Laboratorium Elektroniki cz I 3

202

Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterowym

Poniżej zestawiono podstawowe parametry takiego wzmacniacza wyposażonego w sprzężenie emiterowe.

Wzmocnienie napięciowe k_uf

Sprzężenie emiterowe powoduje zmniejszanie wzmocnienia napięciowego do wartości danej wzorem:

^kuf =

-1

1 + k

R

R

Ile

1

RclIRo Rcll^R0 ^21e ^Rcll^R0 h

+ n_22e

(11.9)

2 lc

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego, tzn. gdy spełniony jest warunek:

_RE»^[(_Rc||Ro)h₂₂e+l] = -^

“2Ie    "21e

otrzymujemy w przybliżeniu zależność:

^kuf =

R,

~ RpRę ___.

R_E(^R0 ^{+ R}c) R

Rq=

:oo

Dla wzmacniacza nieobciążonego (R₀ = wzmocnienie napięciowe zależy tylko od stosunku rezystorów kolektorowego i emiterowego. Jak widać, uzyskano w tym przypadku zupełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora, a więc też od ich zmian!

Warunek silnego sprzężenia zwrotnego dla typowego tranzystora (patrz p. 11.2.1) oznacza, że rezystor Re » 10 £2, np. 100 £2, co jest łatwe do spełnienia.

Wzmocnienie prądowe Ku

Wzmocnienie prądowe Ku wzmacniacza po zamknięciu pętli sprzężenia zwrotnego nie ulega zmianie: Kjf = k*.

Rezystancja wejściowa R_wef

Oddziaływanie sprzężenia emiterowego objawia się poprzez wzrost wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza tyle razy, ile razy obniżyło się wzmocnienie napięciowe:

/

\

^-hlle ^{+ h}21e^RE

^Rwef ^Rwe

1 + ^R_f

^hu. ^E

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego drugi człon wyrażenia (11.11) ma decydującą wartość i R_wei = h₂i_eRE-

Rezystancja wyjściowa Rwyt

Sprzężenie emiterowe powoduje wzrost rezystancji wyjściowej wzmacniacza:

= R

j ₊ _ ^h2te^RE

\

(11.12)

** ' hne ⁺ R_G;

dany w przypadku silnego sprzężenia za pomocą wyrażenia:

(11.13)

W sytuacji gdy rezystor kolektorowy R_c » 0, to faktyczna rezystancja wyjściowa powstaje z równoległego połączenia Rwyt II Rc- W sytuacji silnego sprzężenia zwrotnego Rwyt» Rc i wówczas rezystancja wyjściowa dąży do wartości R_c.

fys. 11.6. Tranzystor w układzie OE z impedancją Z_E w obwodzie emitera można zastąpić tranzystorem z rezystancją wejściową powiększoną o impedancję poZ_E(h_nl = h, ,_e + h₂₁.Z_E)