IMG&75

dc - współczynnik wzmocnienia prądowego w układzie wspólnej bazy (współczynnik wzmocnienia prądowego prądu kolektora) - stosunek liczby nośników wpływających do kolektora do liczby nośników wstrzykiwanych przez złącze emiter-baza. AIe^/AIb=(AIc+AIb)^/AIb= p+1 przykłądowo 100 35. Opisz rozpływ prądu w tranzystorze bipolarnym typu npn w układzie WBaza (OB). Zasada działania tranzystora n-p-n.

&    ę

W wyniku przyłożenia napięć do elektrod tranzystora, elektrony jako nośniki większościowe przechodzą z emitera do bazy, gdzie stają się nośnikami mniejszościowymi i część z nich rekombinuje z dziurami wprowadzanymi przez kontakt bazy. Elektrony przechodzące przez złącze emiter-baza mają określone prędkości i jeżeli obszar bazy jest wąski, to prawie wszystkie przejdą do kolektora, gdzie staną się ponownie nośnikami większościowymi i zostaną usunięte z obszaru kolektora do obwodu zewnętrznego.

Jeżeli złącze kolektor-baza jest spolaryzowane w kierunku zaporowym, tzn. kolektor ma wyższy potencjał niż baza, to pole elektryczne występujące w tym złączu powoduje unoszenie nośników z obszaru bazy do obszaru kolektora. Wartość prądu płynącego przez kolektor może być regulowana przez zmianę wysokości bariery złącza emiterowego, czyli przez zmianę napięcia polaryzującego złącze emiter-baza. Przez złącze baza-kolektor płynie prąd związany z polaryzacją, tzw. Prąd zerowy kolektora - 1CBO. Płynie on nawet wtedy gdy złącze baza-emiter nie jest spolaryzowane (fl£ = 0). Przez tranzystor płynie również prąd zerowy ICBO, gdy IB = 0