Laboratorium Elektroniki cz I 1

198

Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystancyjnego

powered by

Mi siół

stosunkowo niewielkiego sygnału wyjściowego. Analogicznie w punkcie P₂ nastąpi obcinanie górnych „połówek” sygnału wyjściowego.

Należy zdawać sobie sprawę z faktu, że odpowiadający optymalnemu punktowi pracy P prąd bazy l_B(P) musiałby zostać odpowiednio zmieniony przy zmianie wartości rezystancji R_c. Dla przykładu, wzrost wartości rezystancji R_c powoduje przesunięcie punktu pracy P w miejsce P’“ (rys. 11.4a), które znajduje się zbyt blisko obszaru nasycenia tranzystora. Nowe, optymalne położenie punktu pracy P' wymaga zmiany prądu bazy z wartości l_Bi do l_B2. W praktyce, w wielu przypadkach do zaprojektowania wzmacniacza rezystancyjnego przedstawionego na rys. 11,3a wystarczają obliczenia przybliżone (z dokładnością ok. 10%), przeprowadzone przy następujących założeniach upraszczających:

-    prądy kolektora spełniają warunek: l_c<0,1 l_Cmax

-    hi2_e = łl22e ⁼ 0

199

-    P = h_2l9

-    częstotliwości sygnału wymuszającego zawierają się w zakresie 0-20 kHz. Założenia te pozwalają uprościć wzory z tablicy 11.1 do następującej postaci:

-    rezystancja wejściowa R_we = h_lle = cp_T —(11.2)

Ic(P)

- wzmocnienie prądowe K- = -B--—

¹ R+r

c o

W przypadku wzmacniacza nieobciąźonego, tzn. gdy R₀ = dowe przyjmuje wartość Ki = - (3.

- wzmocnienie napięciowe

^Rn B

— Lr O — r

k„ = k

' R..

(RJRJ

(11.3)

°°, wzmocnienie prą-

(11.4)

Po uwzględnieniu wyrażenia (11.2) i podstawieniu wartości cpr = 26 mV wyrażenie (11.4) można sprowadzić do postaci:

K_u = 38 l_c(P) (R_c II R₀)

(11.5)