Laboratorium Elektroniki cz I 1

78

Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi

3.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktów 1-5 oraz 7-8 należy przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy należy wyznaczyć parametry hij₀.

3.    Wykorzystując zależności (3.6) należy obliczyć parametry h_ijb i porównać z wynikami uzyskanymi w ćwiczeniu 2.

4.    Uzyskane wyniki (dla h_ije) porównać z danymi katalogowymi. Wyjaśnić różnice.

5.    Na podstawie wyznaczonych parametrów hi_ie obliczyć wartości elementów schematu zastępczego typu „hybryd-IT.

6.    Wyznaczyć i porównać ze sobą wartości parametrów Pn, Pi. h₂i_e. Skonfrontować otrzymane wartości z danymi katalogowymi i omówić (wyjaśnić) różnice.

7.    Przedyskutować uzyskane wyniki dla pomiarów Iceo, Icer. Ices-

8.    Wyznaczyć z wykresów napięcia nasycenia U_CEsat i U_BEsat- Porównać z danymi katalogowymi.

9.    Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane katalogowe.

3.7. Literatura

1.    W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 217-317.

2.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. Nr 2022. Gliwice 1997.

3.    P. Reihold: Technika pomiarów tranzystorów. WKŁ, Warszawa 1973, s. 19-40, 81-104.

4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT, Warszawa 1975, s. 11-48, 120-126, 128-142.

5.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

6.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.