86401 Laboratorium Elektroniki cz I 8

212

gdzie: R = R_Q + (Ri II R2 II ^we)i

Rwe = hue + h2ieZE ~ hn_e dla Ze » 0.

CŚ

Hh

C

-0-

b)

1 f J^h22e . 1 c(	Rc f f I
y E

R,

h_21e+1

Rys. 11.12. Elektryczne schematy zastępcze do wyznaczania częstotliwości f_d: a) wpływ kondensatora Cg , b) wpływ kondensatora C$, c) wpływ kondensatora C_E

C_E

Dolna częstotliwość graniczna jest częstotliwością, przy której części rzeczywista i urojona mianownika wyrażenia (11.30) są sobie równe, skąd otrzymujemy ostatecznie wyrażenie na fd i warunek na C'_s:

f _ ^1	(11.31)
‘^d ŻJlCgR
c:^—— ^s 2;cfdR	(11.32)

Analogicznie, wpływ pojemności Cg rozpatrujemy wykorzystując schemat za

stępczy z rys. 11.11b. W zakresie częstotliwości f«f₀ zespolona funkcja wzmocnienia napięciowego dana jest wzorem (11.30), z tym że dla tego przypadku R = [(1/h22e) II Rc] + Ro- Otrzymane wyrażenia na f_d i Cg są identyczne z (11.31) i (11.32). W celu uzyskania analogicznych zależności określających wpływ kondensatora Ce należy wykorzystać schemat zastępczy z rys. 11.12c i po przeprowadzeniu podobnych rozważań wyrażenia na f_d i Ce przybiorą następującą postać:

powered by

Mi siol

f. -bis- (11.33)

2<(R_g||R₁||R₂)+h_He]C_E

C_n>-!^i£- (11-34)

^E 27i[(R_g||R₁||R₂) + h_lle]f_d

We wzmacniaczu rezystancyjnym ze sprzężeniem napięciowym (rys. 11.1 Ob) zastosowano kondensator Cf w celu usunięcia wpływu ujemnego sprzężenia zwrotnego dla sygnałów zmiennych. Analogiczne rozważania prowadzą do uzyskania następującego wyrażenia:

(11.35)

q ^ ^h21ę(^RcH^Ro)

^F żitfjRJjRp

Zakres dużych częstotliwości (co » co)

We wzmacniaczu rezystancyjnym pracującym w układzie OE ograniczenie górnej częstotliwości granicznej wynika z częstotliwości granicznej fp (fp - częstotliwość, przy której Ipl = pmax/Vż) oraz ze zjawiska Millera powodującego zwiększenie pojemności złącza kolektor-baza C_cb (lk_uIC_cb). Dodatkowo pojemność ta powiększona jest przez pojemności montażowe układu. We wzmacniaczach małej częstotliwości wpływy te nie są istotne, toteż ograniczymy się tylko do podania ogólnego wzoru na górną częstotliwość graniczną:

^fP

\

^{1 +} ®T^Ccb^RL

(11.36)

gdzie: o>r = h₂i_ecop - pole wzmocnienia,

C_Cb - pojemność złącza kolektor-baza, Rl - rezystancja obciążenia,

Rg - rezystancja źródła.

11.3. Tematy sprawdzające

1. Wyprowadzić wzory na wzmocnienie mocy w układach OB, OE i OC korzystając z tablicy 11.1 i sporządzić wykres: k_p = f(Ro) dla R₀ c (10-10⁷) O.