Laboratorium Elektroniki cz I 5

206

O

Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektorowym można zastąpić w podany na rysunku sposób

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego wyrażenie (11.18) upraszcza się do postaci:

£5

(11.19)

Rezystancja wyjściowa Rwy

Napięciowe sprzężenie zwrotne zmniejsza również rezystancję wyjściową wzmacniacza:

R

wyf

R,

/

R,

•IIR,

\

(11.20)

21e

^l22e

co w przypadku silnego sprzężenia zwrotnego prowadzi do postaci:

Rwyt * Rp/h2i_e    (11-21)

W podsumowaniu należy stwierdzić, że sprzężenie kolektorowe jest skuteczne przy odpowiednio dużych wartościach rezystancji źródła i obciążenia, a więc przy sterowaniu prądowym i w stanie odległym od zwarcia na wyjściu. Układ ze sprzężeniem kolektorowym ma właściwości dualne w stosunku do układu ze sprzężeniem emiterowym. Jest to czasem wykorzystywane przy łączeniu kaskadowo na przemian stopni wzmacniających ze sprzężeniami kolektorowymi i emiterowymi. Przy takim połączeniu we wszystkich wzmacniaczach składowych skutecznie działają sprzężenia zwrotne, co prowadzi między innymi do znacznego zmniejszenia wzajemnego oddziaływania kolejnych stopni na siebie. Układy tego typu stosowane są we wzmacniaczach szerokopasmowych.

W układzie przedstawionym na rys. 11.9 istnieją dwie pętle ujemnego sprzężenia zwrotnego: jedna z tych pętli utworzona jest przez rezystor emiterowy R_El a druga przez rezystor Rf łączący kolektor z bazą. Właściwości tak utworzonego układu są pewną wypadkową właściwości układów z pojedynczymi pętlami sprzężenia zwrot*

nego. Poniżej podano otrzymane w podobny sposób jak uprzednio p go wzmacniacza ze sprzężeniem mieszanym.

Rys. 11.9. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem mieszanym

Wzmocnienie napięciowe K_Uf

Wpływ obu pętli sprzężenia zwrotnego sumuje się w odniesieniu do wypadkowego wzmocnienia K_uf-wzór (11.22); porównaj ze wzorami (11.9) i (11.14):

K

u

1 +

K

u

\

I le

R,

\

R~ R

C'

% V

.R_c

(11.22)

W sytuacji gdy rezystancja źródła (Rg « 0) będzie bardzo mała, oddziaływanie napięciowego sprzężenia zwrotnego zaniknie, a układ będzie się zachowywał tak, jakby istniało tylko sprzężenie prądowe. W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego graniczna wartość wzmocnienia napięciowego przybierze postać daną równaniem:

« -

Rn R,

(11.23)

R„ R,

z której wynika pełna niezależność od zmian parametrów tranzystora, a więc stabilizacja wartości wzmocnienia napięciowego. Warunki silnego sprzężenia zwrotnego wynikają z poprzednich rozważań.