Laboratorium Elektroniki cz I 4

204

204

^rr,a|ych

Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stosunkowo

wartościach rezystancji źródła Rq i obciążenia R₀, tzn. przy sterowaniu napię_Cj_0w^ (Rq «= O) i w stanie bliskim zwarcia na wyjściu.

W układzie przedstawionym na rys. 11.7 ujemne sprzężenie zwrotne jest zrealizowane za pomocą rezystancji Rf włączonej pomiędzy kolektor i bazę tranzystora Podajemy w ten sposób część napięcia wyjściowego na wejście wzmacniacza. p_0ni żej zestawiono w analogiczny sposób parametry wzmacniacza objętego pętlą _Spr2ę żenią kolektorowego.

cii

Rys. 11.7. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem kolektorowym

Wzmocnienie napięciowe K_ui

Sprzężenie kolektorowe powoduje zmniejszenie wzmocnienia napięciowego wzmacniacza do wartości danej wyrażeniem:

Rq

-J?±-    (11.14)

U*.

u -_'UL -

^Ku( ~ _c

^eg

1 + -

R-F^llc

1 + ^-k

R_f "

—[RcII— Kc \ hi

Pr

"F    ^ulle ^    “22e

Przy wartości rezystancji R_G = 0 wzmocnienie układu będzie takie samo jak przy Ł>^ra' ku sprzężenia zwrotnego. Stąd wynika wniosek, że aby to sprzężenie było skuteczne, to rezystancja źródła R_G powinna być odpowiednio duża.

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego, tzn. gdy spełniony jest warunek, ~^e rezystancja źródła Rg ma ten sam rząd wielkości co rezystor R_F, to wzmocnienie na pięciowe zależy tylko od stosunku tych rezystancji:

k -i

^Kuf „

(11.15)

powered by

²⁰⁵    | Mi siół

Również w tym przypadku uzyskano pełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora! Należy pamiętać, że rezystor R_F nie może mieć zbyt małej rezystancji w porównaniu z rezystorem R_c, gdyż wówczas nawet bez sprzężenia zwrotnego wzmocnienie napięciowe będzie małe. Jednocześnie rezystor R_F nie może mieć zbyt dużej wartości względem rezystancji h_11e, ponieważ sprzężenie przestaje wówczas działać, praktycznym kompromisem jest dobór R_F = R_c = h_Ue-

Wzmocnienie prądowe Ku

Wzmocnienie prądowe również ulega zmniejszeniu zgodnie ze wzorem (11.16). W sytuacji gdy spełnione są warunki dla uzyskania silnego sprzężenia zwrotnego wyrażenie:

-h.

21e

^{1 + Pk}i hA _{1 +}

R.

^h21e]f(¹ + h22e^Rc)

(11.16)

upraszcza się do postaci (11.17): (11.17)

z której wynika, że zależy ono jedynie od stosunku rezystorów R_F i R_c, a więc i tutaj istnieje pełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora.

Rezystancja wejściowa R_wet

Oddziaływanie sprzężenia kolektorowego objawia się poprzez spadek wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza tyle razy, ile razy obniżyła się wartość współczynnika wzmocnienia prądowego Ku. Wyrażenie:

wef

*2 le ^hlle

^RCII-I^|RF

Rf

= ^hUe^lllT

(11.18)

można interpretować jako dołączenie pomiędzy bazą a masą, a więc równolegle do

rezystancji wejściowej tranzystora hu_e rezystora o wartości R_p /-21*

‘Ile

R_c IIt—-—II^rf

^h22e

a więc rezystora sprzężenia zwrotnego R_F podzielonego przez wzmocnienie układu z otwartą pętlą sprzężenia zwrotnego (rys. 11.8).