunku przestrzennego, są przez pole elektryczne przyspieszone (spełniony został warunek 2)) i pokonują
594