Laboratorium Elektroniki cz I 8

132

Rys 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk statycznych diod LED 1 - źródło p_rafVi we, 2 - woltomierz cyfrowy

Rys 6.18 Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk statycznych fotodiod przy polaryzat w kierunku przewodzenia: 1 - regulowane źródło prądowe, 2 - woltomierz cyfrowy, 3 - za siłacz stabilizowany, 4 - komora ciemniowa

Rys. 6.19 Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk statycznych fotodiod przy P^ol|^ry^ w kierunku zaporowym: 1 - regulowane źródło prądowe, 2 - woltomierz cyfrowy, 3 ' , amperomierz, 4 - zasilacz stabilizowany, 5 - komora ciemniowa

Zaproponować i zestawić układ pomiarowy tak, aby możngl rystyki statyczne (z IV ćwiartki układu współrzędnych) badanych fotodiod pracujących jako fotoogniwa. Pomiary przeprowadzić dla co najmniej 3 wartości natężenia oświetlenia (i w tym przypadku powinny to być te same wartości oświetlenia co przy pomiarach w kierunku przewodzenia) dla przypadków: fotodiody nieobciążonej (zakładamy, że woltomierz cyfrowy nie obciąża fotoogniwa), pracującej dla trzech różnych obciążeń i dla zwartej (tu zakładamy, że amperomierz stanowi zwarcie).

tpowered by I

Mi si ol

Wyznaczanie charakterystyk statycznych fotorezystorów I = f(U) dla natężenia oświetlenia E traktowanego jako parametr:

_ Zestawić układ pomiarowy zgodnie z rys. 6.20.

-    Zdjąć charakterystyki prądu ciemnego dla wskazanych przez prowadzącego fotorezystorów.

-    Dla tych samych elemenów zdjąć charakterystyki dla co najmniej 3 wartości natężenia oświetlenia E.

Rys 6.20. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych totorezystorów: 1 - zasilacz stabilizowany, 2 - miliamperomierz, 3 - woltomierz cyfrowy, 4 - zasilacz stabilizowany, 5 - komora ciemniowa

⁴- Wyznaczanie rodziny charakterystyk statycznych lc = f(UcE) fototranzystora dla natężenia oświetlenia E traktowanego jako parametr:

-    Pomiary przeprowadzić w układzie z rys. 6.21.

-    Zdjąć charakterystyki dla wskazanych przez prowadzącego fototranzystorów.

-    Wyznaczyć wartość prądu ciemnego Iceo badanego fototranzystora.