Laboratorium Elektroniki cz I 1

78

CC

Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi i U_BEsai

3.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktów 1-5 oraz 7-8 należy przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy należy wyznaczyć parametry hi_j0.

3.    Wykorzystując zależności (3.6) należy obliczyć parametry h_ijb i porównać z wynikami uzyskanymi w ćwiczeniu 2.

4.    Uzyskane wyniki (dla h_ljs) porównać z danymi katalogowymi. Wyjaśnić różnice, j

5.    Na podstawie wyznaczonych parametrów hjj_e obliczyć wartości elementów schematu zastępczego typu „hybryd-n”.

6.    Wyznaczyć i porównać ze sobą wartości parametrów Pn, Pi, h2i_e- Skonfrontował otrzymane wartości z danymi katalogowymi i omówić (wyjaśnić) różnice.

7.    Przedyskutować uzyskane wyniki dla pomiarów I_Ceo. Icer. Ices.

8.    Wyznaczyć z wykresów napięcia nasycenia UcEsat i UeEsat- Porównać z danymii katalogowymi.

9.    Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane katalogowe.

3.7. Literatura

1.    W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 217-317.

2.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. Nr 2022. Gliwice

1997.

powered by

Mi siol

3    p. Reihold: lechnika pomiarów tranzystorów. WKŁ, Warszawa 1973. s. 19-40, 81-104.

4    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT, Warszawa 1975. s. 11-48, 120-126.128-142.

5    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

6. J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.