Laboratorium Elektroniki cz I 1

218

11.7. Literatura

1.    T. Zagajewski: Układy elektroniki przemysłowej. WNT, Warszawa 1984, rozdz 4

2.    W. Golde: Tranzystorowe wzmacniacze małej częstotliwości. WNT, Warszawa 1975. rozdz. 4, 5, 6.

3.    J. Cermak, K. Jurkowie: Projektowanie i konstrukcja wzmacniaczy tranzystorowych małej częstotliwości. WNT, Warszawa 1976, rozdz. 1, 3, 4.

4.    J. Pawłowski: Wzmacniacze i generatory - podstawowe układy elektroniczne WKŁ, Warszawa 1980, rozdz. 2, 3, 4.

5.    S. Sońta: Układy tranzystorowe. WKŁ, Warszawa 1971, rozdz. 2.

6.    S. Seely: Układy elektroniczne. WNT, Warszawa 1972, rozdz. 3, 4.

7.    U. Tietze, Ch. Schenk: Układy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa, wyd. II, 1987, rozdz. 4.

8.    U. Tietze, Ch. Schenk: Układy półprzewodnikowe. WNT. Warszawa, wyd. III, 1998, rozdz. 4.

9.    P. Horowitz, W. Hill: Sztuka elektroniki. WKŁ, Warszawa, wyd. II, 1995.

10.    A. Guziński: Liniowe elektroniczne układy analogowe, seria EIT. WNT, Warszawa 1992, rozdz. 3, 5, 6, 7.

powered by

Mi siol

Ćwiczenie 12

ELEMENTARNE UKŁADY TRANZYSTOROWE

12.1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest praktyczna ilustracja podstawowych właściwości elementarnych układów używanych w konstrukcji bipolarnych analogowych układów scalonych, a szczególnie we wzmacniaczach operacyjnych. Do układów tych zaliczano: układy polaryzacji prądowej i napięciowej, układy sprzęgające i układy obróbki sygnału.

12.2. Wprowadzenie

Proces projektowania analogowego układu scalonego wymaga ze strony konstruktora zupełnie innego podejścia niż proces stosowany przy projektowaniu tego samego układu z elementów dyskretnych. W praktyce objawia się to dążeniem do zastępowania możliwie wszystkich elementów biernych elementami aktywnymi. Podstawowe przyczyny tego zjawiska są następujące:

-    nie ma możliwości wykonywania elementów indukcyjnych (cewki, transformatory) w technice scalonej;

-    scalone rezystory i kondensatory charakteryzują się małymi zakresami wartości nominalnych, przy jednoczesnym bardzo dużym zakresie tolerancji;

-    tranzystor scalony zajmuje mniejszą powierzchnię niż kondensator o pojemności kilku pikofaradów lub rezystor o rezystancji powyżej 2 kft;

-    wszystkie elementy wraz z połączeniami powstają w jednym ciągłym procesie technologicznym, co pozwala wykorzystywać bardzo dobrą współbieźność zmian parametrów elementów, zgodność temperatury poszczególnych elementów oraz istnienie sprzężeń pasożytniczych.