Laboratorium Elektroniki cz I 1

58

strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wynikająca z różnych warunków pracy tranzystora:

Pmax = IcUcB + IeUeB = IcUcB

Krzywa mocy admisyjnej jest hiperbolą lc = P_max/UcB, co przedstawiono na rys. 2.7.

Rys 2 7 Dozwolony obszar pracy tranzystora w układzie OB

2.    Prąd maksymalny l_Cmax - maksymalny dopuszczalny prąd kolektora wynikający ze zmian współczynnika wzmocnienia prądowego (duże zniekształcenia nieliniowe wzmacnianego sygnału) lub nadmiernej ilości ciepła wydzielonego w tranzystorze (rys. 2.7).

3.    Prądy zerowe Icbo. Ubo Prąd zerowy I_Cbo jest prądem zaporowym złącza kolektor-baza płynącym przy |

rozwartym emiterze (Ie = 0) dla określonego napięcia Ucb.

Prąd zerowy I_Cbo wyznacza obszar odcięcia tranzystora pracującego w układzie OB (rys. 2.7) i jest miarą jakości tranzystora. Dla tranzystorów germanowych jego wartość zawiera się w granicach od kilku do kilkudziesięciu pA, natomiast dla tranzystorów krzemowych od kilku do kilkunastu nA. Jego wartość silnie zależy od temperatury:

powered by

Mi sio!

lceo(Ti) = Icbo(T₀) 2^(T-^T»>^/X    (2.4)

gdzie: X - temperatura podwojenia,

w przybliżeniu podwajając się co 6° dla tranzystorów germanowych i co 10° dla tranzystorów krzemowych.

Prąd zerowy Iebo jest prądem zaporowym złącza emiter-baza płynącym przy rozwartym kolektorze (l_c = 0) dla określonego napięcia U_EB. Jest on istotny przy pracy inwersyjnej tranzystora.

4.    Napięcie przebicia U_Cbo - napięcie przebicia złącza kolektor-baza przy rozwartym emiterze (l_E = 0) i określonej wartości prądu kolektora lc (rys. 2.7). Jego przyczyną jest mechanizm przebicia lawinowego. W praktyce wartość tego napięcia nie zależy od wartości prądu emitera. W typowych tranzystorach małej mocy jego wartość zawiera się w granicach 50-250 V.

5.    Napięcie maksymalne UcBomax - maksymalna dopuszczalna wartość napięcia Ucb ustalona z pewnym zapasem względem napięcia przebicia U_Cbo (rys.2.7). Nie wyznacza się go na drodze pomiarowej, ale jego wartość wynika z konieczności osiągnięcia założonej niezawodności tranzystorów.

6.    Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego a* - stosunek prądu kolektora l_c do prądu emitera l_E skorygowany o wartość prądu zerowego I_Cbo:

a_N = —-dla U_CB = const.

^!e

Wartość współczynnika on jest bliska jedności i dla współczesnych tranzystorów zawiera się w granicach 0,990-0,999. Należy jednak pamiętać, że wartość a zależy od wartości prądu emitera, malejąc dla wartości prądu emitera mniejszych od ok.

1 mA i dla wartości większych od ok. 10 mA.

Przy pracy inwersyjnej tranzystora definiuje się też analogiczny współczynnik wzmocnienia prądowego ot). Ze względu na niesymetryczną konstrukcję tranzystora jego wartość jest mniejsza od wartości on i wynosi około 0,8.

2.2.4. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OB

Są to parametry wyznaczone dla tranzystora przy małej amplitudzie sygnału zmiennego, gdy tranzystor można traktować jako element liniowy. W zakresie małych częstotliwości wszystkie parametry tranzystora są wielkościami rzeczywistymi, a