Laboratorium Elektroniki cz I 9

74

3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE

Definicje mieszanych parametrów czwórnikowych tranzystora pracującego w układzie OE podano niżej:

-    impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu

h_lle = ^łiLdla AU_ce = 0 i U_CE =const AI_b

-    admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu AI_r

^h22e “

_ C

^auce

- współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu AUr

^h12e ^_

_ BE

AU

dla AI_d = 0 i I₀ = const

CE

- współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu Air

Air

h,. = P = —— dlaAU_rF = 01 U_CF = const

Na rys. 3.7 przedstawiono elektryczny schemat zastępczy dla parametrów h,₁₈ oraz fizyczny schemat zastępczy typu „hybryd-n". Zależności umożliwiające wzajemne obliczanie elementów obu modeli są następujące:

Ir

g =    - transkonduktancja

^m <P_T

r_bc = — =    -- - rezystancja złącza B' - E

8m I*22e

r_b-_c = —¹- - rezystancja złącza B' - C Ih2e 8m

9ce = h22e - konduktancja wyjściowa hne = Tbb- + rb'e    (3-5)

h.7, -

_ ^rbc

^rbe + ^rb'c

>2,6=-^ = ?

Eb'c

powered by

Mi sio!

Rys. 3 7 Elektryczne schematy zastępcze tranzystora w układzie OE a) model czwórnikowy dla parametrów mieszanych, b) model typu „hybryd-IT

Pomiędzy modelami dla układu OB przedstawionymi w ćwiczeniu nr. 2 a zaprezentowanymi powyżej modelami dla układu OE istnieją ścisłe zależności. Zależności te dla modelu mieszanego mają następującą postać:

h. i.

hiih — ■

1 -t- h ^ h||ęh? 1 + h,

(3.6)

h-MK = —

1 + h.

1 + h,

3.3. Tematy sprawdzające

¹ • Wyjaśnić zasadę działania tranzystora bipolarnego w połączeniu dla wspólnego emitera w zakresie aktywnym normalnym i inwersyjnym.

2- Przedstawić i omówić związki pomiędzy modelami tranzystora bipolarnego dla układu OB i OE.