Laboratorium Elektroniki cz I 8

212

gdzie: R = R_G + (R, II R₂ II Rwe),

Rwe = hue + h2ieZE = hn₀ dla Ze ** 0.

Ce

h2ie+1

Rys. 11.12. Elektryczne schematy zastępcze do wyznaczania częstotliwości f_d: a) wpływ kondensatora Cg, b) wpływ kondensatora C£, c) wpływ kondensatora Ce

Dolna częstotliwość graniczna jest częstotliwością, przy której części rzeczywista i urojona mianownika wyrażenia (11.30) są sobie równe, skąd otrzymujemy ostatecznie wyrażenie na fd i warunek na C'_s:

f =- ^d 2nCgR	(11.31)
Al x < U	(11.32)
^3 27tfdR

Analogicznie, wpływ pojemności Cg rozpatrujemy wykorzystując schemat zastępczy z rys. 11.11b. W zakresie częstotliwości f« f₀ zespolona funkcja wzmocnienia napięciowego dana jest wzorem (11.30), z tym że dla tego przypadku R = [(1/łi22e) II Rc] + Ro- Otrzymane wyrażenia na f_d i Cg są identyczne z (11.31) i (11.32). W celu uzyskania analogicznych zależności określających wpływ kondensatora C_E należy wykorzystać schemat zastępczy z rys. 11.12c i po przeprowadzeniu podobnych rozważań wyrażenia na fd i Ce przybiorą następującą postać:

powered by

Mi siół

f, = -- (11.33)

^d 2jct(R_g||R_I||R₂) + h_lle]C_E

(11.34)

2tc[(R |(R, l|R₂) + h_)le]f_d

We wzmacniaczu rezystancyjnym ze sprzężeniem napięciowym (rys. 11.1 Ob) zastosowano kondensator Cf w celu usunięcia wpływu ujemnego sprzężenia zwrotnego dla sygnałów zmiennych. Analogiczne rozważania prowadzą do uzyskania następującego wyrażenia:

(11.35)

_c >WW

^F 2Ttf_dR'_FR"

Zakres dużych częstotliwości (co »co)

We wzmacniaczu rezystancyjnym pracującym w układzie OE ograniczenie górnej częstotliwości granicznej wynika z częstotliwości granicznej fp (fp - częstotliwość, przy której ipi = Pmax/V2) oraz ze zjawiska Millera powodującego zwiększenie pojemności złącza kolektor-baza C_cb (lk_uIC_Cb). Dodatkowo pojemność ta powiększona jest przez pojemności montażowe układu. We wzmacniaczach małej częstotliwości wpływy te nie są istotne, toteż ograniczymy się tylko do podania ogólnego wzoru na górną częstotliwość graniczną:

f =

(11.36)

gdzie: ci>r = haieOOp - pole wzmocnienia,

C_cb - pojemność złącza kolektor-baza, Rl - rezystancja obciążenia,

R_g - rezystancja źródła.

11.3. Tematy sprawdzające

1. Wyprowadzić wzory na wzmocnienie mocy w układach OB, OE i OC korzystając z tablicy 11.1 i sporządzić wykres: k_p = f(Ro) dla Roc (10-10⁷) O