33666 Laboratorium Elektroniki cz I 1

198

a)

b)

c)

R_c=const

Ucc/, I_c/ cC = const Ucc''<Ucc<Uc<;

Ucc =const RcVlc/

a'< <x" R; > Rc

Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystancyjnego

stosunkowo niewielkiego sygnału wyjściowego. Analogicznie w punkcie P₂ nastąpi obcinanie górnych „połówek” sygnału wyjściowego.

Należy zdawać sobie sprawę z faktu, że odpowiadający optymalnemu punktowi pracy P prąd bazy l_B(P) musiałby zostać odpowiednio zmieniony przy zmianie wartości rezystancji R_c. Dla przykładu, wzrost wartości rezystancji R_c powoduje przesunięcie punktu pracy P w miejsce P^,n (rys. 11.4a), które znajduje się zbyt blisko obszaru nasycenia tranzystora. Nowe, optymalne położenie punktu pracy P* wymaga zmiany prądu bazy z wartości l_Bi do l_B2. W praktyce, w wielu przypadkach do zaprojektowania wzmacniacza rezystancyjnego przedstawionego na rys. 11.3a wystarczają obliczenia przybliżone (z dokładnością ok. 10%), przeprowadzone przy następujących założeniach upraszczających:

- prądy kolektora spełniają warunek: lc < 0,1 lcmax

-    hi_2e = h&e~ 0

-    P = h₂ie

-    częstotliwości sygnału wymuszającego zawierają się w zakresie 0-20 kHz. Założenia te pozwalają uprościć wzory z tablicy 11.1 do następującej postaci:

(11.2)

- rezystancja wejściowa R_wc = h_ilc = <P_T

P

I_C(P)

- wzmocnienie prądowe K- = -p--—    (11.3)

¹ R + R. c o

W przypadku wzmacniacza nieobciążonego, tzn. gdy R₀ = °°, wzmocnienie prądowe przyjmuje wartość K, = - p.

- wzmocnienie napięciowe

(11.4)

Po uwzględnieniu wyrażenia (11.2) i podstawieniu wartości (pi = 26 mV wyrażenie (11.4) można sprowadzić do postaci:

K_u = 38 l_c(P) (Rc II Ro) (11.5)